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A:人类生活需要 B:作业,运输 C:化学,冶金 D:纺织和造纸 E:固定构造 F:机械工程 G:物理 H:电学
分 类 >> G:物理 >> 图纹面的照相制版工艺，例如：印刷工艺，半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
名称 专利号 申请者 地址
回收烷基酯的方法 CN200480024826纽普罗技术公司美国北卡罗来纳　
对长掩模版曝光聚焦平面校正的调整方法 CN200510025350上海集成电路研发中心有限公司;上海华虹(集团)有限公司201203上海市张江高科技园区春晓路149号主楼1楼　
一种二维扫描精密激光曝光系统 CN200610012094中国科学院光电技术研究所610209四川省成都市双流350信箱　
一种过载缓冲保护装置 CN200610027265上海微电子装备有限公司201203上海市张江高科技园区张东路1525号　
光刻机同步时序控制串行数据通讯方法和系统及应用 CN200610027273上海微电子装备有限公司201203上海市张江高科技园区张东路1525号　
光致抗蚀剂组合物 CN200480026729株式会社ADEKA日本东京　
低多分散性可光成像的丙烯酸类聚合物、光致抗蚀剂和微平版印刷法 CN200480027137E.I.内穆尔杜邦公司美国特拉华州　
正型抗蚀剂组合物和形成抗蚀图案的方法 CN200480026631东京应化工业株式会社日本神奈川县　
抗蚀化合物和辐射敏感组合物 CN200480026859三菱瓦斯化学株式会社日本东京　
光刻投影装置、气体净化方法、器件制造方法以及净化气体供应系统 CN200480026605ASML荷兰有限公司;诚实公司荷兰费尔德霍芬　
交替式相位移光掩模及解决其相位冲突的方法 CN200510068447联华电子股份有限公司台湾省新竹科学工业园区　
光罩制造系统与光罩制造方法 CN200510114359台湾积体电路制造股份有限公司台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号　
用于装入微镜阵列的分段的方法 CN200610080361麦克罗尼克激光系统公司瑞典泰比　
防护胶膜框架 CN200610054952信越化学工业株式会社日本东京都　
光掩膜、掩膜图形的生成方法及半导体器件的制造方法 CN200610073914株式会社瑞萨科技日本东京都　
光掩模 CN200610074348三星电子株式会社韩国京畿道　
黑色基体组合物、黑色基体、制备黑色基体模型的方法以及制备彩色滤光片基质的方法 CN200510129145三星电子株式会社韩国京畿道　
放射线敏感性树脂组合物、由该组合物形成的突起和分隔物及其形成方法、及液晶显示元件 CN200610066634JSR株式会社日本国东京都　
放射线敏感性树脂组合物、由该组合物形成的突起和分隔物及其形成方法、及液晶显示元件 CN200610072566JSR株式会社日本国东京都　
光敏环氧树脂粘合剂组合物及其应用 CN200610073647日东电工株式会社日本大阪府　
涂敷、显影装置 CN200610089867东京毅力科创株式会社日本东京都　
使用散射测量的光刻测量 CN200610071125ASML荷兰有限公司荷兰维尔德霍芬　
偏振光照射装置 CN200610074623优志旺电机株式会社日本东京都　
光刻装置和定位装置 CN200610075205ASML荷兰有限公司荷兰维尔德霍芬　
一种呈现的方法 CN200610080355麦克罗尼克激光系统公司瑞典泰比　
计算用于对应于多边形的边的部分的多值像素的值的方法 CN200610080357麦克罗尼克激光系统公司瑞典泰比　
调整在光栅化图像中的几何图形的大小的方法 CN200610080362麦克罗尼克激光系统公司瑞典泰比　
补偿对工件上高对比度层、步进辐射中的能量差异的方法 CN200610080363麦克罗尼克激光系统公司瑞典泰比　
补偿在微镜阵列中的独立微镜之间的响应差别的方法 CN200610080364麦克罗尼克激光系统公司瑞典泰比　
基板处理方法以及半导体器件的制造方法 CN200610078614株式会社东芝日本东京都　
加热装置、和涂敷、显影装置以及加热方法 CN200610066684东京毅力科创株式会社日本东京　
用于定位掩模的方法和装置 CN200610066680应用菲林股份有限两合公司德国阿尔策瑙　
用于保护用在芯片制造中的标线片不被污染的方法和装置 CN200480027390皇家飞利浦电子股份有限公司荷兰艾恩德霍芬　
用于补偿重力对用于保护掩模板免受污染的薄膜的影响的方法和设备 CN200480027460皇家飞利浦电子股份有限公司荷兰艾恩德霍芬　
用于保护用在芯片制造中的标线片不被污染的方法和装置 CN200480027461皇家飞利浦电子股份有限公司荷兰艾恩德霍芬　
低多分散性可光成像的聚合物、光致抗蚀剂和微版印刷术 CN200480026226E.I.内穆尔杜邦公司美国特拉华州　
感光性元件、光阻图型的形成方法及印刷电路板制造方法 CN200480027571日立化成工业株式会社日本东京都　
相移掩模对准方法和器件 CN200480027518麦克罗尼克激光系统公司瑞典泰比　
涂敷处理方法和涂敷处理装置 CN200610077844东京毅力科创株式会社日本东京都　
显影方法与显影设备 CN200510068277中华映管股份有限公司台湾省台北市中山北路三段二十二号　
基于微光学阵列多点曝光的极坐标直接写入方法及装置 CN200610010129哈尔滨工业大学150080黑龙江省哈尔滨市南岗区一匡街2号哈工大科学园3018信箱　
一种曝光装置 CN200610027268上海微电子装备有限公司201203上海市张江高科技园区张东路1525号　
保持光刻机高速同步控制时序信号完整性的方法 CN200610027269上海微电子装备有限公司201203上海市张江高科技园区张东路1525号　
一种调节气膜双向刚度的气浮支座 CN200610027352上海微电子装备有限公司201203上海市张江高科技园区张东路1525号　
衬底处理装置 CN200610077182大日本网目版制造株式会社日本京都府京都市　
光刻装置及器件制造方法 CN200610077845ASML荷兰有限公司荷兰费尔德霍芬　
光刻装置和器件制造方法 CN200610077848ASML荷兰有限公司荷兰维尔德霍芬　
光刻装置及器件制造方法 CN200610077849ASML荷兰有限公司荷兰费尔德霍芬　
感光性柔性版用嵌段共聚物组合物 CN200480027997日本瑞翁株式会社日本东京都　
电子和显示组件的纺丝印刷 CN200480028287纳幕尔杜邦公司美国特拉华州　
正型感光性树脂组合物、图案的制造方法及电子部件 CN200580001168日立化成杜邦微系统股份有限公司日本国东京都　
碱性显影性树脂组合物 CN200580000757旭电化工业株式会社日本东京都　
掩模坯料及其透明基片的制造方法,曝光掩模的制造方法 CN200610051433HOYA株式会社日本东京都　
相位偏移光掩模坯料、相位偏移光掩模及其制造方法 CN200610076905信越化学工业株式会社日本东京都　
具有低粘合剂残余的膜 CN200610080144三井化学株式会社日本东京都　
一种制作聚合物自支撑纳微米线的方法 CN200610075663清华大学100084北京市海淀区清华园　
用于平衡印刷滚筒的平衡系统 CN200610077835海德堡印刷机械股份公司德国海德堡　
化学品源的管理系统与方法 CN200610003268台湾积体电路制造股份有限公司台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路8号　
用于光刻装置中的传感器 CN200610019816ASML荷兰有限公司荷兰维尔德霍芬　
光刻机成像光学系统像差现场测量方法 CN200610025445上海微电子装备有限公司201203上海市张江高科技园区张东路1525号　
浸没式光刻机浸液流场维持系统 CN200610027707上海微电子装备有限公司201203上海市张江高科技园区张东路1525号　
使用测试特征检测光刻工艺中的焦点变化的系统和方法 CN200610075436三星电子株式会社韩国京畿道　
图案形成方法以及半导体器件的制造方法 CN200610080276株式会社东芝日本东京都　
周缘曝光装置、涂敷显影装置及周缘曝光方法 CN200610080318东京毅力科创株式会社日本东京都　
计算多边形的第一与第二边相交处的角的像素值的方法 CN200610080360麦克罗尼克激光系统公司瑞典泰比　
电阻测量系统及应用其的测量方法 CN200610087800友达光电股份有限公司中国台湾新竹市　
衬底加热设备和方法以及涂覆和显影系统 CN200610080314东京毅力科创株式会社日本东京都　
除光阻层的组合物及其使用方法 CN200510025821安集微电子（上海）有限公司201203上海市龙东大道3000号5号楼613－618　
一种去除光阻层的组合物及其使用方法 CN200510025822安集微电子（上海）有限公司201203上海市龙东大道3000号5号楼613－618　
下游等离子体处理设备和方法 CN200610076232PSK有限公司韩国京畿道　
正型感光性绝缘树脂组合物及其固化产物 CN03800281捷时雅株式会社日本东京　
可光聚合的组合物和由受控分布嵌段共聚物制备的苯胺印刷版 CN200480029419克拉通聚合物研究有限公司荷兰阿姆斯特丹　
用于确定最佳抗蚀剂厚度的方法 CN200480029338皇家飞利浦电子股份有限公司荷兰艾恩德霍芬　
用于曝光衬底的浸没式光刻方法和装置 CN200480027622英飞凌科技股份公司德国慕尼黑　
用于浸式光刻的方法和器件 CN200480028688麦克罗尼克激光系统公司瑞典泰比　
用于远紫外线辐射光刻的方法和设备 CN200480029252法国原子能委员会法国巴黎市　
压印光刻 CN200610079880ASML荷兰有限公司荷兰费尔德霍芬　
抗蚀材料及使用了该抗蚀材料的图案形成方法 CN200610074073松下电器产业株式会社日本大阪府　
缩小关键尺寸的方法 CN200610059186联华电子股份有限公司台湾省新竹科学工业园区　
在具有边的区域内定义多边形的边的方法 CN200610080358麦克罗尼克激光系统公司瑞典泰比　
具有保护罩面层的成像元件 CN200480030189伊斯曼柯达公司美国纽约州　
曝光掩模板装置 CN200520044626上海海晶电子有限公司201613上海市松江区美能达路503号　
一种真空晒版机控制器 CN200520014455浙江大学310027浙江省杭州市西湖区浙大路38号　
一种新型像片 CN200520102976周 平310012浙江省杭州市文三路259号昌地火炬大厦2号楼803室　
显示装置、制造其的方法以及用于制造其的掩模 CN200610088744三星电子株式会社韩国京畿道　
凹凸图案形成方法、母盘、压模及磁记录介质的制造方法 CN200610088681TDK股份有限公司日本东京都　
用于浸渍光刻的聚合物、含有它的光致抗蚀剂组合物、制备半导体器件的方法及半导体器件 CN200510136300海力士半导体有限公司韩国京畿道　
光刻胶聚合物、光刻胶组合物及制造半导体装置的方法 CN200510137504海力士半导体有限公司韩国京畿道　
光敏树脂组合物、使用该光敏树脂组合物制造薄膜晶体管基板的方法和制造共电极基板的方法 CN200610083540三星电子株式会社;东进半导体化学株式会社韩国京畿道　
涂布方法和涂布装置 CN200610085007东京毅力科创株式会社日本东京　
在光致抗蚀层中形成图像的方法 CN200610085093国际商业机器公司美国纽约　
图案形成方法 CN200610073222松下电器产业株式会社日本大阪府　
检查方法及采用该检查方法的液晶显示装置的制造方法 CN200610079272三菱电机株式会社日本东京都　
具有光瞳遮蔽的物镜 CN200610079853卡尔蔡司SMT股份公司德国上科亨　
制作全像光罩的曝光方法 CN02155765株式会社液晶先端技术开发中心日本国神奈川县　
曝光方法和曝光装置 CN02154533株式会社尼康日本东京　
光致抗蚀剂残渣除去液组合物 CN02155744关东化学株式会社日本东京　
光敏膜和印刷线路板用光敏组合物及其生产方法 CN02821887昭和电工株式会社日本东京都　
红外感光光敏组合物 CN02154835富士胶片株式会社日本神奈川县　
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