| 名称 |
专利号 |
申请者 |
地址 |
| 存储器设备 | CN200510069790 | 索尼株式会社 | 日本东京都 |
| 适用字符线金属导线技术的平面单元只读存储器 | CN200410069749 | 义隆电子股份有限公司 | 台湾省新竹市 |
| 非易失性存储器件的页面缓冲器及其编程和读取方法 | CN200510003635 | 海力士半导体有限公司 | 韩国京畿道 |
| 半导体装置 | CN200510073910 | 株式会社半导体能源研究所 | 日本神奈川县厚木市 |
| 测试存储器模块和存储器模块的中心单元的方法 | CN200510077886 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 存储器测试电路和存储器测试方法 | CN200510079461 | 株式会社东芝 | 日本东京都 |
| 用于最大化DRAM存储器带宽的方法和系统 | CN03810811 | 英特尔公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 半导体存储器器件及其操作方法 | CN200480001678 | 矽利康创新股份有限公司 | 美国加利福尼亚 |
| 一次可编程存储器件 | CN200380105655 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 荷兰艾恩德霍芬 |
| 录音冰箱贴 | CN200420096552 | 张 悦 | 322000浙江省义乌市江东南路118号4楼 |
| 堆叠式半导体存储器器件 | CN200510081029 | 尔必达存储器股份有限公司 | 日本东京 |
| 一种先入先出存储器及其读写地址的调整方法 | CN200410070881 | 华为技术有限公司 | 518129广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼 |
| 具有追溯回放功能的多媒体录放装置 | CN200410070830 | 英保达股份有限公司 | 台湾省台北市 |
| 以比值为状态导向的存储方式及电路 | CN200510026409 | 复旦大学 | 200433上海市邯郸路220号 |
| 降低功耗的MRAM器件各向异性轴角选择方法和结构 | CN200510079133 | 国际商业机器公司 | 美国纽约 |
| 半导体存储装置 | CN200510083710 | 松下电器产业株式会社 | 日本大阪府 |
| 在存储设备中防止功率噪声的级联唤醒电路 | CN200510081018 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 不同工艺-电压-温度变化下稳定的同步随机存取存储器 | CN200510082155 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 包括存储访问数据的电路的半导体存储器件 | CN200510084662 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 改善闪存于低阶格式化时的效能 | CN200410054442 | 群联电子股份有限公司 | 台湾省新竹县 |
| 移动存储盘 | CN200410069593 | 许虎良 | 314400浙江省海宁市南苑一里2幢501室 |
| 一种防止存储器攻击的隐藏ROM的方法 | CN200510034702 | 北京兆日科技有限责任公司 | 100088北京市海淀区知春路6号锦秋国际大厦B座4层 |
| 非易失半导体存储器及设置该存储器中的替换信息的方法 | CN200510081981 | 恩益禧电子股份有限公司 | 日本神奈川 |
| 电位切换电路、具有电位切换电路的闪速存储器及切换电位的方法 | CN200510084679 | 恩益禧电子股份有限公司 | 日本神奈川县 |
| 片内EE-PROM编程波形发生 | CN200510079572 | 英特赛尔美国股份有限公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 用于在低电源电压下工作的闪存器件的读出电路 | CN200510082113 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 一种闪存存储器的检测方法 | CN200410069098 | 中兴通讯股份有限公司 | 518057广东省深圳市南山区高新技术产业园科技南路中兴通讯大厦A座6层 |
| 软硬件结合的监错和纠错方法 | CN200510026410 | 复旦大学 | 200433上海市邯郸路220号 |
| 用于源同步数据传输的二维数据眼图定心 | CN200380106474 | 英特尔公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 制造用在磁电子器件中的磁通集中系统的方法 | CN200380106467 | 飞思卡尔半导体公司 | 美国得克萨斯 |
| CMIS型半导体非易失存储电路 | CN200380106548 | 恩艾斯克株式会社 | 日本福冈 |
| 可进行音乐播放的运动辅助装置 | CN200410050923 | 乐金电子（惠州）有限公司 | 516000广东省惠州市仲恺高新技术开发区19号 |
| 半导体存储装置和刷新周期控制方法 | CN200510078378 | 尔必达存储器株式会社 | 日本东京 |
| 半导体装置的操作方法以及该半导体装置 | CN200510077971 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 位线感测放大器及具有它的半导体存储器件 | CN200510076919 | 海力士半导体有限公司 | 韩国京畿道 |
| 半导体存储器装置，存取架构以及其操作的方法 | CN200510081552 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 |
| 一种内含压缩和解压缩功能的移动存储装置 | CN200410070655 | 北京九州计算机网络有限公司 | 100080北京市海淀区海淀路52号1605室 |
| 提高闪存盘数据写入速度的方法 | CN200410050952 | 深圳市朗科科技有限公司 | 518057广东省深圳市南山区高新南一道中国科技开发院孵化大楼六楼 |
| 测试半导体存储设备的装置与方法 | CN200410011518 | 海力士半导体有限公司 | 韩国京畿道 |
| 一种扫描闪存盘的闪存芯片的方法 | CN200410071004 | 深圳市朗科科技有限公司 | 518057广东省深圳南山高新区高新南一道中国科技开发院孵化大楼6楼 |
| 具有减小的翻转磁场的磁致电阻随机存取存储器 | CN03814154 | 飞思卡尔半导体公司 | 美国得克萨斯 |
| 磁阻式随机存取存储器技术中改善磁堆栈表面粗糙度的双层化学机械抛光方法 | CN200380102827 | 因芬尼昂技术股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 用于保护一个MRAM装置不受窜改的方法和装置 | CN200380106672 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 荷兰艾恩德霍芬 |
| 抗窜改封装和方法 | CN200380106708 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 荷兰艾恩德霍芬 |
| 抗窜改封装和方法 | CN200380106819 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 荷兰艾恩德霍芬 |
| 光信息存储单元 | CN200380107114 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 荷兰艾恩德霍芬 |
| 先入先出数据缓存的方法及全满空间访问先入先出存储器 | CN200510083155 | 北京中星微电子有限公司 | 100080北京市海淀区学院路35号世宁大厦15层 |
| 读改写并发处理系统及读改写并发处理方法 | CN200410055459 | 华为技术有限公司 | 518129广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼 |
| 动态存储器的刷新端口 | CN200380107694 | 英特尔公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 在存储模块上寻址各存储装置的方法 | CN200380107514 | 英特尔公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 磁阻式存储单元以及磁阻式随机存取存储器电路 | CN200420084310 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 台湾省新竹科学工业园区 |
| 动态移位寄存器 | CN200420072231 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;群创光电股份有限公司 | 518109广东省深圳市宝安区龙华镇油松第十工业区东环二路2号 |
| 将数据写入内存的方法及控制器电路 | CN200510086042 | 英属盖曼群岛商旭上绘图股份有限公司 | 台湾台北市 |
| 磁性隧道结结构、磁性随机存取存储单元、及光掩模 | CN200510081709 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 铁电存储装置及电子设备 | CN200510083161 | 精工爱普生株式会社 | 日本东京 |
| 铁电存储装置及电子设备 | CN200510083162 | 精工爱普生株式会社 | 日本东京 |
| 铁电存储器及其驱动方法 | CN200510084195 | 精工爱普生株式会社 | 日本东京 |
| 控制电压位准的电路、偏压侦测电路以及补偿方法 | CN200510007328 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 |
| 刷新周期产生电路 | CN200510084892 | 尔必达存储器株式会社 | 日本东京 |
| 基于动态随机存取存储器核心的多端口存储器 | CN200510083508 | 富士通株式会社 | 日本神奈川 |
| 半导体存储器件及其阵列内部电源电压产生方法 | CN200510087835 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 同步动态随机存取存储器的数据交换电路与方法 | CN200410055166 | 凌阳科技股份有限公司 | 中国台湾 |
| 相变存储器和使用连续复位控制编程相变存储器的方法 | CN200510077929 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 用于存储器件的隔离控制电路和方法 | CN200510081939 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 修改存储器设备操作特征的方法及相关设备与系统 | CN200510083770 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 相变存储单元阵列写电流的对称位线补偿方法 | CN200510026502 | 复旦大学 | 200433上海市邯郸路220号 |
| 具有快速分页模式确认的集成电路 | CN200510077895 | 旺宏电子股份有限公司 | 台湾新竹科学工业园区 |
| 带可编程部分的掩模可编程逻辑器件 | CN200510087460 | 阿尔特拉公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 改进负偏压分配的浮置栅极非易失性存储器结构 | CN200510084539 | 恩益禧电子股份有限公司 | 日本神奈川县 |
| 使用非挥发性记忆体的方法及其电子装置 | CN200410055165 | 凌阳科技股份有限公司 | 中国台湾 |
| 平面胞元只读存储器 | CN200410058340 | 义隆电子股份有限公司 | 台湾省新竹市 |
| 具有接地写位线和电隔离读位线的MRAM体系结构 | CN200480002158 | 飞思卡尔半导体公司 | 美国得克萨斯州 |
| 使用铁磁隧道结器件的磁存储装置 | CN03810717 | 索尼株式会社 | 日本东京都 |
| 用于具有存储器阵列的集成电路的刷新控制电路 | CN03825094 | 印芬龙科技股份有限公司 | 德国慕尼黑 |
| 存储器接口和数据处理系统 | CN200510071782 | 松下电器产业株式会社 | 日本大阪府 |
| 浮动栅模拟电压反馈电路 | CN200480002449 | 爱克舍股份有限公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 用于内容可寻址存储器内的宽字删除的方法和设备 | CN200380108681 | 莫塞德技术公司 | 加拿大安大略省 |
| 用于配置现场可编程门阵列的可编程互连单元 | CN200380108799 | 阿克泰尔有限公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 利用磁性写线的MRAM的存储器 | CN200380105441 | 磁旋科技公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 耳机式播放装置 | CN200420074135 | 叶明祥 | 台湾省台北市 |
| 以部分空乏与完全空乏晶体管建构的静态存储元件 | CN200420084997 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 台湾省新竹科学工业园区 |
| 存储器阵列的逻辑结构 | CN200510088443 | 惠普开发有限公司 | 美国德克萨斯州 |
| 选择性地提供可变写入延迟的集成电路装置以及其方法 | CN200510056834 | 茂德科技股份有限公司 | 中国台湾 |
| 异步数据时钟域转换的系统 | CN200410076731 | 华为技术有限公司 | 518129广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼 |
| 多色调声讯播放方法及装置 | CN200410075051 | 鼎威研发股份有限公司 | 台湾省新竹市科学园区展业一路1号4楼 |
| 半导体集成电路器件 | CN200510087600 | 株式会社瑞萨科技 | 日本东京都 |
| 多端口存储器 | CN200510087189 | 松下电器产业株式会社 | 日本大阪 |
| 半导体存储装置的数据写入电路以及数据写入方法 | CN200510074230 | 冲电气工业株式会社 | 日本东京 |
| 非易失性存储装置 | CN200510087689 | 株式会社瑞萨科技 | 日本东京 |
| 非易失性半导体存储装置及读出方法 | CN200510087650 | 夏普株式会社 | 日本大阪市 |
| 非挥发性记忆体的资料更新方法 | CN200410057382 | 旺玖科技股份有限公司 | 中国台湾 |
| 非易失性存储器的试验方法 | CN200510063736 | 冲电气工业株式会社 | 日本东京港区 |
| 用于磁性存储单元的硬件安全装置 | CN200380107144 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 荷兰艾恩德霍芬 |
| 源极偏置的存储器单元阵列 | CN200380109193 | 模拟设备股份有限公司 | 美国马萨诸塞州 |
| 有机存储单元及其驱动电路 | CN200480002765 | 波尔伊克两合公司 | 德国埃朗根 |
| 多跳脱点熔丝闩锁装置及方法 | CN200480002583 | 因芬尼昂技术股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 利用非周期性时钟的存储器模块和单元与集线器及其方法 | CN200510081930 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 在半导体器件中使用的中点电势生成电路 | CN200510053842 | 富士通株式会社 | 日本神奈川县 |
| 具有支持多存储块的列冗余电路的半导体存储设备 | CN200510084910 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
