| 名称 |
专利号 |
申请者 |
地址 |
| 一种引导程序存储装置及其保障在线升级的方法 | CN02131441 | 华为技术有限公司 | 518057广东省深圳市科技园科发路华为用服大厦 |
| 高密度存储器读出放大器 | CN02143597 | 惠普公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 基于二极管的复用器 | CN02143600 | 惠普公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 磁阻式存储单元结构及磁阻式随机存取存储器电路 | CN02144371 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 台湾省新竹 |
| 记忆装置 | CN02821188 | 因芬尼昂技术股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 可调节的存储器自定时电路 | CN02820090 | 模拟设备公司 | 美国马萨诸塞州 |
| 大容量快速可电擦写可编程只读存储器系统中的数据处理方法 | CN02144246 | 三星电机株式会社 | 韩国京畿道 |
| 高密度磁随机存取存储器及其操作方法 | CN02145701 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 投币式光盘烧录装置 | CN02252355 | 非凡电子科技股份有限公司 | 台湾省台北市龙江路377巷14-1号一楼 |
| 磁阻式随机存取存储器电路 | CN02144475 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 台湾省新竹 |
| 用于在按内容寻址的存储器中执行可变宽度搜索的电路和方法 | CN02819188 | 睦塞德技术公司 | 加拿大安大略省 |
| 具有降低的写入速度波动的半导体存储器 | CN02143519 | 富士通株式会社 | 日本神奈川 |
| 加密集成电路防电源攻击方法 | CN02129232 | 北京华虹集成电路设计有限责任公司 | 100083北京市海淀区知春路27号量子芯座10层 |
| 位线控制译码器电路，半导体贮存器件及其数据读出方法 | CN02143905 | 夏普公司 | 日本大阪市 |
| 不用基准单元进行数据读出的薄膜磁性体存储器 | CN02142400 | 三菱电机株式会社 | 日本东京都 |
| 具有冗长修复功能的薄膜磁性体存储装置 | CN02143452 | 三菱电机株式会社 | 日本东京都 |
| 快速存储器改写电路及改写方法 | CN02143947 | 株式会社东芝 | 日本东京 |
| 半导体存储器 | CN02143426 | 三菱电机株式会社;三菱电机工程株式会社 | 日本东京都 |
| 具有软基准层的磁阻器件的读取方法 | CN02132344 | 惠普公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 含有嵌入导体的软基准层的磁阻器件 | CN02132342 | 惠普公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 具有软基准层的磁阻器件 | CN02132343 | 惠普公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 提高可伸缩性的磁电阻随机存取存储器 | CN02822806 | 自由度半导体公司 | 美国得克萨斯 |
| 可伸缩MRAM元件的写入 | CN02822705 | 自由度半导体公司 | 美国得克萨斯 |
| 磁阻式随机存取存储单元的编程方法与编程电路 | CN02142894 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 台湾省新竹 |
| 三级内容寻址存储器单元 | CN02823327 | 微米技术有限公司 | 美国爱达荷州 |
| 在多个存储单元间共有存取元件的薄膜磁性体存储器 | CN02142748 | 三菱电机株式会社 | 日本东京都 |
| 带有写禁止选择的磁存储器及其写入方法 | CN02818361 | 国家科研中心 | 法国巴黎 |
| 使用非晶亚铁磁性合金、由自旋极化电流写入的磁存储器、及其写入方法 | CN02818383 | 国家科研中心 | 法国巴黎 |
| 并行写入多位数据的薄膜磁体存储装置 | CN02142810 | 三菱电机株式会社 | 日本东京都 |
| 分段金属位线 | CN02818422 | 圣地斯克公司 | 美国加州 |
| 存储单元的后台操作 | CN02818166 | 圣地斯克公司 | 美国加州 |
| 动态列块选择 | CN02818167 | 圣地斯克公司 | 美国加州 |
| 其上配置磁阻内存胞元之交叉字符及位线之半导体内存 | CN02819981 | 因芬尼昂技术股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 多态非易失性存储系统二进制模式下的选择性运行 | CN02818168 | 圣地斯克公司 | 美国加州 |
| 用于相变存储器的含碳分界表面层 | CN02820018 | 英特尔公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 双位存储器及一双位选择的位线解码设计及电路 | CN02131647 | 哈娄利公司 | 美国纽约州 |
| 具有高精度的数据读出结构的薄膜磁体存储装置 | CN02131598 | 三菱电机株式会社;三菱电机工程株式会社 | 日本东京都 |
| 输出电路 | CN02131590 | 三菱电机株式会社 | 日本东京都 |
| 半导体存储器以及其动作模式的输入方法 | CN02804498 | 恩益禧电子股份有限公司 | 日本神奈川 |
| 多重值闪存的写入与清除方式 | CN02102899 | 旺宏电子股份有限公司 | 台湾省新竹科学工业园区力行路16号 |
| 磁阻性内存之电流源及电流汲极排列 | CN02807174 | 因芬尼昂技术北美公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 磁阻性存储器胞元的写入方法及可由此方法写入的磁阻性存储器 | CN02805110 | 因芬尼昂技术股份公司 | 德国慕尼黑 |
| MRAM位线字符线结构 | CN02804073 | 因芬尼昂技术北美公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 非直角MRAM组件 | CN02804075 | 因芬尼昂技术北美公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 多计数器的构造方法、多计数器及使用其的多队列装置 | CN02100755 | 华为技术有限公司 | 517057广东省深圳市科技园科发路华为用户服务中心大厦知识产权部 |
| MRAM排列 | CN02804176 | 因芬尼昂技术股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 动态地隐藏存储器缺陷的方法及装置 | CN02102496 | 旺宏电子股份有限公司 | 台湾省新竹科学工业园区 |
| 使用一个双端口随机存储器实现两个先进先出队列的方法 | CN02100753 | 华为技术有限公司 | 517057广东省深圳市科技园科发路华为用户服务中心大厦知识产权部 |
| 低功率的锁相感测放大器及将信号锁相感测放大的方法 | CN02102702 | 旺宏电子股份有限公司 | 台湾省新竹市 |
| 半导体记忆装置的选择装置 | CN02803932 | 因芬尼昂技术股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 非易失性磁高速缓冲存储器 | CN02804398 | 摩托罗拉公司 | 美国伊利诺斯 |
| 内容可寻址磁性随机访问存储器 | CN02804400 | 摩托罗拉公司 | 美国伊利诺斯 |
| 磁阻随机存取存储器构架和系统 | CN02804340 | 摩托罗拉公司 | 美国伊利诺斯 |
| 用于激活自动均衡模式的方法和装置 | CN02817627 | 汤姆森特许公司 | 法国布洛涅 |
| 能适应多种封装形式的半导体存储装置 | CN02125147 | 三菱电机株式会社 | 日本东京都 |
| 非易失性存储器和通过附加修改的空存储单元加速测试地址解码器的方法 | CN02812931 | 皇家菲利浦电子有限公司 | 荷兰艾恩德霍芬 |
| 可实现高密度化或高性能化的半导体存储器 | CN02124500 | 三菱电机株式会社 | 日本东京都 |
| 半导体存储器件 | CN02124600 | 株式会社东芝 | 日本东京都 |
| 降低非易失性存储器存储元件间耦合效应的方法 | CN02143467 | 三因迪斯克公司;株式会社东芝 | 美国加利福尼亚州 |
| 一种有效利用现场可编程门阵列中的存储器的方法 | CN02112189 | 深圳市中兴通讯股份有限公司 | 518057广东省深圳市南山区高新技术产业园科技南路中兴通讯大厦法律部 |
| 体现一次性编程(OTP)自对准硅化多熔丝阵列中活动的跟踪与锁存读出放大器(比较器)特征的方法 | CN02812359 | 皇家菲利浦电子有限公司 | 荷兰艾恩德霍芬 |
| 基于边界扫描技术的FLASH器件在板编程方法 | CN02124004 | 华为技术有限公司 | 518057 广东省深圳市科技园科发路华为用服大厦 |
| 具激光指示功能的非挥发性存储装置 | CN02238474 | 铼德科技股份有限公司 | 台湾省新竹县湖口乡新竹工业区光复北路42号 |
| 降低负载值的只读存储器 | CN02123084 | 旺宏电子股份有限公司 | 台湾省新竹 |
| 存储器控制芯片及控制电路 | CN02238705 | 威盛电子股份有限公司 | 中国台湾 |
| NOR结构半导体记忆装置 | CN02123042 | 旺宏电子股份有限公司 | 中国台湾 |
| 开放式位阵列的读出放大器和体系结构 | CN02815599 | 微米技术有限公司 | 美国爱达荷州 |
| 用于存储存储器测试信息的方法和装置 | CN02127244 | 三菱电气株式会社 | 日本兵库县 |
| 分析和修复存储器的方法和装置 | CN02804488 | 三菱电气株式会社 | 日本兵库县 |
| 具有冗余形式地址的高速缓存访问的标记设计 | CN02812089 | 英特尔公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 装有存储器和逻辑芯片的可测试存储器芯片的半导体器件 | CN02122446 | 富士通株式会社 | 日本神奈川县 |
| 快闪存储器的分页缓冲器 | CN02122433 | 力旺电子股份有限公司 | 台湾省新竹市 |
| 带位线预先充电、反转数据写入、保存数据输出的低功耗动态随机存取存储器 | CN02812567 | 模拟装置公司 | 美国马萨诸塞州 |
| 半导体存储器 | CN02121786 | 富士通株式会社 | 日本神奈川 |
| 非易失存储器及其驱动方法 | CN02121631 | 株式会社半导体能源研究所 | 日本神奈川县 |
| 半导体存储器件、其控制方法以及半导体器件的控制方法 | CN02121661 | 富士通株式会社 | 日本神奈川 |
| 减少漏电流对动态电路元素的效应之方法 | CN02120737 | 萧正杰 | 台湾省台北市忠孝东路6段311号12楼 |
| 双存储单元读取和写入技术 | CN02802252 | 三因迪斯克公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 半导体存储器 | CN02811257 | 恩益禧电子股份有限公司 | 日本神奈川 |
| 半导体存储器 | CN02810492 | 恩益禧电子股份有限公司 | 日本神奈川 |
| 一种可重复使用的固态一次性可编程只读存储器 | CN02119804 | 力旺电子股份有限公司 | 台湾省新竹市 |
| 用于测试数据存储器的测试方法 | CN02809846 | 印芬龙科技股份有限公司 | 德国慕尼黑 |
| 具有存储器器件的集成电路及用于测试该集成电路的方法 | CN02828961 | 因芬奈昂技术股份有限公司 | 德国慕尼黑 |
| 磁性储存装置 | CN02810119 | 因芬尼昂技术股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 动态存储器及测试动态存储器之方法 | CN02810578 | 因芬尼昂技术股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 与传播延迟无关的SDRAM数据收集设备和方法 | CN02801833 | 皇家菲利浦电子有限公司 | 荷兰艾恩德霍芬 |
| 具有上电或复位硬件安全特性的安全多熔丝只读存储器及其方法 | CN02801553 | 皇家菲利浦电子有限公司 | 荷兰艾恩德霍芬 |
| 具有自组装聚合物薄膜的内存装置及其制造方法 | CN02811337 | 先进微装置公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 遮幕式只读存储器 | CN02118574 | 旺宏电子股份有限公司 | 台湾省新竹 |
| 半导体存储器的改进结构 | CN02118577 | 华邦电子股份有限公司 | 台湾省新竹 |
| 移位寄存器及使用其的液晶显示器 | CN02806872 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 高速存储系统中同步读出定时的方法 | CN02808632 | 微米技术有限公司 | 美国爱达荷州 |
| 带有测试功能和冗余功能的半导体存储装置 | CN03121694 | 三菱电机株式会社 | 日本东京都 |
| 半导体器件的升压电路 | CN03123101 | 恩益禧电子股份有限公司 | 日本神奈川县川崎市 |
| 差动式只读存储器的预充电及检测电路 | CN03123446 | 联发科技股份有限公司 | 台湾省新竹市新竹科学工业园 |
| 半导体装置和半导体存储装置 | CN03123695 | 株式会社日立制作所 | 日本东京 |
| 半导体存储器件 | CN03130734 | 松下电器产业株式会社 | 日本国大阪府 |
| 高速、低压非易失存储器 | CN03133194 | 爱特梅尔股份有限公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 使用快速存储器单元的熔丝初始化电路 | CN03158759 | 海力士半导体有限公司 | 韩国京畿道 |
