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分 类 >> G:物理 >> 静态存贮器
名称 专利号 申请者 地址
闪存装置及其闪存单元的擦除方法 CN200510005771海力士半导体有限公司韩国京畿道 
用于低功耗和高选择性的MRAM结构 CN200480003168皇家飞利浦电子股份有限公司荷兰艾恩德霍芬 
旋转检测磁性存储器 CN200380109262地中海大学法国马赛 
信息存储装置 CN200480003374松下电器产业株式会社日本大阪府 
用于非易失性存储器的错误恢复 CN200380109295桑迪士克股份有限公司美国加利福尼亚州 
对非易失性存储器中缺陷的区界调整 CN200380109302桑迪士克股份有限公司美国加利福尼亚州 
用以读取与非易失性存储单元阵列的无源区域相邻的非易失性存储单元的改进方法 CN200480003139先进微装置公司美国加利福尼亚州 
移位寄存系统和显示装置驱动电路 CN200420102010鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;群创光电股份有限公司518109广东省深圳市宝安区龙华镇油松第十工业区东环二路2号 
非挥发性半导体存储器件 CN200510005865富士通株式会社日本神奈川 
用于读出放大器的半导体存储装置和激活信号产生方法 CN200510008490富士通株式会社日本神奈川县 
用于减小泄漏电流的存储器装置 CN200510087900海力士半导体有限公司韩国京畿道 
采用控制电流方法的相变存储元件驱动电路及其控制方法 CN200510089639三星电子株式会社韩国京畿道 
磁膜结构及其制造方法、半导体器件及其运行方法 CN200510087878三星电子株式会社韩国京畿道 
操作自旋注入操作磁随机存取存储器件的方法及相关器件 CN200510091996三星电子株式会社韩国京畿道 
铁电存储器 CN200510089804精工爱普生株式会社日本东京 
半导体存储器件 CN200510088281松下电器产业株式会社日本大阪府 
半导体存储器及检测其位线的方法 CN200510089338三星电子株式会社韩国京畿道 
半导体存储装置及其测试方法 CN200510089380恩益禧电子股份有限公司日本神奈川 
用于生成参考电压的方法和电路 CN200510091765三星电子株式会社韩国京畿道 
具有带有开/关控制的局部读出放大器的半导体存储器件 CN200510091014三星电子株式会社韩国京畿道 
驱动集成电路存储器的位线的电路和方法 CN200510083345三星电子株式会社韩国京畿道 
非易失性存储装置以及非易失性存储装置的数据写入方法 CN200510088880精工爱普生株式会社日本东京 
电荷陷入非挥发性记忆体的感测装置与方法 CN200510051182旺宏电子股份有限公司中国台湾 
半导体电路装置及测试半导体装置系统 CN200510089570因芬尼昂技术股份公司德国慕尼黑 
具有低功率、高写反应时间模式和高功率、低写反应时间模式和/或可独立选择的写反应时间的存储器件和方法 CN200380109680米克伦技术公司美国爱达荷 
磁存储器件及其操作和制造方法 CN200510092762三星电子株式会社韩国京畿道 
半导体存储器件 CN200510091698株式会社东芝日本东京 
非整数位系统 CN200510059914张国飙610051四川省成都市跳蹬河邮局001信箱 
混合型非整数位系统 CN200510059916张国飙610051四川省成都市跳蹬河邮局001信箱 
使用位专用参考电平来读存储器 CN200610071852奥沃尼克斯股份有限公司美国密执安州 
读相变存储器 CN200610071855奥沃尼克斯股份有限公司美国密执安州 
具有阈值电压控制功能的非易失性存储器 CN200610071668松下电器产业株式会社日本大阪府 
闪存设备的页缓冲器电路及其控制读操作的方法 CN200510136299海力士半导体有限公司韩国京畿道 
具有改进程序运作性能的闪存装置的页缓冲器及控制方法 CN200610071821海力士半导体有限公司韩国京畿道 
非易失性半导体存储器 CN200610073851恩益禧电子股份有限公司日本神奈川 
闪存装置的页面缓冲器电路 CN200610006389海力士半导体有限公司韩国京畿道 
组合静态随机存取存储器和掩模只读存储器存储单元 CN200610076750连邦科技股份有限公司中国台湾新竹县 
移位寄存器电路及具备它的图像显示装置 CN200610004613三菱电机株式会社日本东京都 
用于校准磁随机存取存储器的电流检测放大器的方法 CN200610003674国际商业机器公司美国纽约 
具有缩小尺寸的半导体存储器装置的修复控制电路 CN200610071515海力士半导体有限公司韩国京畿道 
MRAM单元的加速寿命试验 CN200480024432飞思卡尔半导体公司美国得克萨斯 
用于控制磁存储器中写电流的方法和系统 CN200480024496惠普开发有限公司美国德克萨斯州 
向多态磁随机访问存储器单元进行写入的方法 CN200480024513飞思卡尔半导体公司美国得克萨斯 
利用自旋转换切换并存储多个位的磁性存储元件 CN200480024649格蓝迪斯公司美国加利福尼亚州 
半导体存储器件和用于运行半导体存储器件的方法 CN200480024821英飞凌科技股份公司德国慕尼黑 
EEPROM体系结构和编程协议 CN200480024501爱特梅尔股份有限公司美国加利福尼亚州 
半导体存储器和调整时钟信号与选通信号间相位关系的方法 CN200610077778英飞凌科技股份公司德国慕尼黑 
磁性随机处理存储器装置 CN200510109273台湾积体电路制造股份有限公司台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 
磁性随机处理存储器装置 CN200510132624台湾积体电路制造股份有限公司台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 
高速流水线中长延时多端口SRAM的快速访问方法 CN200610031667中国人民解放军国防科学技术大学410073湖南省长沙市砚瓦池正街47号 
高效能存储器及相关方法 CN200610081730威盛电子股份有限公司中国台湾台北县 
随机存储器失效的检测处理方法及其系统 CN200610001749华为技术有限公司518129广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼 
一种闪烁存储器数据存取方法 CN200610083657北京中星微电子有限公司100083北京市海淀区学院路35号世宁大厦15层 
用于隐式DRAM预充电的方法和装置 CN200480027150英特尔公司美国加利福尼亚州 
检测过度编程的存储器 CN200480026443桑迪士克股份有限公司美国加利福尼亚州 
在编程相邻存储单元后对过度编程的存储单元的检测 CN200480026442桑迪士克股份有限公司美国加利福尼亚州 
识别具有较差的亚阈斜率或较弱的跨导的非易失存储器元件的方法 CN200480026763桑迪士克股份有限公司;株式会社东芝美国加利福尼亚州 
用于多列双列直插式存储模块(DIMM)的存储列解码器 CN200510138079因芬尼昂技术股份公司德国慕尼黑 
存储器系统 CN200610079946美国博通公司美国加州 
半导体存储器装置 CN200610002104海力士半导体有限公司韩国京畿道 
具有音乐播放功能的移动通信终端及其选曲方法 CN200610001404乐金电子(中国)研究开发中心有限公司100022北京市朝阳区建国门外大街乙12号双子座大厦西塔18层 
禁用电路环路的时钟数据恢复电路 CN200610084015英飞凌科技股份公司德国慕尼黑 
磁性存储单元的阵列和辨别磁性存储单元逻辑状态的方法 CN200510126142台湾积体电路制造股份有限公司台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 
包括失效单元校正电路的非易失性铁电存储器装置 CN200610005871海力士半导体有限公司韩国京畿道 
内部电压发生器 CN200610002107海力士半导体有限公司韩国京畿道 
包含选择线的选择激活的随机存取存储器 CN200610084183英飞凌科技股份公司德国慕尼黑 
半导体存储器装置中的冗余电路 CN200510085105海力士半导体有限公司韩国京畿道 
在随机存取存储器中实现备用模式的方法和设备 CN200610077451英飞凌科技股份公司德国慕尼黑 
用于DRAM器件的数据选通同步 CN200610079424英飞凌科技股份公司德国慕尼黑 
存储器阵列电路 CN200610006832冲电气工业株式会社日本东京港区 
支持虚拟页存储的非易失性存储器件及其编程方法 CN200610059513三星电子株式会社韩国京畿道 
存储器模块及操作存储器模块的方法 CN200610077697英飞凌科技弗拉斯有限责任两合公司德国德雷斯登 
非易失性半导体存储器及其控制方法 CN200610077141恩益禧电子股份有限公司日本神奈川 
多位虚假接地与非存储装置 CN200610077834英飞凌科技股份公司德国慕尼黑 
具有虚拟接地阵列之存储器及改良读取边际损失之方法 CN200510115153旺宏电子股份有限公司台湾省新竹县新竹科学工业园区力行路16号 
非易失性存储装置的编程校验方法 CN200610082051海力士半导体有限公司韩国京畿道 
非易失性存储装置 CN200610065196株式会社瑞萨科技日本东京都 
移位寄存器,显示器件和电子设备 CN200610075202株式会社半导体能源研究所日本神奈川县 
用于自动提供集成存储器电路中熔丝元件的修复位置数据的方法 CN200610084019英飞凌科技股份公司德国慕尼黑 
通过重复数据的使用而提高熔丝编程产率的方法和装置 CN200610077729国际商业机器公司美国纽约阿芒克 
面积有效的电荷泵 CN200480027889桑迪士克股份有限公司美国加利福尼亚州 
同步的RAM存储电路 CN200480027947英飞凌科技股份公司德国慕尼黑 
具有分段磁性写入线的MRAM阵列 CN200480027328磁旋科技公司美国加利福尼亚州 
有选择的存储体刷新 CN200480024036因芬尼昂技术股份公司德国慕尼黑 
温度传感器线路 CN200480027327英飞凌科技股份公司德国慕尼黑 
使用多进制存储器中的一些存储块作为二进制存储块的非易失性半导体存储器件 CN200480027371株式会社东芝;三因迪斯克公司日本东京都 
非易失性存储器中的擦除禁止 CN200480027680桑迪士克股份有限公司美国加利福尼亚州 
对每个存储块具有保护功能的非易失性半导体存储器件 CN200480027761株式会社东芝;三因迪斯克公司日本东京都 
存储装置 CN200480027844夏普株式会社日本大阪市 
带有自配合主机连接器的数据存储介质 CN200610073876伊美申公司美国明尼苏达州 
具有音乐播放模块的汽车后视镜 CN200510070158同致电子企业股份有限公司台湾省桃园县 
异步时钟域转换时地址调整的系统及其方法 CN200510110895上海华为技术有限公司200121上海市浦东新区宁桥路615号 
一种寄存器访问装置及方法 CN200510097470华为技术有限公司518129广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼 
一种延长非易失存储器寿命的计数方法和装置 CN200610008353华为技术有限公司518129广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼 
信号处理电路与方法以及存储装置系统 CN200510135466联发科技股份有限公司台湾省新竹科学工业园区 
具有一致编程速度的非易失性存储设备 CN200610009245海力士半导体有限公司韩国京畿道 
具有后同步码数据选通信号噪声抑制的随机存取存储器 CN200480028199英飞凌科技股份公司德国慕尼黑 
改善了预充电的电子元件 CN200610073395英飞凌科技股份公司德国慕尼黑 
用于使信号与时钟信号同步的集成半导体存储设备 CN200610077839英飞凌科技股份公司德国慕尼黑