| 名称 |
专利号 |
申请者 |
地址 |
| 双倍速动态随机存取存储器的读写方法 | CN200410096081 | 中兴通讯股份有限公司 | 518057广东省深圳市南山区高新技术产业园科技南路中兴通讯大厦法律部 |
| 磁性随机存储元件及其制造方法 | CN200510090269 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 |
| 磁存储器及其制造方法 | CN200510099016 | 株式会社日立制作所 | 日本东京 |
| 磁阻结构、磁阻元件、与存储单元 | CN200510105996 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 |
| 反铁磁/顺磁电阻器件、非易失性存储器及其制造方法 | CN200510116550 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 磁随机存取存储器 | CN200510118783 | 株式会社东芝 | 日本东京都 |
| 在自刷新模式下进行自动刷新的半导体存储器件 | CN200510087401 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 调整RAM模块中的工作参数的电路装置和方法 | CN200510118042 | 因芬尼昂技术股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 半导体存储芯片和模块、向该芯片发送写数据的方法 | CN200510118443 | 因芬尼昂技术股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 多端口半导体存储装置 | CN200510118553 | 株式会社瑞萨科技 | 日本东京都 |
| 用于使用WMRM存储器实现可靠的WORM存储器的系统和方法 | CN200510116085 | 国际商业机器公司 | 美国纽约 |
| 非易失性存储器件及其编程方法 | CN200510118082 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 非易失性半导体存储器 | CN200510116413 | 株式会社东芝;三因迪斯克公司 | 日本东京都 |
| 有关熔丝信息的非易失性存储器件 | CN200510118085 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 移位寄存器及液晶驱动器 | CN200510116181 | 阿尔卑斯电气株式会社 | 日本东京都 |
| 半导体存储设备的测试模式进入的电路和方法 | CN200510118735 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 有选择地更新存储单元阵列的方法和设备 | CN200480012015 | 反射公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 利用反馈金属氧化物半导体场效应晶体管的抗单击扰动的静态随机存取存储器 | CN03812227 | 霍尼韦尔国际公司 | 美国新泽西州 |
| 具保护电路的内存电压供应电路 | CN200410077452 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 | 518109广东省深圳市宝安区龙华镇油松第十工业区东环二路2号 |
| 分区存储器的方法及装置 | CN200410100326 | 明基电通股份有限公司 | 台湾省桃园县 |
| 高速记忆体资料流动的控制方法 | CN200410101987 | 钰创科技股份有限公司 | 台湾省新竹市新竹科学工业园区科技五路六号 |
| 一种实现接口的方法和装置 | CN200510116988 | 杭州华为三康技术有限公司 | 310053浙江省杭州市高新技术产业开发区之江科技工业园六和路东华为3com公司 |
| 利用压控振荡器控制功耗的电荷泵 | CN200410089226 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 201206上海市浦东川桥路1188号 |
| 在高速DRAM中建立并保持理想的读取等待时间的方法与装置 | CN200480013088 | 微米技术有限公司 | 美国爱达荷州 |
| 一种提高相变存储器存储密度的方法及其实现电路 | CN200510110252 | 复旦大学 | 200433上海市邯郸路220号 |
| 用于接收输入信号的装置及方法 | CN200510076929 | 海力士半导体有限公司 | 韩国京畿道 |
| 高密度存储体设计 | CN200510116810 | 李博航 | 100026北京市朝阳区团结湖中路南一条2号楼4门503室 |
| 一种信息存储的方法及识别装置 | CN200510095005 | 苏州大学 | 215006江苏省苏州市沧浪区十梓街1号苏州大学 |
| 电荷泵电路 | CN200510076174 | 旺宏电子股份有限公司 | 中国台湾新竹科学工业园区 |
| 用于存储器测试中感测放大器的时间可控制感测方案 | CN200510115967 | 钰创科技股份有限公司 | 中国台湾 |
| 读出电阻存储器时降低功耗的方法 | CN200480014327 | 微米技术有限公司 | 美国爱达荷州 |
| 读出放大器系统和提供有读出放大器的矩阵可寻址存储器件 | CN200480014391 | 薄膜电子有限公司 | 挪威奥斯陆 |
| 具有电荷存储位置的存储器 | CN200480014053 | 飞思卡尔半导体公司 | 美国得克萨斯 |
| 信号完整性检查电路 | CN200480014553 | 爱特梅尔股份有限公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 半导体存储器单元、阵列、体系结构和器件及其操作方法 | CN200480001693 | 矽利康创新股份有限公司;洛桑联邦综合工科学校 | 美国加利福尼亚 |
| 集成存储电路配置,尤其是UCP快闪存储器 | CN200480014081 | 因芬尼昂技术股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 串行只读存储器装置以及存储器系统 | CN200410101519 | 华邦电子股份有限公司 | 台湾省新竹科学工业园区 |
| 半导体存储器装置的校正电路及其操作方法 | CN200510089661 | 海力士半导体有限公司 | 韩国京畿道 |
| 半导体器件 | CN200510118815 | 株式会社半导体能源研究所 | 日本神奈川县 |
| 高频同步半导体器件中的等待时间控制装置和方法 | CN200510103344 | 海力士半导体有限公司 | 韩国京畿道 |
| 对存储单元编程的方法 | CN200510115563 | 旺宏电子股份有限公司 | 台湾省新竹县新竹科学工业园区力行路16号 |
| 电荷陷入非易失存储单元的程序化方法 | CN200510114467 | 旺宏电子股份有限公司 | 台湾省新竹县新竹科学工业园区力行路16号 |
| 移位寄存器及其驱动方法 | CN200510079836 | LG.菲利浦LCD株式会社 | 韩国首尔 |
| 外接资料储存装置的剩余容量显示系统 | CN200410104140 | 英保达股份有限公司 | 台湾省台北市 |
| 用于待机操作的低功率管理器 | CN200480014955 | 国际商业机器公司 | 美国纽约 |
| 存储在非易失性存储器中的数据的完整性控制 | CN200480015371 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 荷兰艾恩德霍芬 |
| 半导体存储装置 | CN200510123689 | 松下电器产业株式会社 | 日本大阪府 |
| 带有自举存储器电源的高性能寄存器文件和相关方法 | CN200510124662 | 国际商业机器公司 | 美国纽约 |
| 磁阻性随机存取存储器装置及其制造方法 | CN200510090270 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 |
| 记忆体元件与电路 | CN200510071918 | 旺宏电子股份有限公司 | 中国台湾 |
| 半导体存储元件及半导体存储器件 | CN200510119461 | 株式会社东芝 | 日本东京都 |
| 半导体集成电路 | CN200510119499 | 株式会社东芝 | 日本东京都 |
| 与温度有关的动态随机存取存贮器自刷新电路 | CN200410103571 | 晶豪科技股份有限公司 | 台湾省新竹市科学园区工业东四路23号 |
| 修复和运行存储器件的方法 | CN200510119471 | 因芬尼昂技术股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 利用动态随机存取存储器写缓冲器的存储器控制器 | CN200510124773 | 国际商业机器公司 | 美国纽约 |
| 半导体存储器件 | CN200510126719 | 恩益禧电子股份有限公司 | 日本神奈川 |
| 静态随机存储器 | CN200510125131 | 松下电器产业株式会社 | 日本大阪府 |
| 用于可配置的反射镜快速读出放大器的装置和方法 | CN200480010199 | 艾梅尔公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 具有用于测量内部存储器宏的AC特性的测试电路的集成电路装置 | CN03826821 | 富士通株式会社 | 日本神奈川 |
| 半导体存储装置和刷新控制方法 | CN200510127093 | 恩益禧电子股份有限公司 | 日本神奈川 |
| 一种嵌入式系统中非易失性存储器的数据存取方法 | CN200510019862 | 武汉国光通信有限公司 | 430074湖北省武汉市洪山区鲁磨路118号国光大厦24层 |
| 只用单沟道晶体管对所选字线传送电压的半导体存储装置 | CN200510126865 | 株式会社东芝 | 日本东京都 |
| 半导体存储器件 | CN200510126866 | 株式会社东芝 | 日本东京都 |
| 直观地指示一数据存储器件状态的装置和方法 | CN200510120492 | 国际商业机器公司 | 美国纽约阿芒克 |
| 借助于位掩码来测试半导体芯片的方法 | CN200510128583 | 因芬尼昂技术股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 用于利用寄存器组来测试半导体芯片的方法 | CN200510128579 | 因芬尼昂技术股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 通用可访问完全可编程的存储器内置自测系统和方法 | CN200480016889 | 阿纳洛格装置公司 | 美国马萨诸塞州 |
| 铁电存储器件 | CN200480016152 | 株式会社东芝;英芬能技术公司 | 日本东京都 |
| 具有一致读取和验证阈值的存储器 | CN200480016318 | 微米技术股份有限公司 | 美国爱达荷州 |
| 堆栈暂存器 | CN200510001871 | 义隆电子股份有限公司 | 台湾省新竹市 |
| 具有提高的读稳定性的存储单元、存储器阵列及集成电路 | CN200510123501 | 国际商业机器公司 | 美国纽约 |
| 非易失存储器件和使用列的子集的编程方法 | CN200510126994 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 应用在非挥发性分离栅存储器的写入操作电路及方法 | CN200510002420 | 义隆电子股份有限公司 | 台湾省新竹市 |
| 移位缓存单元及相关的信号驱动电路与显示系统 | CN200510001870 | 统宝光电股份有限公司 | 台湾省新竹科学工业园区 |
| 非易失性静态存储器单元 | CN200480016966 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 荷兰艾恩德霍芬 |
| 非易失性存储器的源极控制操作 | CN200480017278 | 桑迪士克股份有限公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 半导体测试装置及其控制方法 | CN200480016976 | 爱德万测试株式会社 | 日本东京 |
| 电压供电电路、集成DRAM存储器电路及控制供电电源的方法 | CN200510137352 | 因芬尼昂技术股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 一种降低集成电路中存储器功耗的方法 | CN200610057124 | 清华大学 | 100084北京市100084-82信箱 |
| 一种改良的感测放大器 | CN200610007376 | 旺宏电子股份有限公司 | 台湾省新竹科学工业园区 |
| 通过使能电路激活的存储器电路接收器 | CN200510121562 | 因芬尼昂技术股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 集成电路 | CN200510138084 | 因芬尼昂技术股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 在非易失性半导体存储器件中驱动编程操作的方法 | CN200610006062 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 半导体存储器件和控制其子字线驱动器的方法 | CN200610006168 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 自旋注入磁随机存取存储器及写入方法 | CN200610002435 | 株式会社东芝 | 日本东京都 |
| 存储器装置 | CN200610005085 | 尔必达存储器株式会社 | 日本东京 |
| 半导体存储元件的电源开关电路及其电源电压施加方法 | CN200610004969 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 半导体存储器装置的位线电压供应电路及其电压供应方法 | CN200610006114 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 存储单元阵列偏置方法以及半导体存储器件 | CN200610005029 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 改变非挥发性内存的操作条件的方法及设备 | CN200510083316 | 旺宏电子股份有限公司 | 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行路16号 |
| 用于多电平存储单元的编程确认电平的动态控制方法 | CN200510109761 | 旺宏电子股份有限公司 | 中国台湾新竹科学工业园区 |
| 一种NAND闸闪存测试/修复/烧录/分析四合一装置 | CN200510004920 | 至上电子股份有限公司 | 台湾省台北市内湖区港墘路一八三、一八五、一八七、一八九号六楼之一八 |
| 灵活的内部地址计数方法和设备 | CN200510137341 | 因芬尼昂技术股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 用于非易失性存储器中的基准晶体管的可变栅偏置 | CN200480018151 | 飞思卡尔半导体公司 | 美国得克萨斯 |
| 具有分立电荷存储元件的存储器的编程 | CN200480017805 | 飞思卡尔半导体公司 | 美国得克萨斯 |
| DataPlay机芯控制电路 | CN200520059980 | 东莞市富旭电子有限公司 | 523852广东省东莞市长安镇锦厦村一龙路41号三楼 |
| 访问存储器单元的系统和方法 | CN200610006643 | 株式会社东芝 | 日本东京都 |
| 具有总线结构的半导体存储模块 | CN200610006845 | 因芬尼昂技术股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 磁阻性随机存取存储阵列 | CN200510127722 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 |
