| 名称 |
专利号 |
申请者 |
地址 |
| 用于转换具低电流的磁阻式随机存取存储器的磁矩的方法 | CN200610058803 | 财团法人工业技术研究院 | 台湾省新竹县竹东镇中兴路四段195号 |
| 一种同步动态随机存储器控制器部分字访问方法 | CN200610041388 | 江苏中科龙梦科技有限公司 | 215500江苏省常熟市虞山镇梦兰村 |
| 电荷捕获型三电平非易失性半导体存储器器件及驱动方法 | CN200610008628 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 半导体装置 | CN200610108689 | 恩益禧电子股份有限公司 | 日本神奈川 |
| 用于感测存储单元的状态的方法和装置 | CN200610100190 | 秦蒙达闪存有限责任两合公司 | 德国德雷斯登 |
| 半导体存储器件 | CN200610108315 | 株式会社日立制作所;尔必达存储器股份有限公司 | 日本东京都 |
| 用于存储器阵列中数据的DQS | CN200580002671 | 英飞凌科技股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 包含对各个存储单元的多写入脉冲编程的NAND存储阵列及其操作方法 | CN200480041184 | 桑迪士克3D公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 防滑易取的记忆卡 | CN200520037767 | 华东科技股份有限公司 | 中国台湾 |
| 半导体存储器及其刷新时钟信号产生器 | CN200610087787 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 数据记录装置 | CN200610109186 | 株式会社东芝 | 日本东京都港区芝浦一丁目1番1号 |
| 控制多端口随机存取存储器刷新操作的方法和存储器系统 | CN200610153426 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 存储装置、非易失性存储装置以及微处理系统 | CN200610104374 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 |
| 一种在NOR FLASH中配置参数的方法 | CN200510036633 | 中兴通讯股份有限公司 | 518057广东省深圳市南山区高新技术产业园科技南路中兴通讯大厦A座6层 |
| 分子存储器件和方法 | CN200580003411 | 泽塔科尔公司 | 美国科罗拉多州 |
| 具有区块管理系统的非易失性存储器和方法 | CN200480041562 | 桑迪士克股份有限公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 具有ROM矩阵的集成电路器件 | CN200580003366 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 荷兰艾恩德霍芬 |
| 外接式随身硬盘之结构改良 | CN200620002842 | 史秋伟 | 215313江苏省昆山市周市镇（陆杨）友谊北路187号 |
| 用于点对点数据交换的半导体存储器模块单元 | CN200610071156 | 英飞凌科技股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 非混合型存储器控制器和混合型存储器间的封装电路和方法 | CN200610110723 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 安全U盘存储系统及方法 | CN200610021363 | 刘学明 | 610071四川省成都市青羊区金凤路19号14-2-402 |
| 半导体存储器件 | CN200610115037 | 奇梦达股份公司;南亚科技公司 | 德国慕尼黑 |
| 可配置逻辑存储块及基于可编程穿越门的逻辑元件 | CN200610077245 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 中国台湾新竹市 |
| 半导体存储器件 | CN200610111087 | 松下电器产业株式会社 | 日本大阪府 |
| 能够找到开放命令周期以发出预充电包的存储器控制器 | CN200610099776 | 国际商业机器公司 | 美国纽约 |
| 静态随机存取存储器及其操作方法 | CN200510092052 | 力晶半导体股份有限公司 | 中国台湾新竹市 |
| 非易失性高速存储单元 | CN200610062286 | 华为技术有限公司 | 518129广东省深圳市龙岗区布吉坂田华为总部办公楼 |
| 非易失性半导体存储器 | CN200610105867 | 秦蒙达闪存有限责任两合公司 | 德国德雷斯登 |
| 闪存阵列系统及程序化电流稳定方法 | CN200610115505 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 中国台湾新竹市 |
| 动态移位寄存器以及其禁止电路 | CN200610153622 | 友达光电股份有限公司 | 中国台湾新竹市 |
| 使用快慢电压操作的高压驱动器电路 | CN200580004577 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 荷兰艾恩德霍芬 |
| 具有多个RAM芯片的存储装置 | CN200480028373 | 英飞凌科技股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 可靠的相变器件 | CN200580004210 | 能源变换设备有限公司 | 美国密歇根州 |
| 非切换前置和后置干扰补偿脉冲 | CN200580004812 | 薄膜电子有限公司 | 挪威奥斯陆 |
| 非易失性存储器 | CN200580004220 | 株式会社半导体能源研究所 | 日本神奈川县 |
| 通用串行总线储存装置 | CN200620000327 | 英保达股份有限公司 | 台湾省台北市 |
| 半导体装置 | CN200610125665 | 株式会社瑞萨科技 | 日本东京都 |
| 在嵌入式装置选择和播放多媒体文件的方法和设备 | CN200610121808 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道水原市灵通区梅滩3洞416 |
| 存储器控制器以及存储器系统 | CN200610066181 | 联发科技股份有限公司 | 台湾省新竹科学工业园区 |
| 一种基于纳米晶软磁薄膜的磁三明治材料及其制备方法 | CN200510021532 | 电子科技大学 | 610054四川省成都市建设北路二段四号 |
| 磁性存储器件及其制造方法 | CN200610121875 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 基于应变SiGe沟道的高速、高抗辐照的铁电存储器 | CN200610075925 | 清华大学;中国电子科技集团公司第二十四研究所 | 100084北京市100084-82信箱 |
| 存储器 | CN200610121356 | 三洋电机株式会社 | 日本国大阪府守口市京阪本通2丁目5番5号 |
| 高温度灵敏性地生成负偏压的方法 | CN200610121566 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 存储器控制系统和存储器控制电路 | CN200610121863 | 恩益禧电子股份有限公司 | 日本神奈川 |
| 存储器控制器件及其存储器控制方法 | CN200610121576 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 光电存储器装置及其操作方法 | CN200610115059 | 国际商业机器公司 | 美国纽约 |
| 非挥发性存储器及其相关临限电压验证方法与半导体装置 | CN200510093069 | 晶豪科技股份有限公司 | 中国台湾 |
| 用于在非易失性存储器器件中产生提升电压的电路 | CN200610083682 | 海力士半导体有限公司 | 韩国京畿道利川市 |
| 相位变化随机访问存储装置 | CN200610132286 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 增加一氮化物只读存储器阵列的抹除均匀性的结构及方法 | CN200610075472 | 旺宏电子股份有限公司 | 中国台湾新竹科学工业园区 |
| 用于读取非易失性存储单元的方法 | CN200610115051 | 赛芬半导体有限公司 | 以色列内坦亚 |
| 移位寄存器电路 | CN200610115495 | 三星SDI株式会社 | 韩国京畿道水原市 |
| 移位寄存器、扫描线驱动电路、矩阵型装置、电光学装置、电子机器 | CN200610121358 | 精工爱普生株式会社 | 日本东京 |
| 降低耦合效应的移位寄存器与液晶显示器 | CN200610154243 | 友达光电股份有限公司 | 中国台湾新竹市 |
| 通过数据压缩处理以测试存储器的方法 | CN200510092901 | 英业达股份有限公司 | 中国台湾台北市 |
| 烧入期间增加应力占空比的测试模式和测试方法 | CN200610159374 | 奇梦达股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 带有磁性隧道结以热辅助方式写入的磁存储器及其写入方法 | CN200580005654 | 法国国家科学研究中心;法国原子能委员会 | 法国巴黎 |
| 存储装置 | CN200620053531 | 陈 笠 | 519015广东省珠海市吉大吉石路23号 |
| 一种存储卡连接器锁卡机构 | CN200620053711 | 东莞捷仕美电子有限公司 | 523000广东省东莞市大朗镇西牛坡管理区 |
| 存储器设备 | CN200410091683 | 富士通株式会社 | 日本神奈川县 |
| 半导体存储装置及其误码修正方法 | CN200510078607 | 尔必达存储器股份有限公司 | 日本东京 |
| 能稳定设置模式寄存器设置的半导体存储器件及方法 | CN200510069387 | 海力士半导体有限公司 | 韩国京畿道 |
| 半导体存储器装置以及半导体集成电路 | CN200510070161 | 松下电器产业株式会社 | 日本大阪府 |
| 输入/输出电路 | CN200410081891 | 海力士半导体有限公司 | 韩国京畿道 |
| 低功率消耗的半导体存储器件 | CN200510077925 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 高速低功耗电流灵敏放大器 | CN200510026403 | 复旦大学 | 200433上海市邯郸路220号 |
| 用于检测CAM阵列中的多次命中的设备和方法 | CN200510059169 | 国际商业机器公司 | 美国纽约 |
| 对闪存数据的存取进行管理的方法 | CN200410062645 | 深圳市朗科科技有限公司 | 518057广东省深圳市南山高新区高新南一道中国科技开发院孵化大楼6楼 |
| 分离式移动存储装置 | CN200410027887 | 深圳市朗科科技有限公司 | 518057广东省深圳市南山区高新南一道中国科技开发院孵化大楼六楼 |
| 程序化单层复晶硅只读存储器单元的方法 | CN200410050095 | 联华电子股份有限公司 | 台湾省新竹市 |
| 在主机和非易失性存储设备间进行缓冲的多端口存储设备 | CN200510074185 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 包括位线电压箝位电路的闪存装置及其位线电压控制方法 | CN200510079429 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 用于在测试模式产生内部电压的设备和其方法 | CN200510069466 | 海力士半导体有限公司 | 韩国京畿道 |
| 存储器设备 | CN200410091683 | 富士通株式会社 | 日本神奈川县 |
| 半导体存储装置及其误码修正方法 | CN200510078607 | 尔必达存储器股份有限公司 | 日本东京 |
| 能稳定设置模式寄存器设置的半导体存储器件及方法 | CN200510069387 | 海力士半导体有限公司 | 韩国京畿道 |
| 半导体存储器装置以及半导体集成电路 | CN200510070161 | 松下电器产业株式会社 | 日本大阪府 |
| 输入/输出电路 | CN200410081891 | 海力士半导体有限公司 | 韩国京畿道 |
| 低功率消耗的半导体存储器件 | CN200510077925 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 高速低功耗电流灵敏放大器 | CN200510026403 | 复旦大学 | 200433上海市邯郸路220号 |
| 用于检测CAM阵列中的多次命中的设备和方法 | CN200510059169 | 国际商业机器公司 | 美国纽约 |
| 对闪存数据的存取进行管理的方法 | CN200410062645 | 深圳市朗科科技有限公司 | 518057广东省深圳市南山高新区高新南一道中国科技开发院孵化大楼6楼 |
| 分离式移动存储装置 | CN200410027887 | 深圳市朗科科技有限公司 | 518057广东省深圳市南山区高新南一道中国科技开发院孵化大楼六楼 |
| 程序化单层复晶硅只读存储器单元的方法 | CN200410050095 | 联华电子股份有限公司 | 台湾省新竹市 |
| 在主机和非易失性存储设备间进行缓冲的多端口存储设备 | CN200510074185 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 包括位线电压箝位电路的闪存装置及其位线电压控制方法 | CN200510079429 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 用于在测试模式产生内部电压的设备和其方法 | CN200510069466 | 海力士半导体有限公司 | 韩国京畿道 |
