| 名称 |
专利号 |
申请者 |
地址 |
| 半导体读出电路 | CN200410061527 | 夏普株式会社 | 日本大阪市 |
| 使用时钟信号的数据选通电路 | CN200410061937 | 海力士半导体有限公司 | 韩国京畿道 |
| 具有高级测试模式的半导体存储装置 | CN200410088681 | 海力士半导体有限公司 | 韩国京畿道 |
| 磁性随机存取存储器阵列窄导体设计 | CN03804443 | 因芬尼昂技术股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 在半导体存储器件中提高刷新周期 | CN03804870 | 海力士半导体有限公司 | 韩国京畿道 |
| 用于双单元存储元件的有效读取和编程的方法和系统 | CN03804885 | 桑迪士克股份有限公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 用于防止错误的数据存储的产品和方法 | CN03805318 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 荷兰艾恩德霍芬 |
| 非易失存储器测试结构和方法 | CN03804606 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 荷兰艾恩德霍芬 |
| 磁阻式随机存取内存电路 | CN200420049600 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 台湾省新竹科学工业园区 |
| 磁阻式随机存取存储器电路 | CN200420049602 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 台湾省新竹科学工业园区 |
| 内容联想式存储器 | CN200420016129 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 050051 河北省石家庄市合作路113号44分箱 |
| 移动优盘 | CN200420032354 | 迟翔 | 116105 辽宁省大连市金州区登沙河同心街（大连市103中学） |
| 具有分布式行地址计数器的并发刷新模式的嵌入式DRAM | CN200510002155 | 国际商业机器公司 | 美国纽约 |
| 电源开启重置的解除装置及方法 | CN200410002094 | 威达电股份有限公司 | 台湾省台北县 |
| 闪存的程序化验证方法 | CN200410002265 | 旺宏电子股份有限公司 | 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行路16号 |
| 半导体装置 | CN200510003622 | 松下电器产业株式会社 | 日本大阪府门真市 |
| 验证测试用ROM的方法 | CN200410015919 | 上海华虹集成电路有限责任公司 | 201203上海市浦东张江碧波路572弄39号 |
| 用于拟静态存储装置的异步接口电路和方法 | CN03806542 | 米克伦技术公司 | 美国爱达荷 |
| 铁电内存中增加读取信号 | CN03806556 | 因芬尼昂技术股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 磁阻存储器件和组件以及存储和检索信息的方法 | CN03805754 | 微米技术有限公司 | 美国爱达荷州 |
| 数据存储电路及其中的数据写入方法,以及数据存储设备 | CN03806404 | 索尼株式会社 | 日本东京都 |
| 复合存储电路及具有该电路的半导体器件 | CN03806891 | 索尼株式会社 | 日本东京都 |
| 制造参考层之方法及备有此型参考层之MRAM存储单元 | CN03806913 | 因芬尼昂技术股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 包括多个堆叠的矩阵可寻址存储器件的立体数据存储装置 | CN03806615 | 薄膜电子有限公司 | 挪威奥斯陆 |
| 可寻址内容之记忆单元 | CN03806335 | 因芬尼昂技术股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 具有制程中不易变形的壳体的可携式资讯储存装置 | CN200420073212 | 精威科技股份有限公司 | 台湾台北市基隆路一段333号19楼1910室 |
| 一种嵌入式存储器的测试装置 | CN200420002627 | 北京中星微电子有限公司 | 100083 北京市海淀区学院路35号世宁大厦15层 |
| 内存组件 | CN200510004184 | 因芬尼昂技术股份公司 | 联邦德国慕尼黑 |
| 包含磁致电阻元件的半导体存储装置及其制造方法 | CN200510054834 | 株式会社东芝 | 日本东京都 |
| 可程序金属氧化半导体存储电路及其可程序方法 | CN200410057175 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 台湾省新竹科学工业园区 |
| 半导体存储器设备与定时控制方法 | CN200410080635 | 富士通株式会社 | 日本神奈川县 |
| 存储器装置的位线选择信号发生器 | CN200410057575 | 海力士半导体有限公司 | 韩国京畿道 |
| 有机聚合物存储元件 | CN200510004329 | 惠普开发有限公司 | 美国德克萨斯州 |
| 升压电路和使用了它的非易失性存储器 | CN200510009456 | 株式会社瑞萨科技 | 日本东京 |
| 自动诊断并规划快闪存储器的方法、相关装置及其相关系统 | CN200410030470 | 创惟科技股份有限公司 | 台湾省台北县新店市北新路三段205号12楼 |
| 磁随机存取存储器 | CN03817795 | 日本电气株式会社 | 日本东京都 |
| 互补位PCRAM感测放大器和操作方法 | CN02827370 | 微米技术有限公司 | 美国爱达荷州 |
| 用于多级非易失性集成存储器装置的读出放大器 | CN02823082 | 圣地斯克公司 | 美国加州 |
| 为检测多电平存储单元状态建立参考电平的方法 | CN03818460 | 爱特梅尔股份有限公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 用于擦除闪速存储器的方法和装置 | CN03818440 | 微米技术股份有限公司 | 美国爱达荷州 |
| 在闪存器件的多扇区擦除期间用于控制擦除电压的系统与方法 | CN03817940 | 先进微装置公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 一种车载MP3音响装置 | CN200420052320 | 范锦华;江健 | 361006 福建省厦门市湖里区康乐新村234号301室 |
| 基于串行高级技术结构接口的半导体存储装置 | CN200310117713 | 深圳市朗科科技有限公司 | 518057广东省深圳市南山区高新南一道中国科技开发院孵化大楼六楼 |
| 存储装置读取相位自动校正方法与相关机制 | CN200310124343 | 瑞昱半导体股份有限公司 | 台湾省新竹科学园区 |
| 闪存介质中的数据操作方法 | CN200310117716 | 深圳市朗科科技有限公司 | 518057广东省深圳市南山区高新南一道中国科技开发院孵化大楼六楼 |
| 闪存介质数据写入方法 | CN200310117714 | 深圳市朗科科技有限公司 | 518057广东省深圳市南山区高新南一道中国科技开发院孵化大楼六楼 |
| 用于存储设备的预测定时校准 | CN01811227 | 微米技术股份有限公司 | 美国爱达荷州 |
| 具有以有机半导体为基础的晶体管及非易失性读/存储器胞元的半导体装置 | CN02822846 | 因芬尼昂技术股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 熔丝技术及操作方法 | CN03804226 | 因芬尼昂技术股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 涡卷式单向伸缩的MP3播放器 | CN200420043771 | 张文汉 | 518101 广东省深圳市宝安40区宝安电子城大厦D座15F |
| 存储器和存储器电路 | CN03810475 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 荷兰艾恩德霍芬 |
| 在存储器装置中恢复超擦比特的方法 | CN03823881 | 爱特梅尔股份有限公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 具有可编程阈值电压的DMOS器件 | CN03824153 | 通用半导体公司 | 美国纽约 |
| 半导体存储装置及其控制方法 | CN200380100615 | 富士通株式会社 | 日本神奈川县 |
| 非易失性存储器及其写入方法 | CN200380100721 | 富士通株式会社 | 日本神奈川县川崎市 |
| 半导体器件及半导体器件的控制方法 | CN200380100725 | 富士通株式会社 | 日本神奈川县 |
| 小型电可擦可编程只读存储器矩阵结构 | CN200410017785 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 201203上海市浦东新区张江高科技园区张江路18号 |
| 提高数据存取速度的移动存储装置及方法 | CN200410026950 | 深圳市朗科科技有限公司 | 518057广东省深圳市南山区高新南一道中国科技开发院孵化大楼六楼 |
| 存储盘及蛋白指纹在电子病历中的用途 | CN200410033841 | 李晓燕;许 曦 | 100176北京市亦庄天华园3里一栋洋房3区4栋4号 |
| 非易失性内存防止过度擦除的电路及方法 | CN200410042221 | 晶豪科技股份有限公司 | 台湾省新竹 |
| 车用行动MP3播放装置 | CN200410042274 | 同致电子企业股份有限公司 | 台湾省桃园县 |
| 包括自身ID信息的存储器件 | CN200410103718 | 海力士半导体有限公司 | 韩国京畿道 |
| 每个非易失存储单元可存储和检索多数字位的集成电路 | CN96197452 | 阿加特半导体公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 用于自行确定电可擦可编程只读存储器的编程／擦除所需高电压的方法和装置 | CN96198209 | 西门子公司 | 联邦德国慕尼黑 |
| 对非易失存储器的每单次擦除的多重写入 | CN96198382 | 英特尔公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 只读存储器及其寻址方法 | CN96198868 | 西门子公司 | 联邦德国慕尼黑 |
| 倍压装置 | CN96199658 | 西门子公司 | 联邦德国慕尼黑 |
| 用分布式学习方法对闪速存储器编程 | CN96199996 | 英特尔公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 大容量掉电保护存贮器模块 | CN96218900 | 北京市宏空科技有限责任公司 | (100039)北京市石景山区玉泉北路１７号 |
| 减少其输入缓冲电路所消耗的电流的同步型半导体存储器 | CN97102029 | 三菱电机株式会社 | 日本东京都 |
| 半导体存储装置 | CN97102207 | 三菱电机株式会社 | 日本东京 |
| 多比特单元的数据检测设备及方法 | CN97102256 | LG半导体株式会社 | 韩国忠清北道 |
| 具有能克服负载波动保持稳定输出电平的内电源电路的半导体集成电路器件 | CN97102317 | 三菱电机株式会社 | 日本东京都 |
| 减小漏电流的半导体存储器 | CN97102674 | 三菱电机株式会社 | 日本东京都 |
| 半导体存储器 | CN97102817 | 冲电气工业株式会社 | 日本东京 |
| 信号发生器 | CN97103193 | 冲电气工业株式会社 | 日本东京 |
| 字线驱动器电路 | CN97103778 | 汤森、汤森和克鲁LLP | 美国加利福尼亚州 |
| 减小块写入功率的装置和方法 | CN97104271 | 现代电子美国公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 铁电元件及其制备方法 | CN97109593 | 株式会社日立制作所 | 日本东京都 |
| 半导体集成电路 | CN97110738 | 株式会社日立制作所; 日立超爱尔爱斯爱工程股份有限公司 | 日本东京 |
| 半导体存储装置 | CN97110944 | 三菱电机株式会社 | 日本东京都 |
| 非易失存储器器件 | CN97101081 | ＬＧ半导体株式会社 | 韩国忠清北道 |
| 半导体存储器件 | CN97102929 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 非易失性存储装置 | CN97103086 | ＬＧ半导体株式会社 | 韩国忠清北道 |
| 只读存储器的分页模式编程电路 | CN97104252 | 盛群半导体股份有限公司 | 中国台湾 |
| 升压电路和驱动该电路的方法 | CN97105546 | 冲电气工业株式会社 | 日本东京 |
| 半导体只读存储器和读取存储在该存储器中的数据的方法 | CN97107264 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 同步半导体存储装置 | CN97110096 | 冲电气工业株式会社 | 日本东京 |
| 半导体存储装置及其测试方法 | CN97110232 | 三菱电机株式会社 | 日本东京都 |
| 半导体存储器 | CN97110395 | 冲电气工业株式会社 | 日本东京 |
| 共享自举电路 | CN97112164 | 汤森和汤森和克鲁ＬＬＰ | 美国加利福尼亚州 |
| 电可擦除可编程存储器的感测电路 | CN97112323 | 盛群半导体股份有限公司 | 台湾省新竹市科学工业园区研新二路三号 |
| 擦除闪速存储器的方法 | CN97112503 | 现代电子产业株式会社 | 韩国京畿道 |
| 智能易失性存储器的初始化的系统和方法 | CN97112966 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 模拟先入先出存储器和开关器件 | CN97113185 | 松下电器产业株式会社 | 日本大阪 |
| 带有测试电路的半导体集成电路 | CN97113300 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 半导体电路装置 | CN97113849 | 三菱电机株式会社 | 日本东京都 |
| 具有存储功能的半导体装置及其数据读出方法 | CN97113852 | 三菱电机株式会社 | 日本东京都 |
| ＲＯＭ电路 | CN97114061 | 株式会社理光 | 日本东京都 |
