| 名称 |
专利号 |
申请者 |
地址 |
| 一种同步动态存储器控制器的设计方法 | CN200510061654 | 宁波中科集成电路设计中心有限公司 | 315040浙江省宁波市科技园区创业大厦6层 |
| 存储器存取控制器与存储器存取方法 | CN200510023687 | 上海奇码数字信息有限公司 | 201203上海市张江高科技园区碧波路328号B栋4楼 |
| 用于动态存储电路的读出的方法和电路 | CN200510128945 | 因芬尼昂技术股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 用于在集成电路上组合易失性和非易失性可编程逻辑的技术 | CN200510128761 | 奥特拉股份有限公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 一种闪存装置的脏块回收方法 | CN200510101856 | 康佳集团股份有限公司 | 518053广东省深圳市南山区华侨城康佳集团股份有限公司 |
| 半导体存储器 | CN200510129404 | 株式会社东芝 | 日本东京 |
| 增强电可擦除可编程只读存储器数据错误校验的方法 | CN200510016481 | 天津三星电子显示器有限公司 | 300385天津市经济技术开发区微电子工业园微四路 |
| 用于修复半导体存储器件的装置和方法 | CN200510131540 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 带内置通信端口的电池组 | CN200480018654 | 讯宝科技公司 | 美国纽约州 |
| 静态存储器单元结构和电路 | CN200480018909 | 兹莫斯技术有限公司 | 美国加利福尼亚 |
| 非易失性存储器及其制造方法 | CN200480019272 | 飞思卡尔半导体公司 | 美国得克萨斯 |
| 磁随机存取存储器 | CN200320103297 | 中国科学院物理研究所 | 100080北京市海淀区中关村南三街8号 |
| 字符译码器及存储器装置 | CN200420120090 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 台湾省新竹科学工业园区 |
| 用于双倍数据速率多位写入的数据选通同步电路和方法 | CN200480019602 | 米克伦技术公司 | 美国爱达荷 |
| 用于可变电阻存储器感测的偏斜感测放大器 | CN200480019457 | 微米技术有限公司 | 美国爱达荷州 |
| 半导体集成电路 | CN200580000639 | 松下电器产业株式会社 | 日本大阪府 |
| 形成于通孔中的聚合物存储器件 | CN200480019684 | 先进微装置公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 半导体存储装置及其写入方法 | CN200610006687 | 尔必达存储器股份有限公司 | 日本东京 |
| 非易失性存储器存储单元读取方法 | CN200510129390 | 赛芬半导体有限公司 | 以色列内坦亚市 |
| 集成DRAM存储器件 | CN200510129454 | 因芬尼昂技术股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 带有公共预充电器的动态随机存取存储器 | CN200510120433 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 存储器输出级电路以及存储器数据输出的方法 | CN200510131405 | 威盛电子股份有限公司 | 中国台湾台北县 |
| 半导体集成电路装置 | CN200610006409 | 株式会社瑞萨科技 | 日本东京 |
| 具有非易失性存储单元装置的集成半导体存储器及方法 | CN200610059901 | 因芬尼昂技术股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 存储器元件以及正确读取操作窗控制的方法 | CN200510115154 | 旺宏电子股份有限公司 | 台湾省新竹县新竹科学工业园区力行路16号 |
| 为存储器内建自测试提供灵活模块冗余分配的方法和设备 | CN200610006820 | 国际商业机器公司 | 美国纽约 |
| USB连接端子规格记忆卡的读卡座 | CN200520008842 | 庆盟工业股份有限公司 | 台湾省台北市内湖区港墘路200号5楼 |
| IC卡检测仪 | CN200520072702 | 扬州恒信仪表有限公司 | 225215江苏省江都市江都港区白塔北路43号 |
| 1T1C SRAM | CN200480020439 | 兹莫斯技术有限公司 | 美国加利福尼亚 |
| 熔丝结构 | CN200480020282 | 惠普开发有限公司 | 美国德克萨斯州 |
| 半导体存储器件 | CN200480020476 | 尔必达存储器株式会社 | 日本东京 |
| 存储模块及具有该存储模块的存储系统 | CN200610005720 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 开放位线结构的全强度可测试存储器设备及其测试方法 | CN200510129467 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 用于数据的永久存储的方法和存储设备 | CN200510131530 | 因芬尼昂技术股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 具有加强电源的半导体存储器件及其加强电源的方法 | CN200610003635 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 存储器 | CN200610009230 | 三洋电机株式会社 | 日本国大阪府 |
| 具有自更新模式的半导体存储装置和相关的操作方法 | CN200610006091 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 半导体存储器件 | CN200610008869 | 富士通株式会社 | 日本神奈川 |
| 具有用于同步传送和接收信号的部件的存储设备 | CN200610067337 | 因芬尼昂技术股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 具有读出放大器的估计特性的匹配的集成半导体存储器 | CN200610004014 | 因芬尼昂技术股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 半导体存储装置和利用其的存储系统 | CN200610007026 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 将数据存储在非易失性高速缓冲存储器中的设备和方法 | CN200510097425 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 用于控制半导体存储器件中的时序偏移的电路和方法 | CN200610004965 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 包括分层铁磁结构的磁阻器件及制造该磁阻器件的方法 | CN200610008529 | 日本电气株式会社 | 日本东京都 |
| 铁电记录介质及其写入方法 | CN200610001111 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 包括铁电层的数据记录介质及制造该数据记录介质的方法 | CN200610007698 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 采用熔断电路的半导体器件及选择熔断电路系统的方法 | CN200510131606 | 尔必达存储器股份有限公司 | 日本东京 |
| 存储器电路 | CN200510132265 | 松下电器产业株式会社 | 日本大阪 |
| 能利用缓冲器刷新数据的存储器装置及其刷新方法 | CN200510131599 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 半导体存储器件 | CN200510129559 | 松下电器产业株式会社 | 日本大阪府 |
| 具有多位单元阵列结构的磁阻随机存取存储器 | CN200510003456 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 多电平单元存储器器件及相关读取方法 | CN200510131616 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 半导体存储器件 | CN200610003714 | 松下电器产业株式会社 | 日本大阪府 |
| 半导体存储器器件 | CN200610009243 | 松下电器产业株式会社 | 日本大阪府 |
| 基于NAND Flash存储器文件系统的实现方法 | CN200610049678 | 浙江大学 | 310027浙江省杭州市西湖区浙大路38号 |
| 具有闪速熔丝单元阵列的闪速存储设备 | CN200610059257 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 多阶氮化硅只读记忆胞的程序化方法 | CN200510097482 | 旺宏电子股份有限公司 | 中国台湾 |
| 一种擦除一个或多个非易失存储器单元的方法、电路和系统 | CN200610005416 | 赛芬半导体有限公司 | 以色列内坦亚市 |
| 非易失性半导体存储器 | CN200510129684 | 株式会社东芝 | 日本东京都 |
| 测定方法及测定系统 | CN200610007826 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 |
| 存储器装置,存储器控制器及其操作方法 | CN200510136397 | 因芬尼昂技术股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 检测低压铁电随机存取存储器的低压检测器 | CN200610067619 | 海力士半导体有限公司 | 韩国京畿道 |
| 半导体存储系统和在其中传输写入和读取数据信号的方法 | CN200510138043 | 因芬尼昂技术股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 具有用于读写操作的字线定时控件的存储器阵列电路 | CN200610002466 | 株式会社东芝 | 日本东京都 |
| 操作非易失性存储器装置的分页缓冲器的方法 | CN200610005059 | 海力士半导体有限公司 | 韩国京畿道 |
| 同步与数据恢复装置 | CN200610008983 | 因芬尼昂技术股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 一种音频播放终端 | CN200610018646 | 中国船舶重工集团公司第七一九研究所 | 430064湖北省武汉市武昌区中山路450号 |
| 存储器控制装置、改变存储器地址的方法以及存储系统 | CN200610007892 | 佳能株式会社 | 日本东京都 |
| 具有快速列存取的随机存取存储器 | CN200510138064 | 因芬尼昂技术股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 存储器 | CN200610005919 | 三洋电机株式会社 | 日本国大阪府 |
| 半导体存储器装置 | CN200610058210 | 株式会社东芝;大冢宽治;宇佐美保;冲电气工业株式会社;三洋电机株式会社;夏普株式会社;索尼株式会社; | 日本东京都 |
| 互补动态存储器单元及其实现读、写、刷新操作的方法 | CN200610007973 | 北京芯技佳易微电子科技有限公司 | 100084北京市清华科技园学研大厦B座301室 |
| 用于实现存储设备断电的方法和装置 | CN200610067359 | 英飞凌科技股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 改进的双数据速率Ⅱ型动态随机存取存储器数据通路 | CN200610008988 | 因芬尼昂技术股份公司;南亚科技公司 | 德国慕尼黑 |
| 具有交错的局部互连结构的存储单元阵列 | CN200480030197 | 先进微装置公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 防止对磁阻存储器元件错误编程的方法和器件 | CN200480034614 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 荷兰艾恩德霍芬 |
| 用于磁存储器的数据保持指示器 | CN200480034616 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 荷兰艾恩德霍芬 |
| 用于在磁阻存储器件编程期间进行有源场补偿的方法和装置 | CN200480034619 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 荷兰艾恩德霍芬 |
| 具有磁场传感器的MRAM芯片的非均匀屏蔽 | CN200480034657 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 荷兰艾恩德霍芬 |
| 闪存装置 | CN200480034767 | 先进微装置公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 具有用于增加带宽的多阵列结构的存储装置 | CN200480035042 | 英飞凌科技股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 磁光存储介质 | CN200480035111 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 荷兰艾恩德霍芬 |
| 具有快速访问时序的低功率编译器可编程的存储器 | CN200480035312 | 飞思卡尔半导体公司 | 美国得克萨斯 |
| 多阶存储单元的编程方法 | CN200510077659 | 旺宏电子股份有限公司 | 台湾省新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |
| 调整可编程电阻达到预定电阻值的方法 | CN200510079534 | 联华电子股份有限公司 | 台湾省新竹科学工业园区 |
| 一种能量恢复结构的只读存储器存储单元电路 | CN200610028669 | 复旦大学 | 200433上海市邯郸路220号 |
| 铁电存储装置 | CN200610082893 | 精工爱普生株式会社 | 日本东京 |
| 闪存器件的块字线预充电电路 | CN200610083684 | 海力士半导体有限公司 | 韩国京畿道利川市 |
| 利用深亚微米CMOS标准工艺实现的EEPROM电平转换电路及方法 | CN200610089593 | 北京大学 | 100871北京市海淀区颐和园路5号 |
| 半导体存储设备及用于该半导体存储设备的控制方法 | CN200610090031 | 松下电器产业株式会社 | 日本大阪 |
| 相变随机存取存储器器件 | CN200610094100 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 并行数据路径体系结构 | CN200610094660 | 秦蒙达股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 电阻存储器的AC感测 | CN200480035888 | 微米技术有限公司 | 美国爱达荷州 |
| 用于每存储体的多行高速缓存的方法和装置 | CN200480036120 | 英特尔公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 检测器上全息图像的对准 | CN200480036374 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 荷兰艾恩德霍芬 |
| 具有放大率校正的全息设备 | CN200480036383 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 荷兰艾恩德霍芬 |
| 存储设备、信息存储方法、方法以及结构化的材料 | CN200480036443 | 日欧塔控股有限公司 | 澳大利亚新南威尔士 |
| 顺序链芯片中的固定相位的时钟和选通信号 | CN200480036845 | 英特尔公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 电压供应电路和半导体存储器 | CN200510115475 | 富士通株式会社 | 日本神奈川县 |
