| 名称 |
专利号 |
申请者 |
地址 |
| 光盘再生装置和光盘的镜面检测方法 | CN200410033557 | 三洋电机株式会社 | 日本国大阪府守口市 |
| 半导体存储器 | CN03107621 | 富士通株式会社 | 日本神奈川 |
| 用于集成电路的泵激电路及方法 | CN03131028 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 具有含磁隧道结的存储器单元的薄膜磁存储装置 | CN02128216 | 三菱电机株式会社 | 日本东京都 |
| 光刻式只读存储器的感测放大器 | CN200310108121 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 201203上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号 |
| 用于页复制操作的可纠错的非易失性存储器及其方法 | CN200410047759 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 利用片上检测放大器标定方法和装置的电阻交叉点存储器 | CN02119381 | 惠普公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 半导体存储装置 | CN02107309 | 株式会社东芝 | 日本东京都 |
| 具备包含有隧道磁阻元件的存储单元的薄膜磁性体存储器 | CN02124495 | 三菱电机株式会社 | 日本东京都 |
| 使用非挥发性单元的单个单元可程序切换器 | CN02122105 | 旺宏电子股份有限公司 | 台湾省新竹科学工业园区力行路16号 |
| 以低功耗工作的半导体存储器 | CN02104669 | 三菱电机株式会社 | 日本东京都 |
| 半导体存储器件的字线驱动器 | CN02118950 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 估算静态随机存储器半导体记忆胞元的记忆状态的微分电流估算电路及读数放大器电路 | CN03124143 | 因芬尼昂技术股份公司 | 联邦德国慕尼黑 |
| 适合宽频带的寄存器和信号发生方法 | CN02127185 | 尔必达存储器股份有限公司;日立东部半导体株式会社;株式会社日立制作所;;株式会社日立制作所 | 日本东京都 |
| 交叉点二极管存储器阵列的并行访问 | CN02122441 | 惠普公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 磁阻元件,具有其的存储元件及使用该存储元件的存储器 | CN02119828 | 佳能株式会社 | 日本东京 |
| 包含偏移导体的磁随机存取存储器件 | CN02127575 | 惠普公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 带有音频文件播放功能的闪存盘 | CN02202548 | 记忆科技(深圳)有限公司 | 518067广东省深圳市蛇口后海大道东南工贸大厦4－5层 |
| 半导体存储器 | CN03107623 | 富士通株式会社 | 日本神奈川 |
| 多功能串行输入/输出电路 | CN02105136 | 惠普公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 数据信号的相位控制方法，反时钟电路装置以及接口设备 | CN03124102 | 阿尔卡特公司 | 法国巴黎市 |
| 半导体装置 | CN03136750 | 三菱电机株式会社 | 日本东京都 |
| 提高可靠性的存储单元、非易失性存储装置及其控制方法 | CN02106923 | 日本电气株式会社 | 日本东京 |
| 磁记录元件、磁存储器、磁记录方法、用于制作磁记录元件的方法以及用于制作磁存磁存储器的方法 | CN02120239 | 北海道大学 | 日本北海道 |
| 具有低写入电流的磁性随机存取内存 | CN02127098 | 财团法人工业技术研究院 | 台湾省新竹县 |
| 具有页复制功能的半导体存储装置 | CN02126251 | 株式会社东芝 | 日本东京都 |
| 半导体存储器 | CN02143453 | 富士通株式会社 | 日本神奈川 |
| 存储器的高速感测电路及方法 | CN03104492 | 义隆电子股份有限公司 | 台湾省新竹市 |
| 半导体存储器件 | CN03138344 | 松下电器产业株式会社 | 日本大阪府 |
| 抑制了电流路径上的晶体管组的电阻的薄膜磁性体存储器 | CN03131290 | 三菱电机株式会社 | 日本东京都 |
| 具有许多存储器组的同步半导体存储器设备和控制该设备的方法 | CN03103548 | 株式会社东芝 | 日本东京都 |
| 具低自更新电流的动态随机存取存储器的制造方法及系统 | CN200410032187 | 因芬尼昂技术股份公司 | 联邦德国慕尼黑 |
| 能高速读出数据且工作稳定的薄膜磁性体存储装置 | CN02126168 | 三菱电机株式会社 | 日本东京都 |
| 改进的携带式存储装置的模组 | CN02202175 | 宣得股份有限公司 | 台湾省桃园县龟山乡民生北路一段568号2楼 |
| 半导体存储器 | CN02121788 | 株式会社东芝 | 日本东京都 |
| 非易失性半导体存储装置 | CN02123335 | 精工爱普生株式会社 | 日本东京都 |
| 半导体存储器 | CN03122418 | 松下电器产业株式会社 | 日本大阪府 |
| 磁存储装置和数据复制的装置、系统、程序及方法 | CN200410032846 | 株式会社东芝 | 日本东京都 |
| 具有电荷注入差动读出放大器的电阻性交叉点存储阵列 | CN03124128 | 惠普公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 半导体存储部件 | CN02122137 | 日本电气株式会社;株式会社日立制作所 | 日本东京 |
| 带交叉耦合闩锁读出放大器的电阻交叉点存储单元阵列 | CN03107765 | 惠普公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 总线及I/O焊垫的可程序化为四个状态的内联机元件 | CN02122106 | 旺宏电子股份有限公司 | 台湾省新竹科学工业园区力行路16号 |
| 磁性存储器件和方法 | CN03136044 | 惠普开发有限公司 | 美国德克萨斯州 |
| 存储模块 | CN02127029 | 尔必达存储器株式会社 | 日本东京 |
| 具有有效和可靠的冗余处理的半导体存储器件 | CN02106439 | 富士通株式会社 | 日本神奈川 |
| 半导体存储装置中执行部分阵列自更新操作的系统和方法 | CN02102056 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 使用三层金属互连的闪存架构 | CN00811962 | 先进微装置公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 板线读出 | CN00817026 | 因芬尼昂技术北美公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 升压电路 | CN01120381 | 力旺电子股份有限公司 | 台湾省新竹市水利路81号8楼之3 |
| RAM高速测试控制电路及其测试方法 | CN01131889 | 华为技术有限公司 | 518057广东省深圳市科技园科发路华为用户服务中心大厦 |
| 快速等化的地线电路及传感电路及其方法 | CN01136749 | 旺宏电子股份有限公司 | 台湾省新竹科学工业园区力行路16号 |
| 支持复数种存储芯片的译码转换装置与方法及其应用系统 | CN01136760 | 丽台科技股份有限公司 | 台湾省台北县中和市建一路166号18楼 |
| 铁电电容的参考电压产生方法、逻辑判断方式与装置 | CN01139627 | 旺宏电子股份有限公司 | 台湾省新竹科学工业园区力行路16号 |
| 内存结构及其所使用的控制器 | CN01141531 | 旺宏电子股份有限公司 | 台湾省新竹科学工业园区力行路16号 |
| 增进感测放大器速度及稳定性的电路及方法 | CN01141556 | 旺宏电子股份有限公司 | 台湾省新竹科学工业园区 |
| 仿真铁电内存极化松驰现象的电路结构 | CN01142273 | 旺宏电子股份有限公司 | 台湾省新竹科学工业园区力行路16号 |
| 具有存储器阵列的高密度集成电路 | CN01142988 | 旺宏电子股份有限公司 | 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行路16号 |
| 一种改进的高密度存储单元 | CN01805996 | 睦塞德技术公司 | 加拿大安大略省 |
| 半导体存储器件 | CN01806178 | 日本电气株式会社 | 日本东京 |
| 闪存的多库同时操作 | CN01806325 | 先进微装置公司;富士通株式会社 | 美国加利福尼亚州 |
| 单触发信号发生电路 | CN01806389 | 日本电气株式会社 | 日本东京 |
| 自动化基准单元微调检验 | CN01806484 | 先进微装置公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 电子器件的多维寻址结构 | CN01806944 | 薄膜电子有限公司 | 挪威奥斯陆 |
| 半导体存储装置 | CN01807826 | 日本电气株式会社 | 日本东京 |
| 多层聚合物膜及其用途 | CN01808030 | 美国杜邦泰津胶片合伙人有限公司 | 美国特拉华州 |
| 强电介质存储装置及对由强电介质电容器构成的存储单元的操作方法 | CN01808429 | 精工爱普生株式会社 | 日本东京都 |
| 半导体存储器件 | CN01808436 | 恩益禧电子股份有限公司 | 日本神奈川 |
| 强电介质存储器装置及其驱动方法 | CN01808693 | 精工爱普生株式会社 | 日本东京都 |
| 搜索最长匹配的存储器系统 | CN01808868 | 梅姆考尔有限责任公司 | 美国纽约 |
| 组合的按内容寻址存储器 | CN01808869 | 梅姆考尔有限责任公司 | 美国纽约 |
| 处理写命令的方法 | CN01809519 | 施蓝姆伯格系统公司 | 法国蒙特鲁日 |
| 半导体存储器及其控制方法 | CN01810150 | 松下电器产业株式会社 | 日本大阪 |
| 闪存的丛发装置 | CN01810500 | 先进微装置公司;富士通株式会社 | 美国加利福尼亚州 |
| 闪存阵列中页面模式擦除 | CN01810579 | 阿特梅尔股份有限公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 具有多用途插脚引线的EEPROM存储芯片 | CN01810878 | 三因迪斯克公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 具有改良精确度的多输出电流镜像器 | CN01810889 | 三因迪斯克公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 减少闪存中X译码器电容性负载以精确字符线和选择线的电压控制的方法 | CN01811070 | 先进微装置公司;富士通股份有限公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 匹配线读出电路及方法 | CN01811709 | 莫塞德技术公司 | 加拿大安大略省 |
| 块级边读边写的方法及装置 | CN01812127 | 英特尔公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 具有统一的存取执行时间的高速动态随机存取存储器结构 | CN01812427 | 睦塞德技术公司 | 加拿大安大略省 |
| 存储器矩阵的寻址 | CN01812466 | 薄膜电子有限公司 | 挪威奥斯陆 |
| 用于在无源矩阵存储器中执行读写操作的方法,以及执行该方法的装置 | CN01812469 | 薄膜电子有限公司 | 挪威奥斯陆 |
| 半导体存储装置和控制方法 | CN01812522 | 日本电气株式会社 | 日本东京 |
| 数据的安全写入 | CN01812965 | 施蓝姆伯格系统公司 | 法国蒙特鲁日 |
| 用于增加写入选择性的MRAM结构 | CN01813052 | 微米技术有限公司 | 美国艾达荷 |
| 多重匹配检测电路及方法 | CN01813377 | 莫塞德技术公司 | 加拿大安大略省 |
| 同步行和列存取操作的方法和装置 | CN01814347 | 睦塞德技术公司 | 加拿大安大略省 |
| 跨越时钟域边界的方法和装置 | CN01814427 | 微米技术股份有限公司 | 美国爱达荷州 |
| 高速存储器总线上的同步写数据 | CN01814429 | 微米技术股份有限公司 | 美国爱达荷州 |
| 非易失性存储器中可靠的数据拷贝操作的新颖方法和结构 | CN01814497 | 三因迪斯克公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 采用脉宽调制技术的感应升压泵的调节器设计 | CN01814603 | 英特尔公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 为闪存储器和其他应用提供电压的感应电荷泵 | CN01814712 | 英特尔公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 闪存中的字线译码结构 | CN01814914 | 先进微装置公司;富士通株式会社 | 美国加利福尼亚州 |
| MTJ MRAM串并行体系结构 | CN01815003 | 摩托罗拉公司 | 美国伊利诺斯 |
| 半导体存储装置及其更新方法 | CN01815029 | 恩益禧电子股份有限公司 | 日本神奈川 |
| 半导体存储装置及其测试方法和测试电路 | CN01815037 | 恩益禧电子股份有限公司 | 日本神奈川 |
| 存储单元构件及生产方法 | CN01815044 | 印芬龙科技股份有限公司 | 德国慕尼黑 |
| 可编程分子装置 | CN01815229 | WM·马什赖斯大学 | 美国得克萨斯 |
| 用于隔离堆栈存储器的有缓存器的存储器模块 | CN01815663 | 英特尔公司 | 美国加利福尼亚州 |
