| 名称 |
专利号 |
申请者 |
地址 |
| 磁隧道结磁阻随机存取存储器并联─并联结构 | CN01815778 | 摩托罗拉公司 | 美国伊利诺斯 |
| 具有支持隐藏式刷新的双端口单元的半导体存储器 | CN01816026 | 微技术公司 | 美国爱达荷 |
| 内部电压电平控制电路和半导体存储装置以及其控制方法 | CN01816268 | 恩益禧电子股份有限公司 | 日本神奈川县 |
| 铁电存储器及其操作方法 | CN01816271 | 塞姆特里克斯公司;松下电器产业株式会社 | 美国科罗拉多州 |
| 具有状态脉冲串输出的同步快闪存储器 | CN01816420 | 微米技术有限公司 | 美国爱达荷兰 |
| 可写的跟踪单元 | CN01816449 | 三因迪斯克公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 采用磁阻存储技术的模拟功能模块 | CN01816541 | 摩托罗拉公司 | 美国伊利诺斯 |
| 为低VCC读取提升位线电压的方法及装置 | CN01816763 | 先进微装置公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 模块式存储装置 | CN01817331 | 矩阵半导体公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 压缩事件计数技术及其在闪存系统中的应用 | CN01817411 | 三因迪斯克公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 用于在动态随机存取存储器中隐藏刷新的方法和系统 | CN01817488 | 米克伦技术公司 | 美国爱达荷 |
| 无源矩阵存储器的读出装置及与其一起使用的读出方法 | CN01817737 | 薄膜电子有限公司 | 挪威奥斯陆 |
| 非易失性无源矩阵及其读出方法 | CN01817870 | 薄膜电子有限公司 | 挪威奥斯陆 |
| 磁阻存储器 | CN01818274 | 因芬尼昂技术股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 用于只读存储器的扩展使用的存储管理逻辑单元 | CN01818530 | 因芬尼昂技术股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 具有内建自测功能的存储模块和存储部件 | CN01818984 | 英特尔公司 | 美国加利福尼亚 |
| 用于在缓冲存储系统中提供可靠传输的系统和方法 | CN01818985 | 英特尔公司 | 美国加利福尼亚 |
| 集成磁阻半导体存储器装置 | CN01819021 | 因芬尼昂技术股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 多路存储接口的缓冲器 | CN01819138 | 英特尔公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 双位存储器擦除校验方法及系统 | CN01819292 | 先进微装置公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 具非挥发记忆胞元配置之集成内存以及制造和操作该集成内存的方法 | CN01819422 | 因芬尼昂技术股份公司 | 德国慕尼黑 |
| MRAM记忆胞元非破坏性自行正常化读出电路 | CN01819687 | 因芬尼昂技术股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 存储器存储阵列的内置自修复的方法与装置 | CN01819924 | 先进微装置公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 磁阻性内存及其读取方法 | CN01820094 | 因芬尼昂技术股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 边界可寻址存储器 | CN01820182 | 英特尔公司 | 美国加利福尼亚 |
| 存储设备及其操作方法 | CN01820375 | 因芬尼昂技术股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 半导体存储器及其更新控制电路 | CN01820427 | 恩益禧电子股份有限公司 | 日本神奈川 |
| 自内存胞元铁电晶体管中读出及存入状态之方法及记忆矩阵 | CN01821027 | 因芬尼昂技术股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 并列测试及烧录系统中读取半导体晶元资料之方法 | CN01821651 | 因芬尼昂技术里奇蒙有限合伙人公司 | 美国弗吉尼亚州 |
| 磁阻随机存取存储器写入装置及方法 | CN01821783 | 摩托罗拉公司 | 美国伊利诺斯 |
| 用于非破坏性读出的方法和使用该方法的设备 | CN01822204 | 薄膜电子有限公司 | 挪威奥斯陆 |
| 铁电存储电路及其制造方法 | CN01822208 | 薄膜电子有限公司 | 挪威奥斯陆 |
| 故障分析装置 | CN01822273 | 株式会社艾德温特斯特 | 日本东京都 |
| 带外部验证的特殊编程模式 | CN01822775 | 英特尔公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 增强的特殊编程模式 | CN01822875 | 英特尔公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 于目标记忆位置中储存大量资料之方法及储存系统 | CN01822972 | 因芬尼昂技术股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 在擦除期间减少带到带隧穿电流的输入/输出分区系统及方法 | CN01823114 | 先进微装置公司;富士通股份有限公司 | 美国加利福尼亚州桑尼维耳市 |
| 闪存阵列中的核心存储单元的软程序及软程序校验 | CN01823119 | 先进微装置公司;富士通公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 相联存储器及其检索方法、网络设备及网络系统 | CN01823188 | 彩虹端科技有限公司 | 日本东京都 |
| 非易失性同步存储器中独立的异步启动块 | CN01823196 | 爱特梅尔股份有限公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 相联存储器系统、网络设备及网络系统 | CN01823407 | 彩虹端科技有限公司 | 日本东京都 |
| 通过将位线保持在固定电势来早写入存储器的系统和方法 | CN01823424 | 国际商业机器公司 | 美国纽约州 |
| 即时多路复用且可快速复制数据的闪速存储器装置 | CN02131935 | 力旺电子股份有限公司 | 台湾省新竹市 |
| 可降低功率消耗的电源供应装置 | CN02132269 | 力旺电子股份有限公司 | 台湾省新竹市 |
| 集成逻辑电路和电可擦可编程只读存储器 | CN02148258 | 精工电子工业株式会社 | 日本千叶县 |
| 高速信号通道及方法 | CN02804556 | 米克伦技术公司 | 美国爱达荷 |
| 半导体内存记忆胞元之读取方法及半导体内存 | CN02805052 | 因芬尼昂技术股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 集成存储装置及方法 | CN200510091725 | 因芬尼昂技术股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 半导体集成电路器件 | CN200510079129 | 株式会社瑞萨科技 | 日本东京 |
| 具有测试数据缓冲器的非易失性存储设备及其测试方法 | CN200510091462 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 多芯片卡 | CN200480004245 | 雅斯拓股份有限公司 | 法国蒙特鲁日 |
| 用于存储器的可变刷新控制 | CN200480004373 | 飞思卡尔半导体公司 | 美国得克萨斯 |
| 具有可变刷新控制的存储器及其可变刷新控制方法 | CN200480004696 | 飞思卡尔半导体公司 | 美国得克萨斯 |
| 用于编码自动预充电的装置和方法 | CN03802733 | 英特尔公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 存储器装置执行存储器操作的系统及方法 | CN200380109816 | 赛普拉斯半导体公司 | 美国加州 |
| 信息存储设备,信息存储方法和信息存储程序 | CN200380103703 | 索尼株式会社 | 日本东京 |
| 具有可编程逻辑单元阵列的电子电路 | CN200480004650 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 荷兰艾恩德霍芬 |
| 用于减少电流消耗的内部电源电压生成器 | CN200510070197 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 芯片初始化方法 | CN200410083054 | 华为技术有限公司 | 518129广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼 |
| 用以控制记忆体阵列存取的时钟产生器及其方法 | CN200510051268 | 茂德科技股份有限公司 | 新加坡 |
| 整合预解码机制与选择性预充电机制的存储电路及方法 | CN200510092306 | 威盛电子股份有限公司 | 台湾台北县 |
| 静态随机存取记忆体的记忆胞的结构 | CN200510093393 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路8号 |
| 其中具有分级位线选择电路的集成电路存储设备 | CN200510092345 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 用于可抹除可编程唯读存储器装置的升压电路及升压方法 | CN200410079208 | 亿而得微电子股份有限公司 | 台湾省新竹县 |
| 差分双浮动栅电路和编程方法 | CN200480004829 | 爱克舍股份有限公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 半导体存储装置 | CN200480005107 | 罗姆股份有限公司 | 日本京都府 |
| 具有存储有循环计数值的大擦除块的非易失性半导体存储器 | CN200380109217 | 桑迪士克股份有限公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 电阻性内存装置，尤其是CBRAM内存 | CN200510097642 | 因芬尼昂技术股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 包括磁隧道结结构和衬底之间的存储器及其相关方法 | CN200510091181 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 用于在低电源电压操作中产生电压参考的浮动栅极模拟电压电平移位电路和方法 | CN200510092242 | 爱克舍股份有限公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 半导体存储装置、测试电路和方法 | CN200510092478 | 恩益禧电子股份有限公司 | 日本神奈川 |
| 具有改进的阵列稳定性的集成电路芯片 | CN200510083278 | 国际商业机器公司 | 美国纽约 |
| 具有改进的单元稳定性的静态随机存取存储器阵列 | CN200510083280 | 国际商业机器公司 | 美国纽约 |
| 冗余程序电路及其方法 | CN200510092332 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 具有电隔离的读写电路的MRAM结构 | CN03815272 | 飞思卡尔半导体公司 | 美国得克萨斯 |
| 非易失性存储设备中使用的行解码器电路 | CN200510092346 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 磁存储器及其制造方法 | CN200510098774 | TDK株式会社 | 日本东京都 |
| 存储器 | CN200510099059 | 索尼株式会社 | 日本东京都 |
| 半导体存储装置 | CN200510096686 | 株式会社东芝 | 日本东京都 |
| 半导体存储装置 | CN200510096687 | 株式会社东芝 | 日本东京都 |
| 内部电压提供电路 | CN200510082156 | 海力士半导体有限公司 | 韩国京畿道 |
| 半导体装置 | CN200510097843 | 株式会社瑞萨科技 | 日本东京 |
| 非挥发性半导体存储器件 | CN200410080720 | 沖电气工业株式会社 | 日本东京都 |
| 具有扫描电路和方法的非易失性存储器 | CN200510098019 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 闪存装置中的区块开关 | CN200510005772 | 海力士半导体有限公司 | 韩国京畿道 |
| 半导体器件 | CN200510099488 | 松下电器产业株式会社 | 日本大阪府 |
| 移位缓存器和使用移位缓存器的平板显示器 | CN200510066171 | 统宝光电股份有限公司 | 中国台湾 |
| 具有并行测试的存储器模块 | CN200510071654 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 低电压读出放大器和方法 | CN200480005177 | 米克伦技术公司 | 美国爱达荷 |
| 多频同步时钟信号发生器 | CN200480006664 | 米克伦技术公司 | 美国爱达荷 |
| 可编程阻抗存储器器件 | CN03826160 | 株式会社东芝 | 日本东京都 |
| 用于有机存储装置的旋涂聚合物 | CN200480006699 | 先进微装置公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 用于弱SRAM单元的检测 | CN200480006555 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 荷兰艾恩德霍芬 |
| 用于半导体存储装置的存储单元测试电路及其方法 | CN200410103130 | 海力士半导体有限公司 | 韩国京畿道 |
| 具有简档存储单元的通用存储器件 | CN200480007182 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 荷兰艾恩德霍芬 |
| 用于快速且准确的存储器读取操作的电路 | CN200480006883 | 先进微装置公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 二维数据存储器 | CN200480006966 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 荷兰艾恩德霍芬 |
| 具有快速和慢速数据读取机构的存储系统 | CN200480007396 | ARM有限公司;密执安大学 | 英国剑桥郡 |
| 利用瑕疵储存器的方法及装置 | CN200410086950 | 杨朝雨 | 台湾省台北市 |
