| 名称 |
专利号 |
申请者 |
地址 |
| 编程非易失性集成存储器装置中单元的系统和方法 | CN200480007016 | 桑迪士克股份有限公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 非易失性半导体存储器 | CN03826339 | 富士通株式会社 | 日本神奈川县 |
| 跟踪和保持电路 | CN200480008357 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 荷兰艾恩德霍芬 |
| 鉴频器或鉴相器中使用的电路 | CN200480008358 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 荷兰艾恩德霍芬 |
| 编制多阶相变记忆体装置的方法 | CN200510088875 | 旺宏电子股份有限公司 | 中国台湾 |
| 锁存时钟生成电路及串并行变换电路 | CN200510099252 | 三洋电机株式会社 | 日本国大阪府 |
| 可变电阻元件的驱动方法及存储装置 | CN200510103804 | 夏普株式会社 | 日本大阪市 |
| 可编程的存储装置和方法 | CN200510105320 | 北京中星微电子有限公司 | 100083北京市海淀区学院路35号世宁大厦15层 |
| 一种可编程的存储装置和方法 | CN200510105321 | 北京中星微电子有限公司 | 100083北京市海淀区学院路35号世宁大厦15层 |
| 高速动态同步随机存储的反馈时钟接口改进方法 | CN200510029302 | 上海交通大学 | 200240上海市闵行区东川路800号 |
| 半导体存储装置和测试方法 | CN200510099973 | 尔必达存储器株式会社 | 日本东京都 |
| 存储器装置 | CN200510104053 | 夏普株式会社 | 日本大阪市 |
| 延迟锁定回路及其锁定方法 | CN200510073043 | 海力士半导体有限公司 | 韩国京畿道 |
| 读等待时间控制电路 | CN200510081798 | 印芬龙科技股份有限公司 | 德国慕尼黑 |
| 用于低功率条件的半导体存储器设备 | CN200510071182 | 海力士半导体有限公司 | 韩国京畿道 |
| 具有简化数据控制信号的半导体存储器件 | CN200510072034 | 海力士半导体有限公司 | 韩国京畿道 |
| 测量感测放大器偏移电压的方法及半导体存储器装置 | CN200510077138 | 海力士半导体有限公司 | 韩国京畿道 |
| 用于低功率系统的半导体存储器装置 | CN200510082615 | 海力士半导体有限公司 | 韩国京畿道 |
| 具有节拍生成的集成半导体存储器 | CN200510099554 | 因芬尼昂技术股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 用于低功率系统之半导体存储器装置 | CN200410081794 | 海力士半导体有限公司 | 韩国京畿道 |
| 用于低功率条件的半导体存储器件 | CN200410082181 | 海力士半导体有限公司 | 韩国京畿道 |
| 具有低共模差分输入信号的读出放大器 | CN200510098140 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 用于减低噪声的数据输出驱动器 | CN200510071911 | 海力士半导体有限公司 | 韩国京畿道 |
| 闪存系统及其擦除方法 | CN200510003633 | 海力士半导体有限公司 | 韩国京畿道 |
| 在非易失存储器设备中对用户数据和确认信息编程的方法 | CN200510098139 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 非易失性存储器装置 | CN200510099030 | 松下电器产业株式会社 | 日本大阪府 |
| 非易失性存储器以及验证非易失性存储器中的数据的方法 | CN200510099160 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 移位寄存器电路 | CN200510099226 | 友达光电股份有限公司 | 台湾新竹市 |
| 移位寄存电路 | CN200510099533 | 友达光电股份有限公司 | 台湾新竹市 |
| 错误检测存储器模块和方法 | CN200510099165 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| CMOS存储电路的泄漏电流减少 | CN200480009091 | 高通股份有限公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 闪存器件的列译码及预充电 | CN03819817 | 斯班逊有限公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 可程序金属氧化半导体存储电路 | CN200420089214 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 台湾省新竹科学工业园区 |
| 源信号线驱动器 | CN200420120591 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 台湾省新竹科学工业园区 |
| 可检测在电源故障期间发生写入错误的存储器件及其方法 | CN200510103773 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 磁存储器 | CN200510102712 | TDK株式会社 | 日本东京都 |
| 磁存储装置 | CN200510106449 | TDK股份有限公司 | 日本东京都 |
| 磁存储装置 | CN200510106450 | TDK股份有限公司 | 日本东京都 |
| 磁记录元件以及磁记录装置 | CN200510109730 | 株式会社东芝 | 日本东京都 |
| 存储器 | CN200510106303 | 三洋电机株式会社 | 日本国大阪府 |
| 半导体存储装置及检查方法 | CN200510106464 | 松下电器产业株式会社 | 日本大阪府 |
| 存储装置及半导体装置 | CN200510107643 | 索尼株式会社 | 日本东京都 |
| 控制存储器的存取和刷新的系统和方法 | CN200510103786 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 存储器 | CN200510106359 | 三洋电机株式会社 | 日本国大阪府 |
| 具有芯片内建终结电路的半导体存储装置 | CN200510071910 | 海力士半导体有限公司 | 韩国京畿道 |
| 具有片上终结电路的半导体存储器装置 | CN200510070696 | 海力士半导体有限公司 | 韩国京畿道 |
| 半导体存储器 | CN200510053886 | 富士通株式会社 | 日本神奈川县 |
| 非易失性单元减小功率的编程 | CN200510076566 | 赛芬半导体有限公司 | 以色列内坦亚 |
| 电荷捕获非易失性存储器的编程操作方法 | CN200510077227 | 旺宏电子股份有限公司 | 中国台湾 |
| 半导体集成电路 | CN200510106487 | 冲电气工业株式会社 | 日本东京港区 |
| 非易失半导体存储器件及其数据擦除方法 | CN200510107609 | 株式会社东芝 | 日本东京都 |
| 寄存器电路以及包括寄存器电路的同步集成电路 | CN200510093694 | 松下电器产业株式会社 | 日本大阪 |
| 使用A/D转换器的快速、准确且低电源电压的增压器 | CN200480009300 | 先进微装置公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 用于检测半导体电路曝露于紫外光中的方法和设备 | CN200480005671 | 恩莫辛美国有限公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 半导体存储器以及半导体存储器的操作方法 | CN03826473 | 富士通株式会社 | 日本神奈川县 |
| 存储器位线漏泄修复 | CN200380110290 | 高通股份有限公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 半导体装置的振荡器 | CN200510076396 | 海力士半导体有限公司 | 韩国京畿道 |
| 半导体存储装置的内部电压产生器 | CN200510084804 | 海力士半导体有限公司 | 韩国京畿道 |
| LCOS中的单边结构静态存储器 | CN200410068144 | 上海华园微电子技术有限公司 | 200233上海市宜山路900号A区六楼 |
| 与非型闪存器件的擦除确认方法及其与非型闪存器件 | CN200510088151 | 海力士半导体有限公司 | 韩国京畿道 |
| 具有传感放大器和自定时锁存器的存储装置 | CN200480009750 | 飞思卡尔半导体公司 | 美国得克萨斯 |
| 动态半导体存储器件 | CN200480010003 | 国际商业机器公司 | 美国纽约 |
| 低功率高性能存储电路及相关方法 | CN03811981 | 加利福尼亚大学董事会 | 美国加利福尼亚州 |
| 编程双单元存储器件以在各单元中储存多个数据状态的方法 | CN200480010297 | 先进微装置公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 磁逻辑系统 | CN200480010325 | 印吉尼技术有限公司 | 英国伦敦 |
| 可改变数据输出模式的存储装置 | CN200510081916 | 海力士半导体有限公司 | 韩国京畿道 |
| 用于低功率系统的半导体存储器装置 | CN200510085350 | 海力士半导体有限公司 | 韩国京畿道 |
| 非易失性记忆体的编程方法及装置 | CN200510071981 | 旺宏电子股份有限公司 | 中国台湾 |
| 读取闪存装置的方法 | CN200510074676 | 海力士半导体有限公司 | 韩国京畿道 |
| 与MRAM器件中磁电子元件上的导电层形成接触的方法 | CN200480010848 | 飞思卡尔半导体公司 | 美国得克萨斯 |
| 同时从/向不同的存储单元的读取/写入 | CN200480007254 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 荷兰艾恩德霍芬 |
| 具有复合磁性自由层的磁电子信息器件 | CN200480010863 | 飞思卡尔半导体公司 | 美国得克萨斯 |
| 存储器用反铁磁稳定伪自旋电子管 | CN03802470 | 微米技术有限公司 | 美国艾达荷 |
| 适用于改良的寿命结束读取幅度的双单元存储器件操作的方法 | CN200480011031 | 先进微装置公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 利用自升压技术来避免编程干扰的与非闪存 | CN200480011084 | 桑迪斯克公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 存储器件和半导体器件 | CN200510107038 | 索尼株式会社 | 日本东京都 |
| 降低功率消耗的存取装置及其存取方法 | CN200510113438 | 威盛电子股份有限公司 | 中国台湾台北县 |
| 一种能够装载和卸载便携式MP3播放器的防盗车载音频系统及其控制方法 | CN200510069335 | 现代奥途纳特株式会社 | 韩国京畿道 |
| 存储器件和半导体器件 | CN200510114006 | 索尼株式会社 | 日本东京都 |
| 处于深度关机模式的记忆体晶片的内部功率管理架构 | CN200410095632 | 钰创科技股份有限公司 | 台湾省新竹市新竹科学工业园区科技五路六号 |
| 自动刷新的易失存储器设备及相关存储器系统和操作方法 | CN200510106784 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 具有双向时钟线的存储装置、存储控制器和存储系统 | CN200510107002 | 因芬尼昂技术股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 加速低功率随机存取记忆体的电源开启程序 | CN200410095633 | 钰创科技股份有限公司 | 台湾省新竹市新竹科学工业园区科技五路六号 |
| 防止存储器阵列读取边限缩小的系统与方法 | CN200510090563 | 旺宏电子股份有限公司 | 台湾省新竹科学工业园区 |
| 非易失性半导体存储器件及其读取方法 | CN200510108475 | 松下电器产业株式会社 | 日本大阪府 |
| 可重写非易失性存储器、电子设备、存储介质及重写方法 | CN200510113722 | 夏普株式会社 | 日本大阪府 |
| 页面缓存器和包括页面缓存器的非易失性半导体存储器 | CN200510108634 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 页面缓存器和包括页面缓存器的多状态非易失性存储设备 | CN200510108637 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 用于低压非挥发存储器的字线升压电路 | CN200410084518 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 201206上海市浦东川桥路1188号 |
| 移位寄存电路 | CN200510106796 | 友达光电股份有限公司 | 中国台湾新竹市 |
| 一种在存储器测试过程中自动产生位图信息的方法 | CN200410084655 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 201206上海市浦东川桥路1188号 |
| 用于检验非易失性存储器件的初始状态的方法和单元 | CN200510106714 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 存储器测试电路和方法 | CN200510113429 | 恩益禧电子股份有限公司 | 日本神奈川 |
| 存储电路装置及其制造方法 | CN200480011631 | 因芬尼昂技术股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 用于MRAM导线的覆层材料 | CN03805492 | 摩托罗拉公司 | 美国伊利诺斯 |
| 具有用于HCI编程的源电极偏压的非易失性存储器 | CN200480011128 | 飞思卡尔半导体公司 | 美国得克萨斯 |
| 具有快速预充电位线的存储器阵列 | CN200510077888 | 旺宏电子股份有限公司 | 台湾新竹科学工业园区 |
| 执行初始和周期校准的排序器的结构和方法 | CN200510120381 | 国际商业机器公司 | 美国纽约 |
| 存储元件 | CN200510116445 | 三洋电机株式会社 | 日本国大阪府 |
