| 名称 |
专利号 |
申请者 |
地址 |
| 支持分区的闪存存贮器件 | CN200610052643 | 骆建军;赵 刚;楼向雄 | 310012浙江省杭州市拱墅区大关苑西三苑12幢1单元301室 |
| 移位寄存器 | CN200610101513 | 友达光电股份有限公司 | 中国台湾新竹市 |
| 改善偏压效应的移位寄存器 | CN200610106161 | 友达光电股份有限公司 | 中国台湾新竹市 |
| 具有动态参考电压产生的多位存储器 | CN200480017247 | 斯班逊有限公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 电阻可变材料的初始化方法、包括电阻可变材料的存储器件及包含可变电阻器的非易失性存储电路的初始化方法 | CN200480037496 | 松下电器产业株式会社 | 日本大阪 |
| 半导体装置 | CN200480037578 | 罗姆股份有限公司 | 日本京都府 |
| 埋入式记忆单元结构以及记忆装置的系统结构与操作方法 | CN200510080637 | 联咏科技股份有限公司 | 中国台湾 |
| 具资料显示的闪存储存装置 | CN200510083224 | 群联电子股份有限公司 | 台湾省新竹县 |
| 内存及其偏压方法 | CN200510083699 | 旺宏电子股份有限公司 | 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行路16号 |
| 半导体存储器器件 | CN200510115247 | 富士通株式会社 | 日本神奈川县 |
| 半导体存储器 | CN200510123275 | 富士通株式会社 | 日本神奈川县 |
| 非易失存储器件及其多页编程、读取和复制编程的方法 | CN200510136230 | 海力士半导体有限公司 | 韩国京畿道 |
| 相变存储设备以及对其进行编程的方法 | CN200510136251 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 半导体存储器装置 | CN200610002103 | 海力士半导体有限公司 | 韩国京畿道 |
| 用于操作闪存装置的方法 | CN200610059158 | 因芬尼昂技术弗拉斯有限责任两合公司 | 德国德雷斯登 |
| 集成电路记忆体及其操作方法 | CN200610066187 | 茂德科技股份有限公司 | 中国台湾 |
| 具备音乐播放功能的便携式终端及其均衡器显示方法 | CN200610075876 | 乐金电子（中国）研究开发中心有限公司 | 100102北京市朝阳区望京利泽中园二区203号楼 |
| 存储系统和对存储系统的存储芯片进行存取的方法 | CN200610082692 | 英飞凌科技股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 半导体记忆装置 | CN200610087781 | 松下电器产业株式会社 | 日本大阪府 |
| 用于非易失性半导体存储器件的基准方案 | CN200610088714 | 秦蒙达股份公司;秦蒙达闪存有限责任两合公司 | 德国慕尼黑 |
| 用于非易失性半导体存储单元的检测方案 | CN200610088716 | 秦蒙达股份公司;秦蒙达闪存有限责任两合公司 | 德国慕尼黑 |
| 铁电存储装置、显示用驱动集成电路以及电子设备 | CN200610090428 | 精工爱普生株式会社 | 日本东京 |
| 用于半导体存储器芯片和存储系统的高速接口电路 | CN200610093689 | 秦蒙达股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 半导体存储器件 | CN200610095997 | 松下电器产业株式会社 | 日本大阪府 |
| 铁电存储装置、显示用驱动IC及电子设备 | CN200610098475 | 精工爱普生株式会社 | 日本东京 |
| 设有以不同阈值电压存数据的存储单元的半导体存储装置 | CN200610100148 | 株式会社瑞萨科技 | 日本东京都 |
| 半导体集成电路器件 | CN200610100534 | 松下电器产业株式会社 | 日本大阪府 |
| 驱动存储器设备的字线的电路和方法 | CN200610101119 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 页面缓冲器和非易失性存储器设备 | CN200610101125 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 驱动字线的电路和方法 | CN200610101169 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 数据输入和数据输出控制装置和方法 | CN200610101174 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 用于对多位电荷俘获存储单元阵列编程的方法 | CN200610101605 | 秦蒙达股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 存储器件和半导体器件 | CN200610103086 | 索尼株式会社 | 日本东京都 |
| 具有总线结构的半导体存储模块 | CN200610105506 | 英飞凌科技股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 电流限制电路及半导体存储装置 | CN200610101909 | 尔必达存储器株式会社 | 日本东京 |
| 具有可变驱动电压的相变随机存取存储器 | CN200610105889 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 用于驱动固体电解质单元的方法和设备 | CN200610084013 | 英飞凌科技股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 存储设备以及半导体设备 | CN200610110822 | 索尼株式会社 | 日本东京都 |
| 应用于快闪存储器的电压准位转换电路 | CN200510082839 | 亿而得微电子股份有限公司 | 台湾省新竹县 |
| 包含存储单元与限流器的半导体元件 | CN200510137097 | 旺宏电子股份有限公司 | 中国台湾新竹科学工业园区 |
| N进制掩膜编程存储器 | CN200610100860 | 张国飙 | 610051四川省成都市跳蹬河邮局001信箱 |
| 半导体存储装置及其操作方法 | CN200610106347 | 英飞凌科技股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 低电压工作动态随机访问存储器电路 | CN200480026653 | 兹摩斯科技股份有限公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 集成存储器缓冲器以及用于完全缓冲存储器模块的串行存在检测能力 | CN200480038831 | 英特尔公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 存储装置和用于操作这种存储装置的方法 | CN200480031865 | 英飞凌科技股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 利用有机双极半导体的非易失性铁电薄膜设备和所述设备的制备方法 | CN200480038611 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 荷兰艾恩德霍芬 |
| 在DRAM装置的刷新操作期间用于多次再循环电荷的方法和电路配置 | CN200480038829 | 英飞凌科技股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 具有可变电阻的存储器件、存储电路及半导体集成电路 | CN200480038984 | 松下电器产业株式会社 | 日本大阪 |
| 电阻性存储元件 | CN200580001408 | 英飞凌科技股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 用于确定参考电压的方法、电路和系统 | CN200480038992 | 赛芬半导体有限公司 | 以色列内坦亚 |
| 带电压转换器的存储卡 | CN200620100542 | 骆建军;楚传仁 | 310011浙江省杭州市拱墅区大关苑西三苑12幢1单元301室 |
| 音频记录装置、音频记录方法和音频记录程序 | CN200610098570 | 索尼株式会社 | 日本东京都 |
| 具有连接位线的半导体存储设备及其数据移位方法 | CN200610128504 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 半导体集成电路 | CN200610105982 | 株式会社瑞萨科技 | 日本东京都 |
| 多媒体播放器 | CN200610086007 | 应学勤 | 210002江苏省南京市白下区龙蟠中路318号金龙蟠家苑乙楼506室 |
| 播放音的和音图形输出装置、输出方法及其移动通信终端 | CN200610091200 | 乐金电子（中国）研究开发中心有限公司 | 100022北京市朝阳区建国门外大街乙12号双子座大厦西塔18层 |
| 基于环状磁性多层膜的磁性随机存取存储器及其控制方法 | CN200610000191 | 中国科学院物理研究所 | 100080北京市海淀区中关村南三街8号 |
| 基于闭合状磁性多层膜的磁性随机存取存储器及控制方法 | CN200610011168 | 中国科学院物理研究所 | 100080北京市海淀区中关村南三街8号 |
| 存储器件 | CN200610121391 | 索尼株式会社 | 日本东京都 |
| 存储和再现装置 | CN200610094673 | 索尼公司 | 日本东京都 |
| 页缓冲器电路及采用该电路读取和编程数据的方法 | CN200510135714 | 海力士半导体有限公司 | 韩国京畿道 |
| 包含多位数据的器件 | CN200610101335 | 罗门哈斯电子材料有限公司 | 美国马萨诸塞州 |
| 用于非易失性存储设备的冗余选择器电路 | CN200610108021 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 用于为低功率刷新操作而控制时钟同步电路的电路及方法 | CN200480029643 | 米克伦技术公司 | 美国爱达荷 |
| 存储器系统分段电源供应和控制 | CN200480039414 | 英特尔公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 用于非易失性存储器阵列中的读取误差检测的方法、电路和系统 | CN200480039234 | 赛芬半导体有限公司 | 以色列内坦亚 |
| 用于对非易失性存储器阵列编程的方法、系统和电路 | CN200480039400 | 赛芬半导体有限公司 | 以色列内坦亚 |
| 具有写入/擦除中止检测机制的快闪存储系统 | CN200480039311 | 桑迪士克股份有限公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 用于非易失性存储器的灵活和区域有效的列冗余 | CN200480039299 | 桑迪士克股份有限公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 声控MP3播放器 | CN200520066293 | 陈修志 | 518040广东省深圳市南山区科技园深南花园裙楼403 |
| 存储器 | CN200610105771 | 三洋电机株式会社 | 日本国大阪府守口市京阪本通2丁目5番5号 |
| 半导体器件 | CN200610108144 | 株式会社半导体能源研究所 | 日本神奈川 |
| 基于动态随机存取存储器核心的多端口存储器 | CN200610121201 | 富士通株式会社 | 日本神奈川 |
| 磁存储器 | CN200610092412 | TDK株式会社 | 日本东京 |
| 磁存储器件 | CN200610108532 | TDK股份有限公司 | 日本东京 |
| 铁电存储装置 | CN200610099516 | 精工爱普生株式会社 | 日本东京 |
| 存储器装置与双端口静态随机存取存储器 | CN200610081378 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 |
| 半导体器件及其驱动方法 | CN200610107650 | 株式会社半导体能源研究所 | 日本神奈川县厚木市 |
| 阻抗调整电路和方法 | CN200610105793 | 恩益禧电子股份有限公司 | 日本神奈川 |
| 非易失性半导体存储器件 | CN200610080254 | 松下电器产业株式会社 | 日本大阪府 |
| 非易失性半导体存储器件和信号处理系统 | CN200610076904 | 松下电器产业株式会社 | 日本大阪府 |
| 提高编程速度的非易失性存储器及相关编程方法 | CN200610107602 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 将多级单元快闪存储设备编程的方法和装置 | CN200610110022 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 能够存储多比特数据和单比特数据的闪存设备 | CN200610110020 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 使用重叠位线设置和字线允许间隔编程闪存的方法和电路 | CN200610107497 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 三级非易失半导体存储器设备及其驱动方法 | CN200610110018 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 半导体存储卡和数据读取装置 | CN200610106349 | 松下电器产业株式会社 | 日本大阪府 |
| 半导体存储器件 | CN200610107855 | 松下电器产业株式会社 | 日本大阪府 |
| 半导体存储器件 | CN200610106445 | 松下电器产业株式会社 | 日本大阪府 |
| 嵌入式系统动态存储错误静态检测的实现方法 | CN200610052227 | 浙江大学 | 310027浙江省杭州市西湖区浙大路38号 |
| 相变存储器器件单元测试系统及测试方法 | CN200610028229 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 200050上海市长宁区长宁路865号 |
| 用于存储器接口的内部电压基准 | CN200480040504 | 英特尔公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 用于操作采用无源矩阵寻址的数据存储装置的方法 | CN200480040551 | 薄膜电子有限公司 | 挪威奥斯陆 |
| 刷新半导体存储器中数据的方法和电路结构 | CN200480040556 | 英飞凌科技股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 半导体集成电路器件 | CN200380110822 | 株式会社日立制作所;尔必达存储器股份有限公司 | 日本东京都 |
| 包含多个串联选择装置的NAND存储阵列及其操作方法 | CN200480040896 | 桑迪士克3D公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 用于磁性存储器应用的应力辅助电流驱动切换 | CN200480040445 | 弘世科技公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 记忆体散热装置 | CN200520144211 | 亚毅国际有限公司 | 台湾台北市 |
| 存储器模块和系统以及制造存储器模块的方法 | CN200610093855 | 秦蒙达股份公司 | 德国慕尼黑 |
