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分 类 >> G:物理 >> 图纹面的照相制版工艺,例如:印刷工艺,半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
名称 专利号 申请者 地址
光罩、光罩的制成方法以及使用该光罩的图案形成方法 CN02805742松下电器产业株式会社日本大阪府 
辐射敏感的折射率变化组合物以及变化折射率的方法 CN02157855捷时雅株式会社日本东京都 
掩模图案校正装置和掩模图案校正方法、掩模制备方法和半导体器件生产方法 CN02806755索尼公司日本东京都 
光刻装置及器件制造方法 CN02157430ASML荷兰有限公司荷兰维尔德霍芬 
环保水溶性柔版曝光洗版机 CN02291367朝日印刷器材有限公司;深圳市龙岗区龙岗南约朝日机械实业厂香港新界葵涌大连排道21-33号宏达工业中心5字楼503室 
应用多层光致抗蚀剂层结构的光刻工艺 CN02156379联华电子股份有限公司台湾省新竹科学工业园区 
混合式光掩模的照相腐蚀制造方法 CN02156383联华电子股份有限公司台湾省新竹科学工业园区 
一种制造器件的方法,所制造的器件及平版印刷装置 CN02128180ASML荷兰有限公司荷兰维尔德霍芬 
采用直写纳米刻蚀印刷的固态部件的图案化 CN02827280西北大学美国伊利诺伊州 
负性光刻胶树脂涂布液及其制备方法 CN02156639中国科学院理化技术研究所100101北京市朝阳区大屯路甲3号 
显影活化液及其在制备高影象反差胶印版中的应用 CN02156641中国科学院理化技术研究所100101北京市朝阳区大屯路甲3号 
具有高影像反差的卤化银乳剂及其制备方法和用途 CN02156642中国科学院理化技术研究所100101北京市朝阳区大屯路甲3号 
图形发生器 CN02156430中国科学院电工研究所100080北京市海淀区中关村北二条6号 
图形发生器 CN02289783中国科学院电工研究所100080北京市海淀区中关村北二条6号 
多色调光掩模及其制造方法 CN02828000杜邦光掩公司美国得克萨斯州 
辐射敏感的树脂组合物 CN02810029捷时雅株式会社日本东京 
光致抗蚀剂用显影液 CN02827571罗姆和哈斯电子材料有限责任公司美国马萨诸塞 
光致抗蚀剂用显影液 CN02827572罗姆和哈斯电子材料有限责任公司美国马萨诸塞州 
显影液组合物及其应用方法 CN02156178奇美实业股份有限公司台湾省台南县仁德乡三甲村59-1号 
工件构图方法和装置 CN02825034麦克罗尼克激光系统公司瑞典泰比 
形成光学图像的方法、本方法用的衍射部件、实行所述方法的设备 CN02825084皇家飞利浦电子股份有限公司荷兰艾恩德霍芬 
平版印刷装置,器件的制造方法,由此制成的器件,和计算机程序 CN02139995ASML荷兰有限公司荷兰维尔德霍芬 
图像形成方法和装置 CN02824519麦克罗尼克激光系统公司瑞典泰比 
多光子光敏化系统 CN028262533M创新有限公司美国明尼苏达州 
一种平版印刷装置和器件的制造方法 CN02151875ASML荷兰有限公司荷兰维尔德霍芬 
光刻胶掩模及其制作方法 CN02153956中国科学院光电技术研究所610209四川省成都市双流350信箱 
化学增幅型正性抗蚀剂组合物 CN02154063住友化学工业株式会社日本国大阪府 
一种无掩模纳米图形制作方法及其制作装置 CN02153955中国科学院光电技术研究所610209四川省成都市双流350信箱 
在0相与180相区域周围形成边界区域以增强透明电场相移位光罩的方法 CN02824773先进微装置公司美国加利福尼亚州 
增强相移位光罩的方法 CN02824783先进微装置公司美国加利福尼亚州 
掩膜形成方法及去除方法、以及由该方法制造的半导体器件、电路、显示体模件、滤色器及发光元件 CN02802973精工爱普生株式会社日本东京 
光敏组合物和平版印刷版原版 CN200610071800富士胶片株式会社日本神奈川县 
含硅193nm负性光刻胶及其成膜树脂 CN200610039655苏州华飞微电子材料有限公司215011江苏省苏州市苏州新区灵岩街16号 
用喷头涂抹光胶的方法 CN200610046309欣欣科技(沈阳)有限公司110179辽宁省沈阳市浑南产业区世纪路1号A1201 
接近型曝光装置 CN200510132967LG.菲利浦LCD株式会社韩国首尔 
使用两块掩模版实现连续扫描对两图形曝光的方法 CN200610025629上海集成电路研发中心有限公司;上海华虹(集团)有限公司201203上海市张江高科技园区碧波路177号华虹科技园4楼 
曝光装置和曝光方法 CN200610065501东丽工程株式会社日本东京 
利用三道掩膜制造液晶显示装置用下基板的方法 CN200610076368广辉电子股份有限公司台湾省桃园县 
减压干燥装置 CN200510129603大日本网目版制造株式会社日本京都府 
用于制造电子薄膜元件的方法和设备以及电子薄膜元件 CN200480023159阿万托尼有限公司芬兰坦佩雷 
用于电子基平版印刷术的高灵敏性抗蚀剂组合物 CN02829997国际商业机器公司美国纽约阿芒克 
灰色调掩模和薄膜晶体管基板的制造方法 CN200610065456HOYA株式会社日本东京 
光刻胶组合物 CN200510128706罗门哈斯电子材料有限公司美国马萨诸塞州 
平版印刷版原版及其制造方法 CN200610067384富士胶片株式会社日本神奈川县 
用于确定Z位置误差/变化以及基板台平整度的光刻装置和方法 CN200510121712ASML荷兰有限公司荷兰维尔德霍芬 
光刻设备以及装置制造方法 CN200510138033ASML荷兰有限公司荷兰维尔德霍芬 
曝光装置及曝光方法和配线印制电路板的制造方法 CN200610008031日立比亚机械股份有限公司日本神奈川县 
图形曝光方法及装置 CN200610008345日立比亚机械股份有限公司日本神奈川 
用光学线性元件一次成形制造圆光栅的方法及装置 CN200610013550天津师范大学300074天津市卫津路241号天津师范大学物理与电子信息学院 
一种复合减振式光刻装置 CN200610025895上海微电子装备有限公司201203上海市张江高科技园区张东路1525号 
在氧化锌薄膜上绘制亚微米级紫外发光图案的方法 CN200610049580浙江大学310027浙江省杭州市西湖区浙大路38号 
利用电子束的薄层高分辨率加工方法 CN200480023882纳沃技术有限公司德国罗斯多夫 
掩模版用透光性基板的制造方法、掩模版的制造方法、曝光用掩模的制造方法、半导体装置的制造方法以及液晶显示装置的制造方法以及曝光用掩模的缺陷修正方法 CN200580000745HOYA株式会社日本东京都 
光掩模涂层 CN2004800239943M创新有限公司美国明尼苏达州 
一种前体糊剂及其生产方法 CN2004800240653M创新有限公司美国明尼苏达州 
用于为浸润式光刻提供限制液体的设备与方法 CN200480018019兰姆研究有限公司美国加利福尼亚州 
处理成像材料的设备及方法 CN03827068柯达彩色绘图有限责任公司德国奥斯特罗德 
用于微电子设备的剥离和清洁组合物 CN200480023835马林克罗特贝克公司美国密苏里州 
基板和基板的抛光方法 CN200610079385株式会社小原日本神奈川县 
曝光方法和网目调型移相掩模 CN200610073208株式会社液晶先端技术开发中心日本神奈川县 
用于制造半导体器件的光刻工艺的方法 CN200610074166台湾积体电路制造股份有限公司台湾省新竹市 
使用设计者意图数据检查晶片和掩模版的方法和系统 CN200480025041恪纳腾技术公司美国加利福尼亚州 
衰减相移掩模坯体和光掩模 CN200480025506肖特股份有限公司德国美因茨 
正型感光性组合物用显影液 CN200480025098株工会社新克日本国千叶县 
光致抗蚀剂剥离液组合物、图案的制造方法和显示装置 CN200480024889索尼株式会社;关东化学株式会社日本东京都 
光掩模及保护其光学性能的方法 CN200480024538凸版光掩膜公司美国德克萨斯州 
掩模板玻璃衬底制造方法、掩模板制造方法、掩模制造方法、掩模板玻璃衬底、掩模板和掩模 CN200610071565HOYA株式会社日本东京都 
着色感光性树脂组合物及其固化部件 CN200610066190太阳油墨股份有限公司日本东京都 
光敏厚膜介电糊料组合物及使用该物质制造绝缘层的方法 CN200610073376E.I.内穆尔杜邦公司美国特拉华州 
放射线敏感性树脂组合物、由该组合物形成的凸起体和间隔体,以及包含其的液晶显示元件 CN200610079427JSR株式会社日本东京都 
放射线敏感性树脂组合物、由其形成的凸起和间隔物、以及具有它们的液晶显示元件 CN200610079434JSR株式会社日本东京都 
放射线敏感性树脂组合物、由该组合物形成的突起和分隔物及其形成方法、及液晶显示元件 CN200610067014JSR株式会社日本国东京都 
放射线敏感性树脂组合物、由该组合物形成的突起和分隔物及其形成方法、及液晶显示元件 CN200610067015JSR株式会社日本国东京都 
放射线敏感性树脂组合物、由该组合物形成的突起和分隔物及其形成方法、及液晶显示元件 CN200610067016JSR株式会社日本国东京都 
放射线敏感性树脂组合物、由该组合物形成的突起和分隔物及其形成方法、及液晶显示元件 CN200610067017JSR株式会社日本国东京都 
正型抗蚀剂组合物及使用其形成抗蚀图形的方法 CN200610007163东京应化工业株式会社日本神奈川县 
正型抗蚀剂组合物及使用其形成抗蚀图形的方法 CN200610007166东京应化工业株式会社日本神奈川县 
适合作为酸生成剂的盐和包含该盐的化学放大型抗蚀组合物 CN200610077419住友化学株式会社日本东京都 
适合作为酸发生剂的盐以及含有这种盐的化学放大的抗蚀组合物 CN200610077420住友化学株式会社日本东京都 
曝光工作台以及曝光装置 CN200610066090株式会社ORC制作所日本东京 
用于平板显示设备的曝光装置及使用其的曝光方法 CN200610066093LG.菲利浦LCD株式会社韩国首尔 
外围曝光装置 CN200610066097东丽工程株式会社日本东京 
用以动态控制特征尺寸的整合式光学量测与微影制程系统 CN200610066510台湾积体电路制造股份有限公司台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路8号 
利用具有热流动特性的负光刻胶层制造半导体的方法 CN200610066854台湾积体电路制造股份有限公司台湾省新竹科学工业园区力行六路八号 
用于光刻应用的专用测量台 CN200610071179ASML荷兰有限公司荷兰维尔德霍芬 
光刻装置、湿浸式投影装置和器件制造方法 CN200610071533ASML荷兰有限公司荷兰维尔德霍芬 
光学元件、曝光设备和器件制造方法 CN200610071568佳能株式会社日本东京 
光学元件和光照设备 CN200610071968株式会社半导体能源研究所日本神奈川县 
光刻装置和采用数据过滤的器件制造方法 CN200610073329ASML荷兰有限公司荷兰维尔德霍芬 
光刻装置、部件制造方法及其所制造的部件 CN200610077418ASML荷兰有限公司荷兰维尔德霍芬 
显影方法及半导体装置的制造方法 CN200610076499株式会社东芝日本东京都 
在抗蚀剂剥离室中从衬底上除去抗蚀剂的方法 CN200610071039兰姆研究公司美国加利福尼亚 
化学放大型光致抗蚀剂组合物、光致抗蚀剂层层叠体、光致抗蚀剂组合物的制造方法、光致抗蚀图案的制造方法以及连接端子的制造方法 CN200480005670东京应化工业株式会社日本神奈川县 
感光性树脂组合物、使用该组合物的感光性元件、抗蚀剂图案的形成方法及印刷电路板的制造方法以及光固化物的去除方法 CN200480024300日立化成工业株式会社日本东京都 
光敏树脂组合物及使用该光敏树脂组合物的LCD CN200580001001LG化学株式会社韩国首尔 
含有聚酰胺酸的形成防反射膜的组合物 CN200480024583日产化学工业株式会社日本东京都 
薄膜晶体管、薄膜晶体管的制造方法、以及显示器件的制造方法 CN200480024785株式会社半导体能源研究所日本神奈川 
用于形成光学图像的控制电路和方法 CN200480024407皇家飞利浦电子股份有限公司荷兰艾恩德霍芬 
形成光学图像的方法、用于执行所述方法的设备以及使用所述方法制作装置的处理 CN200480024417皇家飞利浦电子股份有限公司荷兰艾恩德霍芬