| 名称 |
专利号 |
申请者 |
地址 |
| 保护电路 | CN02126184 | 富士通株式会社 | 日本神奈川 |
| 写入装置、半导体存储卡、写入程序及写入方法 | CN02818020 | 松下电器产业株式会社 | 日本大阪府门真市 |
| 一种引导用只读存储器的写保护实现方法 | CN02140483 | 华为技术有限公司 | 518057广东省深圳市科技园科发路华为用户服务中心大厦知识产权部 |
| 半导体存储装置 | CN02814416 | 三洋电机株式会社 | 日本大阪府 |
| 闪存及其程序规划和重复烧录的方法 | CN02141065 | 光宝科技股份有限公司 | 中国台湾 |
| 工作周期效率静态随机存取存储器单元测试 | CN02812582 | 国际商业机器公司 | 美国纽约州 |
| 具有用于读写操作的不同突发顺序寻址的存储器件 | CN02817581 | 微米技术有限公司 | 美国爱达荷州 |
| 具有数据读出电流调节功能的薄膜磁性体存储器 | CN02141161 | 三菱电机株式会社 | 日本东京都 |
| 具有备份存储器块的非易失性半导体存储器 | CN02141133 | 三菱电机株式会社 | 日本东京都 |
| 用于高速感测放大器的控制时脉产生器及控制时脉产生方法 | CN02140251 | 旺宏电子股份有限公司 | 台湾省新竹科学工业园区 |
| 铁电存储器件及其编程方法 | CN02154292 | 海力士半导体有限公司 | 韩国京畿道 |
| 编程非易失存储器器件 | CN02826781 | 英特尔公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 使用多个命令周期的闪存存储器访问 | CN02826787 | 英特尔公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 使用磁阻效应的半导体存储器件 | CN02160414 | 株式会社东芝 | 日本东京都 |
| 高速逻辑先进先出存储器 | CN02159663 | 赵云琪;迟恩泽 | 100010北京市东城区禄米仓73号3215张小托转 |
| 磁存储器 | CN02151653 | 株式会社东芝 | 日本东京都 |
| 磁存储装置 | CN02151651 | 株式会社东芝 | 日本东京都 |
| 具有测试模式的半导体存储器及应用它的存储系统 | CN02159805 | 三菱电机株式会社 | 日本东京都 |
| 电压检测电路控制设备及其存储器控制设备和存储卡 | CN02160878 | 株式会社东芝 | 日本东京都 |
| 磁性随机存取存储器 | CN02160834 | 株式会社东芝 | 日本东京都 |
| 具有安全装置的电子产品及其使用方法 | CN02160507 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 201203上海市张江路18号 |
| 通过双向电流写入数据的薄膜磁体存储装置 | CN02159389 | 三菱电机株式会社 | 日本东京都 |
| 一种利用字线驱动器驱动字线的方法 | CN02158449 | 力旺电子股份有限公司 | 台湾省新竹市 |
| 闪存的数据写入与读取方法及电路 | CN02159367 | 丽台科技股份有限公司 | 中国台湾 |
| 半导体集成电路装置及其读出开始触发信号的发生方法 | CN02151650 | 株式会社东芝 | 日本东京都 |
| 可编程选项电路及防止其未编程前的大电流产生的方法 | CN02159645 | 中颖电子(上海)有限公司 | 200000上海市田林路132号 |
| 半导体器件分析系统 | CN02157081 | 三菱电机株式会社 | 日本东京都 |
| 减少内容可寻址存储器中的能量使用的电路和存储器 | CN02828403 | 睦塞德技术公司 | 加拿大安大略省 |
| 具有存储区块搬移功能的储存装置及其方法 | CN02158041 | 捷诚科技股份有限公司 | 台湾省新竹工业园区 |
| 具有软基准层的磁存储器件 | CN02157854 | 惠普公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 磁随机存取存储器及其制造方法 | CN02157557 | 株式会社东芝 | 日本东京都 |
| 磁随机存取存储器及其制造方法 | CN02157547 | 株式会社东芝 | 日本东京都 |
| 磁随机存取存储器及其读出方法、制造方法 | CN02157546 | 株式会社东芝 | 日本东京都 |
| 具有信号延迟控制器的半导体存储器件及其方法 | CN200610009251 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 半导体器件 | CN200610008596 | 株式会社日立制作所;尔必达存储器株式会社 | 日本东京 |
| 施工设备的起动器钥匙和使用同样起动器钥匙的施工设备的维修系统 | CN200510133925 | 沃尔沃建造设备控股（瑞典）有限公司 | 瑞典埃斯基尔斯蒂纳 |
| 非易失性存储器装置及其编程与读取方法 | CN200610004967 | 海力士半导体有限公司 | 韩国京畿道 |
| 一种存储设备的操作方法 | CN200610005264 | 赛芬半导体有限公司 | 以色列内坦亚市 |
| 多模式多级的充电泵 | CN200510083353 | 旺宏电子股份有限公司 | 中国台湾新竹科学工业园区 |
| 闪存单元熔丝电路和熔断闪存单元的方法 | CN200610006048 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 非挥发性存储器单元 | CN200610024110 | 复旦大学 | 200433上海市邯郸路220号 |
| 多次可编程半导体存储设备及其多次编程方法 | CN200510121637 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 半导体存储装置 | CN200510137753 | 冲电气工业株式会社 | 日本东京 |
| 双向移位寄存器 | CN200610002315 | 精工爱普生株式会社 | 日本东京都 |
| 动态移位暂存电路 | CN200610058927 | 友达光电股份有限公司 | 中国台湾新竹市 |
| 可从复用方式切换到非复用方式的半导体存储装置 | CN200510003502 | 株式会社瑞萨科技 | 日本东京都 |
| 存储电路 | CN200610002287 | 松下电器产业株式会社 | 日本大阪府 |
| 利用锁存的数据和行地址扰频把测试数据拓扑写入存储器 | CN200610008998 | 因芬尼昂技术股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 误差校正电路和方法 | CN200610071128 | 英飞凌科技股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 可编程的芯片选择 | CN200480021223 | 英特尔公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 数据比较和写操作时补偿存储器件长的读时间 | CN200480021027 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 荷兰艾恩德霍芬 |
| 用于存储器系统的跟踪单元 | CN200480021210 | 桑迪士克股份有限公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 精确记忆读取操作用的选择电路 | CN200480003827 | 先进微装置公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 用于存储存储单元的故障地址的存储装置和方法 | CN200480021033 | 因芬尼昂技术股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 便于EEROM数据改写或软件升级的SCART接口 | CN200520084373 | 海信集团有限公司;青岛海信电器股份有限公司 | 266071山东省青岛市江西路11号 |
| 显示装置的存储器结构及其写入方法 | CN200510051741 | 奇景光电股份有限公司 | 台湾省台南县 |
| 可分区保护资料的储存装置及其方法 | CN200510051279 | 义隆电子股份有限公司 | 台湾省新竹市 |
| 具有低功率预充电位线的存储器阵列 | CN200510077816 | 旺宏电子股份有限公司 | 中国台湾新竹科学工业园区 |
| 存储器模块的缓冲器组件、存储器模块和存储器系统 | CN200610055087 | 英飞凌科技股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 基于动态随机存取存储器核心的多端口存储器 | CN200610054990 | 富士通株式会社 | 日本神奈川 |
| 存储器地址生成电路和使用该电路的存储控制器 | CN200610004234 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 具有外部磁场产生器的存储器件及其操作和制造方法 | CN200610051485 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 多位磁性存储装置及其制造和操作方法 | CN200610003205 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| DDR2操作模式中附加延迟的高效率寄存器 | CN200510089822 | 茂德科技股份有限公司 | 中国台湾 |
| 半导体存储器件及其操作方法 | CN200610059719 | 恩益禧电子股份有限公司 | 日本神奈川 |
| 在半导体存储器内控制时钟信号的装置与方法 | CN200510084317 | 海力士半导体有限公司 | 韩国京畿道 |
| 多维数组在动态随机存取存储器上的快速读写方法及装置 | CN200510051442 | 中国科学院计算技术研究所 | 100080北京市海淀区中关村科学院南路6号 |
| 非易失性半导体存储装置及其制造方法 | CN200610009499 | 三洋电机株式会社 | 日本大阪府 |
| 晶体管反熔丝器件 | CN200610005460 | 惠普开发有限公司 | 美国德克萨斯州 |
| 高可靠度的位移缓存器电路 | CN200510051187 | 胜华科技股份有限公司 | 台湾省台中县 |
| 用于电阻式存储器的集成电荷检测方案 | CN200480022105 | 微米技术有限公司 | 美国爱达荷州 |
| 跟踪与保持电路 | CN200480022152 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 荷兰艾恩德霍芬 |
| 用于连接一个或多个存储器芯片的集线器模块 | CN200480022193 | 因芬尼昂技术股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 集成存储装置和存储模块 | CN200510023036 | 因芬尼昂技术股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 半导体装置 | CN200510133835 | 三洋电机株式会社 | 日本国大阪府 |
| 存储器程序控制电路 | CN200510134039 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 |
| 记忆胞数组的操作方法、非挥发性内存及其制造方法 | CN200510135171 | 旺宏电子股份有限公司 | 中国台湾 |
| NAND闪存装置及其编程方法 | CN200510135715 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 一种手机游戏中的音频播放方法以及系统 | CN200610072426 | 北京金山软件有限公司 | 100083北京市海淀区北四环中路238号柏彦大厦20层 |
| 半导体存储器件以及其数据读出方法 | CN200610058947 | 株式会社东芝 | 日本东京都 |
| 用于数据位反相的电路单元 | CN200610059466 | 英飞凌科技股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 基于动态随机存取存储器核心的多端口存储器 | CN200610054989 | 富士通株式会社 | 日本神奈川 |
| 半导体装置 | CN200510097060 | 株式会社瑞萨科技 | 日本东京 |
| 电子电路 | CN200510023039 | 因芬尼昂技术股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 半导体存储器和系统装置 | CN200510084170 | 富士通株式会社 | 日本神奈川县 |
| 半导体存储器 | CN200510084281 | 富士通株式会社 | 日本神奈川县 |
| 半导体存储装置 | CN200610059788 | 尔必达存储器股份有限公司 | 日本东京 |
| 用于产生高电压的方法和电路以及相关的半导体存储器件 | CN200510136190 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 适合矩阵转置的DDR存储控制器及矩阵行列访问方法 | CN200510135207 | 中国科学院计算技术研究所 | 100080北京市海淀区中关村科学院南路6号 |
| 存储器输出级电路及存储器数据输出的方法 | CN200510136110 | 威盛电子股份有限公司 | 台湾省台北县 |
| 非易失存储器和其驱动方法 | CN200610059507 | 松下电器产业株式会社 | 日本大阪府 |
| 具有改进预编程序功能的闪存设备和控制其操作的方法 | CN200510091458 | 海力士半导体有限公司 | 韩国京畿道 |
| 多面型闪存以及控制其程序和读取操作的方法 | CN200510091635 | 海力士半导体有限公司 | 韩国京畿道 |
| 具有改进的擦除功能的闪存设备和控制其擦除操作的方法 | CN200510128852 | 海力士半导体有限公司 | 韩国京畿道 |
| 信息存储设备 | CN200510129609 | 株式会社东芝 | 日本东京都 |
| 非易失性存储器的程序验证 | CN200510135399 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 具有减少消耗功率的闪存设备的页面缓冲器电路 | CN200510136224 | 海力士半导体有限公司 | 韩国京畿道 |
| 用于操作非易失性存储器件的页缓冲器的方法 | CN200510136235 | 海力士半导体有限公司 | 韩国京畿道 |
| 非易失性存储器件和用于操作其页缓冲器的方法 | CN200510136236 | 海力士半导体有限公司 | 韩国京畿道 |
