| 名称 |
专利号 |
申请者 |
地址 |
| 半导体存储装置 | CN02140267 | 松下电器产业株式会社 | 日本大阪府 |
| 时钟同步型半导体存储器 | CN02119179 | 三菱电机株式会社 | 日本东京都 |
| 非易失性存储器 | CN02122440 | 惠普公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 用于运行中固定的软参考层的包围层读－写导体 | CN02103336 | 惠普公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 非易失性半导体存储器件 | CN02122195 | 精工爱普生株式会社 | 日本东京都 |
| 用熔丝/抗熔丝和垂直取向熔丝的单位存储单元的一次可编程存储器 | CN02128646 | 惠普公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 具有动态老化测试功能的单片机及其动态老化测试方法 | CN02118613 | 日本电气株式会社 | 日本东京 |
| 减少了刷新工作时的功耗的半导体存储器 | CN02104679 | 三菱电机株式会社 | 日本东京都 |
| 半导体存储器 | CN02121632 | 精工电子有限公司 | 日本千叶县 |
| 移位寄存器装置及显示装置 | CN03123606 | 阿尔卑斯电气株式会社 | 日本东京都 |
| 更新非易失性内存的方法与系统 | CN03124036 | 旺宏电子股份有限公司 | 台湾省新竹科学工业园区力行路16号 |
| 用于基于二极管的固态存储器的可编程地址逻辑 | CN02126957 | 惠普公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 半导体存储器件的功率控制方法及半导体存储器件 | CN02132186 | 尔必达存储器股份有限公司;日立超大规模集成电路系统株式会社;株式会社日立制作所;;株式会社日立制作所 | 日本东京 |
| 半导体存储器及其老化筛选方法 | CN02124364 | 精工爱普生株式会社 | 日本国东京都 |
| 磁存储装置 | CN02127756 | 株式会社东芝 | 日本东京都 |
| 半导体存储器中的自动预充电控制电路及其方法 | CN03104482 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 磁阻元件、使用其的存储器元件以及相关记录/再现方法 | CN02120600 | 佳能株式会社 | 日本东京 |
| USB便携式快闪存储器 | CN02225465 | 深圳市商立科技有限公司 | 518040广东省深圳市福田区天安创新科技广场A座1206室 |
| 寻址和读出一个交叉点二极管存储器阵列 | CN02122447 | 惠普公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 低电电压控制方法和装置 | CN02116186 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 具有可调整转换速率的数据输出电路的半导体装置 | CN02119978 | 三菱电机株式会社 | 日本东京都 |
| 动态随机存取存储器存储芯片的测试方法及电路 | CN200410034331 | 因芬尼昂技术股份公司 | 联邦德国慕尼黑 |
| 用于存储设备的读出放大器 | CN02105066 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 可调节电流模式微分放大器 | CN03123820 | 惠普开发有限公司 | 美国德克萨斯州 |
| 具有磁性隧道接合部的薄膜磁体存储装置 | CN02119916 | 三菱电机株式会社 | 日本东京都 |
| 磁存储器的导体结构 | CN03122470 | 惠普公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 半导体存储装置 | CN02119358 | 三菱电机株式会社 | 日本东京都 |
| 可削减输入输出端子的半导体存储器 | CN03131253 | 三菱电机株式会社 | 日本东京都 |
| 半导体存储器及其数据读出方法 | CN02130381 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 静态随机存取器 | CN02125170 | 松下电器产业株式会社 | 日本大阪府 |
| 低功率MRAM存储器阵列 | CN02121618 | 惠普公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 校准方法和存储系统 | CN02142572 | 尔必达存储器股份有限公司 | 日本东京都 |
| 选择性存储器刷新电路与刷新方法 | CN02140901 | 联华电子股份有限公司 | 台湾省新竹科学工业园区 |
| 多口存储单元结构 | CN02100770 | 萧正杰 | 台湾省台北市忠孝东路6段311号12楼 |
| 具备磁隧道结的薄膜磁性体存储器 | CN03130943 | 三菱电机株式会社 | 日本东京都 |
| 具有脉冲串读出操作模式的闪速存储器装置 | CN200410047758 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 为优化测试技术和冗余技术而形成的半导体存储器件 | CN02101900 | 株式会社东芝 | 日本东京都 |
| 内容寻址存储器单元 | CN02106207 | 睦塞德技术公司 | 加拿大安大略省 |
| 半导体电路器件 | CN03136402 | 三菱电机株式会社 | 日本东京都 |
| 管理闪存中的不良存储块的装置和方法 | CN200410043064 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 具有在行中连接不同阳极线的存储单元的铁电存储器件 | CN02101512 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 减少与便携低廉及耐振存储模块的互连数量的方法 | CN02140563 | 惠普公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 磁阻随机存取存储器及其制造方法 | CN03104485 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 单个单元可程序切换器 | CN02122107 | 旺宏电子股份有限公司 | 台湾省新竹科学工业园区力行路16号 |
| 一种能够在常规方式和低耗电流方式之间转换的升压电路 | CN02126575 | 尔必达存储器株式会社 | 日本东京 |
| 可延长更新周期的动态随机存取存储器电路 | CN02126998 | 联华电子股份有限公司 | 台湾省新竹市 |
| 一种用于非挥发性存储器的平衡对称式读出放大电路 | CN03116628 | 芯成半导体(上海)有限公司 | 201203上海市张江高科技园区春晓路439号5号楼、14号楼 |
| 半导体存储器件 | CN02141617 | 株式会社东芝 | 日本东京 |
| 多位磁存储单元 | CN02128645 | 惠普公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 提高了可冗余补救的概率的非易失性半导体存储器 | CN03124142 | 三菱电机株式会社 | 日本东京都 |
| 可兼顾两种列地址选通等待时间的工作的半导体存储器 | CN02105588 | 三菱电机株式会社 | 日本东京都 |
| 存储电路 | CN02127279 | 三菱电机株式会社 | 日本东京都 |
| 半导体存储器装置及信息处理系统 | CN02102432 | 富士通株式会社 | 日本神奈川 |
| 具有板线控制电路的铁电存储器件及其操作方法 | CN03142924 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 可进行稳定的数据读出和数据写入的薄膜磁性体存储器 | CN02105717 | 三菱电机株式会社 | 日本东京都 |
| 具有短读出时间的存储设备 | CN02126952 | 惠普公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 存储器电路及其输出缓冲器 | CN02127452 | 联华电子股份有限公司 | 台湾省新竹市 |
| 控制电路和半导体存储器装置 | CN02103119 | 富士通株式会社 | 日本神奈川 |
| 一写多读存储器件的写脉冲限制 | CN02127285 | 惠普公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 具有串接二极管的等电压感知式磁性随机访问存储器（MRAM） | CN03136868 | 惠普公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 需要刷新工作的半导体存储器 | CN03101780 | 三菱电机株式会社 | 日本东京都 |
| 存储器设备与存储器系统 | CN02142065 | 尔必达存储器股份有限公司 | 日本东京都 |
| 非易失性半导体存储装置的编程方法 | CN02119173 | 精工爱普生株式会社;哈罗LSI设计及装置技术公司 | 日本东京都 |
| 非易失性半导体存储装置 | CN02127199 | 株式会社东芝 | 日本东京都 |
| 半导体集成电路及其检查方法 | CN200410033451 | 松下电器产业株式会社 | 日本大阪府门真市 |
| 半导体存储装置的数据写入方法以及半导体存储装置 | CN02126275 | 株式会社东芝 | 日本东京都 |
| 移位寄存器及电子装置 | CN02140231 | 卡西欧计算机株式会社 | 日本东京 |
| 电子电路的连接垫片装置 | CN02102730 | 阿尔卡塔尔公司 | 法国巴黎 |
| 含双晶体存储单元的存储模组 | CN02127451 | 联华电子股份有限公司 | 台湾省新竹市 |
| 存储单元,存储器件及存储单元的制造方法 | CN200410034329 | 夏普株式会社 | 日本大阪市 |
| 存储电路中动态存储单元之更新方法及存储电路 | CN200410032343 | 因芬尼昂技术股份公司 | 联邦德国慕尼黑 |
| 磁存储器装置 | CN02122818 | 三洋电机株式会社 | 日本大阪府 |
| 磁随机存取存储器 | CN03154513 | 株式会社东芝 | 日本东京都 |
| 具有为读写放大器产生电压之电压产生电路的集成存储器 | CN200410033443 | 因芬尼昂技术股份公司 | 联邦德国慕尼黑 |
| 移位寄存器及其驱动方法 | CN02126136 | 株式会社半导体能源研究所 | 日本神奈川县 |
| 低电电压控制方法和装置 | CN02116187 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 多阵列数据存储器的地址结构和方法 | CN03124396 | 惠普公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 具有两个基准电压产生电路的内部电源电压控制装置 | CN03131005 | 恩益禧电子股份有限公司 | 日本神奈川县 |
| 使用指针来更新非挥发性内存的系统与方法 | CN03122320 | 旺宏电子股份有限公司 | 台湾省新竹科学工业园区力行路16号 |
| 非易失半导体存储装置 | CN02122812 | 精工爱普生株式会社 | 日本东京都 |
| 半导体存储器 | CN02122456 | 株式会社东芝 | 日本东京都 |
| 读出放大电路 | CN02122294 | 松下电器产业株式会社 | 日本国大阪府 |
| 存储装置 | CN200410033737 | 株式会社瑞萨科技 | 日本东京都 |
| 一种基于垂直电流写入的磁随机存取存储器及其控制方法 | CN200410030729 | 中国科学院物理研究所 | 100080北京市海淀区中关村南三街8号 |
| 半导体存储器 | CN02106179 | 富士通株式会社 | 日本神奈川 |
| 存储器控制芯片、控制方法及控制电路 | CN02123231 | 威盛电子股份有限公司 | 中国台湾 |
| 用于减少输入测试模式的输入周期数的半导体存储器 | CN02101745 | 日本电气株式会社 | 日本东京 |
| 半导体集成电路以及存储系统 | CN02142964 | 株式会社东芝 | 日本东京 |
| 存储卡 | CN200410032520 | 株式会社瑞萨科技 | 日本东京 |
| 非易失性半导体存储器的编程方法 | CN02119054 | 精工爱普生株式会社;哈罗LSI设计及装置技术公司 | 日本东京都 |
| 把数据位写入存储阵列的方法 | CN03102748 | 惠普公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 省电的静态存储器控制电路 | CN03131020 | 凌阳科技股份有限公司 | 台湾省新竹县科学工业园区创新一路19号 |
| 用于标记存储设备内容的装置和方法 | CN02106766 | 惠普公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 容错固态存储器 | CN02126953 | 惠普公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 容短接存储单元的电阻交叉点阵列 | CN02124896 | 惠普公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 半导体存储器以及驱动半导体存储器的方法 | CN02107312 | 富士通株式会社 | 日本神奈川 |
| 移位寄存器 | CN02101621 | 精工电子有限公司 | 日本千叶县 |
| 具有带双寄存器的页缓存器的存储器设备及其使用方法 | CN02120236 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 一写多读存储器件的脉冲串写入 | CN02126529 | 惠普公司 | 美国加利福尼亚州 |
