| 名称 |
专利号 |
申请者 |
地址 |
| 存储装置 | CN03824185 | 富士通株式会社 | 日本神奈川县 |
| 电阻性存储元件的双回路检测方案 | CN03824324 | 微米技术有限公司 | 美国爱达荷州 |
| 使用NMOS和PMOS行解码方案带页面方式擦除的闪存体系结构 | CN03824334 | 爱特梅尔股份有限公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 半导体存储器 | CN03824440 | 富士通株式会社 | 日本神奈川县 |
| 软件刷新的存储器设备和方法 | CN03824507 | 微米技术有限公司 | 美国爱达荷州 |
| 半导体存储装置 | CN03824596 | 富士通株式会社 | 日本神奈川县川崎市 |
| 在非易失性存储器中写入的方法以及实现这种方法的系统 | CN03815106 | 艾斯奥托公司 | 法国蒙鲁日 |
| 顺序熔丝锁存器操作移位寄存器 | CN03815257 | 因芬尼昂技术股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 平衡负载存储器和操作方法 | CN03815293 | 飞思卡尔半导体公司 | 美国得克萨斯 |
| 写入切换存储器的电路和方法 | CN03815295 | 飞思卡尔半导体公司 | 美国得克萨斯 |
| 含有铝盐化合物和不对称丙烯酸酯化合物的全息数据存储介质 | CN03815404 | 英法塞技术公司 | 美国科罗拉多州 |
| 半导体存储装置中字线的锁存方法 | CN03815694 | 先进微装置公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 用于延迟电路的方法和装置 | CN03815729 | 米克罗恩技术公司 | 美国爱达荷州 |
| 铁电存储器 | CN03815981 | 塞姆特里克斯公司;艾欧塔科技有限公司 | 美国科罗拉多 |
| 可擦除且可编程非易失性单元 | CN03816168 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 荷兰艾恩德霍芬 |
| 用于预烧测试的存储器装置以及方法 | CN200410028640 | 晶豪科技股份有限公司 | 台湾省新竹科学工业园区新竹市工业东四路23号 |
| 半导体设备 | CN200410086429 | 沖电气工业株式会社 | 日本东京都 |
| 半导体存储装置中的延迟锁定回路及其时钟锁定方法 | CN200410096684 | 海力士半导体有限公司 | 韩国京畿道 |
| 闪盘 | CN200420008975 | 李国威 | 台湾省台北市 |
| MP3播放器 | CN200420071969 | 高建山 | 518052 广东省深圳市南山区前海路星海名城7－3－14D |
| 集成电路 | CN200510001648 | 茂德科技股份有限公司(新加坡子公司) | 新加坡 |
| 相变存储器件和写相变存储器件的方法 | CN200510006246 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 基于晶体管栅极氧化物击穿的组合现场可编程门阵列 | CN200510006472 | 基洛帕斯技术公司 | 美国加州福尼亚州 |
| 采样保持电路 | CN200510052535 | 三洋电机株式会社 | 日本大阪府 |
| 存储设备 | CN200510052645 | 索尼株式会社 | 日本东京都 |
| 半导体存储装置 | CN200510006820 | 夏普株式会社 | 日本大阪市 |
| 磁存储器件及其制造方法 | CN200510006412 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 磁阻器件 | CN200510006413 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 电流阈值检测器 | CN200510006711 | 惠普开发有限公司 | 美国德克萨斯州 |
| 半导体存储器件 | CN200510002825 | 松下电器产业株式会社 | 日本大阪府 |
| 存储器 | CN200510004322 | 三洋电机株式会社 | 日本国大阪府 |
| 具防写功能的微型存储装置 | CN200410000469 | 群联电子股份有限公司 | 台湾省新竹县 |
| 移位寄存器和MOS型固态摄像传感器 | CN200510007828 | 松下电器产业株式会社 | 日本大阪府 |
| 一种嵌入式存储器的测试装置 | CN200410001140 | 北京中星微电子有限公司 | 100083北京市海淀区学院路35号世宁大厦15层 |
| 半导体记忆装置及操作半导体记忆装置方法 | CN03809183 | 因芬尼昂技术股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 热选择交叉点磁性随机存取内存胞元布局 | CN03810023 | 因芬尼昂技术股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 链接记忆架构中冗余 | CN03809207 | 因芬尼昂技术股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 内存可挠冗余 | CN03809449 | 因芬尼昂技术股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 无线传输的可携式储存装置 | CN200420012171 | 资重兴 | 226500 江苏省如皋市蒲行苑207栋303室 |
| 用地址信号设置运行模式的方法和存储系统 | CN200410047184 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 形成不含接触孔的纳米尺寸的磁性隧道结单元的方法 | CN200510004452 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 冗余减轻电路 | CN200510007907 | 冲电气工业株式会社 | 日本东京港区 |
| 在动态存储器中实现查表控制器的方法 | CN200410005143 | 华为技术有限公司 | 518129广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼 |
| 半导体器件 | CN200510007096 | 株式会社日立制作所 | 日本东京 |
| 存储卡和半导体器件 | CN200410011822 | 株式会社东芝 | 日本东京都 |
| 非易失性半导体存储器件 | CN200510007871 | 夏普株式会社 | 日本大阪市 |
| 半导体存储器件和半导体存储器件的测试方法 | CN200510007874 | 夏普株式会社 | 日本大阪市 |
| 调整读出电压的存储器存储装置 | CN200310101518 | 惠普开发有限公司 | 美国德克萨斯州 |
| 具降低粗糙度之电阻性存储元件 | CN03802305 | 因芬尼昂技术股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 利用映像存储器降低备用功率 | CN03810284 | 英特尔公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 具有检查和纠错的内容可寻址存储器(CAM) | CN03810991 | 国际商业机器公司 | 美国纽约州 |
| 串行读出多级单元阵列输出 | CN03811103 | 英特尔公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 于镶嵌结构中制造磁性随机存取内存补偿单元的方法 | CN03811128 | 因芬尼昂技术股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 通过使用关于所存储数据的质量的信息来增加错误校正码的效率和操作多电平存储系统 | CN03811328 | 桑迪士克股份有限公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 叠层型半导体存储装置 | CN200510001763 | 精工爱普生株式会社 | 日本东京 |
| 铁电存储设备 | CN200510001771 | 松下电器产业株式会社 | 日本大阪府 |
| 半导体记忆电路及其待命模式操作方法 | CN200510004154 | 因芬尼昂技术股份公司 | 联邦德国慕尼黑 |
| 半导体器件 | CN200410081864 | 株式会社日立制作所;尔必达存储器株式会社 | 日本东京 |
| 非易失性半导体存储器 | CN200410095461 | 株式会社东芝 | 日本东京都 |
| 用于闪速存储器的数据恢复设备和方法 | CN200510002359 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 移位寄存器及用其的显示驱动装置、显示装置、电子设备 | CN200510001764 | 精工爱普生株式会社 | 日本东京 |
| 用于自适应调节数据接收器的方法和装置 | CN03808276 | 微米技术有限公司 | 美国爱达荷州 |
| 存取单端口存储设备的方法,存储器存取设备,集成电路设备和集成电路设备的使用方法 | CN03808984 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 荷兰艾恩德霍芬 |
| 具有非矩形存储条的存储芯片结构以及用于布置存储条的方法 | CN03808109 | 海力士半导体有限公司 | 韩国京畿道利川市 |
| MRAM制程中穿隧接合帽盖层、穿隧接合硬罩幕及穿隧接合堆栈种子层之材料组合 | CN03808681 | 因芬尼昂技术股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 使用可变电阻存储元件的存储装置及用于该装置的参考电阻值确定方法 | CN03808694 | 索尼株式会社 | 日本东京都 |
| 用于高密度MRAM应用的合成铁氧磁材料传感层 | CN03807585 | 微米技术有限公司 | 美国爱达荷州 |
| 多数据状态存储单元 | CN03808515 | 微米技术有限公司 | 美国爱达荷州 |
| 可编程导体随机存取存储器以及用于检测它的方法 | CN03808768 | 微米技术有限公司 | 美国爱达荷州 |
| 半导体存储装置 | CN03809039 | 株式会社理光 | 日本东京都 |
| 数据存储设备及其刷新方法 | CN03808739 | 矽利康创新有限公司 | 瑞士洛桑 |
| 动态参考编程的算法 | CN03807742 | 先进微装置公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 用于动态页编程的更新设计 | CN03807744 | 先进微装置公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 使用双动态参考的用于多位闪存读取的系统和方法 | CN03808311 | 斯班逊有限公司 | 美国特拉华州 |
| 提供多个工作电压的半导体器件卡 | CN200410081781 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 包含交叉点电阻元件的交叉点存储器阵列的寻址电路 | CN200410104995 | 惠普开发有限公司 | 美国德克萨斯州 |
| 磁随机存取存储器及其制造方法 | CN200410010486 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 磁存储器件 | CN200510004048 | 惠普开发有限公司 | 美国德克萨斯州 |
| 铁电体随机存取存储器器件和驱动方法 | CN200410082025 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 存储电路、半导体装置及电子设备 | CN200410097077 | 精工爱普生株式会社 | 日本东京 |
| 存储电路、半导体装置、电子设备以及驱动方法 | CN200410098794 | 精工爱普生株式会社 | 日本东京 |
| 铁电存储装置、电子设备、以及驱动方法 | CN200410098798 | 精工爱普生株式会社 | 日本东京 |
| 印记抑制电路方案 | CN200410100743 | 因芬奈昂技术股份有限公司 | 联邦德国慕尼黑 |
| 存储电路、半导体装置以及电子设备 | CN200410103648 | 精工爱普生株式会社 | 日本东京 |
| 具有外部数据加载信号的存储器件及其串并数据预取方法 | CN03105434 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 熔丝电路 | CN200410061941 | 海力士半导体有限公司 | 韩国京畿道 |
| 半导体存储装置 | CN200410069288 | 海力士半导体有限公司 | 韩国京畿道 |
| 半导体存储装置 | CN200410069289 | 海力士半导体有限公司 | 韩国京畿道 |
| 半导体存储装置 | CN200410082185 | 松下电器产业株式会社 | 日本大阪府 |
| 用于高速数据存取的半导体存储装置 | CN200410087153 | 海力士半导体有限公司 | 韩国京畿道 |
| 独立式刷新记忆体电容的方法及装置 | CN200410047972 | 华邦电子股份有限公司 | 中国台湾 |
| 根据温度变化而具有最佳刷新周期的半导体存储装置及其方法 | CN200410091089 | 海力士半导体有限公司 | 韩国京畿道 |
| 半导体存储器件的激活电路 | CN200410042400 | 海力士半导体有限公司 | 韩国京畿道 |
| 半导体存储器装置的加电电路 | CN200410101525 | 海力士半导体有限公司 | 韩国京畿道 |
| 半导体存储装置中的加电电路 | CN200410102688 | 海力士半导体有限公司 | 韩国京畿道 |
| 半导体存储装置内的内电压产生电路 | CN200410070306 | 海力士半导体有限公司 | 韩国京畿道 |
| 半导体存储器件及其数据读取和写入方法 | CN200510003962 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 用于相变存储阵列的置位编程方法和写入驱动器电路 | CN200410081973 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 具有加强编程和擦除功能的与非闪速存储器及其制造方法 | CN200410045375 | 阿克特兰斯系统公司 | 美国加利福尼亚州 |
