| 名称 |
专利号 |
申请者 |
地址 |
| 在存储阵列中使用互补位的设备与方法 | CN02810036 | 微米技术股份有限公司 | 美国爱达荷州 |
| 快闪存储器参考单元电流位阶的调整电路及方法 | CN02106284 | 旺宏电子股份有限公司 | 台湾省新竹科学工业园区 |
| 快速判别字元线的缺陷型态的方法 | CN02106278 | 南亚科技股份有限公司 | 台湾省桃园县 |
| 利用连续数据变化检测存储器的方法 | CN02106192 | 华邦电子股份有限公司 | 台湾省新竹 |
| 操作MRAM半导体内存排列之方法 | CN02808063 | 因芬尼昂技术股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 闪存阵列擦除后的调整装置及方法 | CN02108457 | 旺宏电子股份有限公司 | 台湾省新竹市 |
| 随机存取存储装置及其驱动方法 | CN02108405 | 旺宏电子股份有限公司 | 台湾省新竹科学工业园区 |
| 对大电容性负载上的模拟电压实现快速切换的系统和方法 | CN02801035 | 三因迪斯克公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 非易失性存储器中的导引门和位线分隔 | CN02802264 | 三因迪斯克公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 提供低温度系数电压参考的EEPROM电路、电压参考电路和方法 | CN02802179 | 摩托罗拉公司 | 美国伊利诺斯州 |
| 供多阶快闪存储器用的快速低电压电流模式识别电路 | CN02108178 | 华邦电子股份有限公司 | 台湾省新竹 |
| 非挥发性存储器的测试方法 | CN02108167 | 华邦电子股份有限公司 | 台湾省新竹 |
| 半导体存储器 | CN02807916 | 恩益禧电子股份有限公司 | 日本神奈川 |
| 预防快闪存储器栅极接面崩溃耦合电路及存储器电路 | CN02108103 | 华邦电子股份有限公司 | 台湾省新竹 |
| 具有高速页面模式操作的非易失性存储装置 | CN02811375 | 积忆科技股份有限公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 高性能半导体存储设备 | CN02104498 | 萧正杰 | 中国台湾 |
| 用以在写入存储器阵列时偏压选择和未选择阵列线的方法与装置 | CN02809659 | 矩阵半导体股份有限公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 无体效应影响的电压提升电路 | CN02107347 | 力旺电子股份有限公司 | 台湾省新竹市 |
| 使用电源电压检测以补偿读出模式电压的电源电压变动的电压升高电路 | CN02814417 | 飞索股份有限公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 半导体记忆装置之感测放大器排列 | CN02806541 | 因芬尼昂技术股份公司 | 德国幕尼黑 |
| 用于读取数据的系统延迟均衡法 | CN02809648 | 微米技术有限公司 | 美国爱达荷州 |
| 用于测试和修复的电路和方法 | CN02809883 | 微米技术有限公司 | 美国爱达荷州 |
| 多比特预取输出数据通路 | CN02809748 | 微米技术有限公司 | 美国爱达荷州 |
| 存储单元结构测试 | CN02810647 | 英特尔公司 | 美国加利福尼亚州 |
| DRAM及访问方法 | CN02807466 | 国际商业机器公司 | 美国纽约 |
| DRAM及DRAM的刷新方法 | CN02805931 | 国际商业机器公司 | 美国纽约 |
| 具有加倍数据传输速率的半导体存储器操作方法 | CN02807876 | 因芬尼昂技术股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 改进编程的非易失性存储器及为此的方法 | CN02800792 | 三因迪斯克公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 半导体集成电路 | CN02827348 | 株式会社瑞萨科技;日立超大规模集成电路系统株式会社 | 日本东京 |
| 用于跨边界存储器访问的方法及装置 | CN02808743 | 英特尔公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 擦除后自动编程扰乱(APDE)期间提高效率的快闪存储装置 | CN02810072 | 先进微装置公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 非破坏性读出 | CN02805531 | 薄膜电子有限公司 | 挪威奥斯陆 |
| 可编程熔丝和反熔丝及其方法 | CN02804908 | 微米技术有限公司 | 美国爱达荷州 |
| 用于存储器贮存单元泄漏抵消方案的设备和方法 | CN02810705 | 英特尔公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 快闪存储器的数据擦除方法 | CN02105008 | 旺宏电子股份有限公司 | 台湾省新竹市 |
| 具有隐藏式更新内存功能的1-T内存结构及其操作方法 | CN02105022 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 台湾省新竹 |
| 低功率消耗的快闪存储器的传感电路 | CN02104657 | 力旺电子股份有限公司 | 台湾省新竹市 |
| 在内存中存放校验码的方法及装置 | CN02134685 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 | 518109广东省深圳市宝安区龙华镇油松第十工业区东环二路2号 |
| 存储器 | CN200410095088 | 尔必达存储器股份有限公司 | 日本东京都 |
| 多重位闪存的参考电流产生电路 | CN02142192 | 旺宏电子股份有限公司 | 台湾省新竹科学工业园区力行路16号 |
| 用于使电阻性阵列中信噪比最大化的方法和结构 | CN02141490 | 惠普公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 具有冗余结构的薄膜磁性体存储装置 | CN02142290 | 三菱电机株式会社 | 日本东京都 |
| 用于使用快速突发模式以改善处理器性能的方法和装置 | CN02816928 | 模拟设备公司 | 美国马萨诸塞州 |
| 多重位闪存的参考电流产生电路 | CN02142263 | 旺宏电子股份有限公司 | 台湾省新竹科学工业园区力行路16号 |
| 多重位闪存的参考电流产生电路 | CN02142262 | 旺宏电子股份有限公司 | 台湾省新竹科学工业园区力行路16号 |
| 通过双向数据写入磁场实施数据写入的薄膜磁体存储装置 | CN02142125 | 三菱电机株式会社 | 日本东京都 |
| 根据存取时的存储单元通过电流来读出数据的半导体存储器 | CN02142120 | 三菱电机株式会社 | 日本东京都 |
| 非易失性存储装置 | CN02817262 | 薄膜电子有限公司 | 挪威奥斯陆 |
| 非易失性存储器 | CN02141863 | 力旺电子股份有限公司 | 台湾省新竹市 |
| 磁阻记忆胞元储存层中磁偏场之补偿 | CN02817128 | 因芬尼昂技术股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 存储器存取方法 | CN02142221 | 联发科技股份有限公司 | 台湾省新竹市新竹科学工业园 |
| 存储控制器的读写切换方法 | CN200310124826 | 英特尔公司 | 美国加利福尼亚 |
| 用于存储器单元中的自举式高压开关电路 | CN200320123060 | 上海贝岭股份有限公司 | 200233 上海市宜山路810号 |
| 利用磁阻效应存储信息的磁随机存取存储器 | CN200310124315 | 株式会社东芝 | 日本东京都 |
| 非易失性半导体存储器件 | CN200310123556 | 株式会社瑞萨科技 | 日本东京都 |
| 半导体存储单元 | CN200310125193 | 精工电子有限公司 | 日本千叶县千叶市 |
| 一种EEPROM在板编程方法 | CN200310121798 | 华为技术有限公司 | 518129广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼 |
| 一种电可擦写存储器编程电路 | CN200310122657 | 上海贝岭股份有限公司 | 200233上海市宜山路810号 |
| 低工作电压驱动的电荷泵电路 | CN200310122664 | 上海贝岭股份有限公司 | 200233上海市宜山路810号 |
| 低电压读出放大器装置 | CN200310123269 | 印芬龙科技股份有限公司 | 联邦德国慕尼黑 |
| 半导体存储器件 | CN200310123189 | 株式会社瑞萨科技 | 日本东京 |
| 用于产生存储器件中的读出放大器所需的驱动电压的装置 | CN200310123284 | 海力士半导体有限公司 | 韩国京畿道 |
| 磁性随机存取存储器的铁磁共振切换 | CN200310121570 | 国际商业机器公司 | 美国纽约 |
| 半导体存储装置及其控制方法 | CN200310113130 | 恩益禧电子股份有限公司 | 日本神奈川县 |
| 具有测试装置的存储模块 | CN200310113107 | 因芬尼昂技术股份公司 | 联邦德国慕尼黑 |
| 半导体储存装置的驱动器装置及操作驱动器装置的方法 | CN200310113106 | 因芬尼昂技术股份公司 | 联邦德国慕尼黑 |
| 半导体存储装置及半导体集成电路装置 | CN200310123125 | 松下电器产业株式会社 | 日本大阪府 |
| 一种可实现同步双口SRAM功能的同步单口SRAM | CN200320129405 | 北京中星微电子有限公司 | 100083 北京市海淀区学院路35号世宁大厦15层 |
| 具有延迟自动预充电功能的半导体存储器件及其相关方法 | CN200310122356 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 具有多位控制功能的非易失性铁电存储器件 | CN200310122271 | 海力士半导体有限公司 | 韩国京畿道 |
| 一种可实现同步双口SRAM功能的同步单口SRAM及其实现方法 | CN200310118493 | 北京中星微电子有限公司 | 100083北京市海淀区学院路35号世宁大厦15层 |
| 磁性传感器 | CN200310123920 | 惠普开发有限公司 | 美国德克萨斯州 |
| 四导线磁随机存取存储器单元的系统和方法及解码方案 | CN200310123921 | 惠普开发有限公司 | 美国德克萨斯州 |
| 半导体存储器件 | CN200310123313 | 松下电器产业株式会社 | 日本大阪府 |
| 存取器导体磁随机存取存储器的系统和方法 | CN200310123101 | 惠普开发有限公司 | 美国德克萨斯州 |
| 改变移动存储设备功能或状态的方法 | CN200310117457 | 深圳市朗科科技有限公司 | 518057广东省深圳市南山区高新南一道中国科技开发院孵化大楼六楼 |
| 半导体集成电路装置 | CN200310123377 | 株式会社瑞萨科技 | 日本东京都 |
| 多媒体音箱 | CN200320119453 | 邵小兵 | 523560 广东省东莞市常平镇广裕中心 |
| 半导体存储器 | CN200310123704 | 松下电器产业株式会社 | 日本大阪府 |
| 电压产生电路 | CN200310109770 | 松下电器产业株式会社 | 日本大阪府 |
| 高速磁存储器的体系结构 | CN200310118598 | 国际商业机器公司;英芬能技术北美公司 | 美国纽约 |
| 具有开关保护的U盘存储器 | CN200320115330 | 甘国工;刘学明 | 610041 四川省成都市高新区创业路8号国家信息安全成果产业化基地专业孵化器4F |
| 半导体存储装置 | CN200310120413 | 松下电器产业株式会社 | 日本大阪府 |
| 用于非挥发性存储器电路的电荷泵 | CN200310109229 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 201206上海市浦东川桥路1188号 |
| 半导体装置 | CN200310122583 | 松下电器产业株式会社 | 日本国大阪府门真市 |
| 可降低数据保持方式中电流消耗的半导体存储装置 | CN200310122536 | 株式会社瑞萨科技 | 日本东京都 |
| 具有不平行的主磁阻和参考磁阻的磁随机存取存储器器件 | CN200310120433 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 同步半导体存储器件及在其中产生输出控制信号的方法 | CN200310120196 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| P沟道电可擦可编程只读存储器的编程方法 | CN200310117230 | 联华电子股份有限公司 | 台湾省新竹市 |
| 含有输入/输出线对和预充电电路的集成电路器件 | CN200310120311 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 电视机数据存储方法 | CN200310111160 | 深圳创维-RGB电子有限公司 | 518106广东省深圳市八封岭工业区425栋 |
| 伪静态随机存取存储器及其数据刷新方法 | CN200310119790 | 晶豪科技股份有限公司 | 台湾省新竹市 |
| 半导体存储装置及存储单元的存储数据修正方法 | CN200310120107 | 夏普株式会社 | 日本大阪府 |
| 非易失性半导体存储装置 | CN200310120108 | 夏普株式会社 | 日本大阪府 |
| 半导体存储装置及存储单元阵列的擦除方法 | CN200310120109 | 夏普株式会社 | 日本大阪府 |
| 非易失性存储单元及非易失性半导体存储装置 | CN200310120110 | 夏普株式会社 | 日本大阪府 |
| 掩埋磁隧道结存储器单元和方法 | CN200310120126 | 惠普开发有限公司 | 美国德克萨斯州 |
| 内建输入/输出功能的USB储存盘 | CN200310119894 | 希旺科技股份有限公司 | 台湾省新竹市东光路57号B1 |
| 半导体存储装置和存储单元的写入以及擦除方法 | CN200310119596 | 夏普株式会社 | 日本大阪府 |
