| 名称 |
专利号 |
申请者 |
地址 |
| 产生欧姆接触及制造设有该种欧姆接触的半导体器件的方法 | CN96191499 | 艾利森电话股份有限公司 | 瑞典斯德哥尔摩 |
| 清洗多层牺牲腐蚀的硅衬底的方法 | CN96191635 | 利顿系统公司 | 美国加利福尼亚州９１３６７－６６９８ |
| 制造半导体器件的方法、显示装置、电子设备 | CN96191902 | 精工爱普生株式会社 | 日本东京都 |
| 多层静电吸盘及制造方法 | CN96192475 | 兰姆研究公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 高性能的集成电路封装 | CN96192534 | 英特尔公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 一种制备具有低漏电流和低极化疲劳性能的电器件的方法 | CN96192611 | 塞姆特里克斯公司、松下电器产业株式会社 | 美国科罗拉多州 |
| 具有混合层状超点阵材料的集成电路及用于制备该电路的前体溶液 | CN96192642 | 松下电器产业株式会社、塞姆特里克斯公司 | 日本大阪 |
| 固定值存储单元装置及其制作方法 | CN96192693 | 西门子公司 | 联邦德国慕尼黑 |
| 驱动场效应晶体管的方法 | CN96192782 | 西门子公司 | 联邦德国慕尼黑 |
| 击穿电压增加的双极绝缘体上硅晶体管 | CN96193285 | 艾利森电话股份有限公司 | 瑞典斯德哥尔摩 |
| 介质电容器的底层电极结构及其制造方法 | CN96193301 | 塞姆特里克斯公司、松下电器产业株式会社 | 美国科罗拉多 |
| 一种制作在半导体管芯上的功率晶体管 | CN96193307 | 艾利森电话股份有限公司 | 瑞典斯德哥尔摩 |
| 含有钛阻挡层的焊料凸点结构及其形成方法 | CN96193314 | 统一国际有限公司 | 荷属安的列斯 |
| 固定值存储器单元装置及其制造方法 | CN96193413 | 西门子公司 | 联邦德国慕尼黑 |
| 芯片罩盖 | CN96193480 | 西门子公司 | 联邦德国慕尼黑 |
| 一种密封的光电元件及其制造方法 | CN96193583 | 艾利森电话股份有限公司 | 瑞典斯德哥尔摩 |
| 集成再分布路径导体和焊料突点的形成方法及形成的结构 | CN96193624 | 统一国际有限公司 | 荷属安的列斯 |
| 共面Ｘ射线光电二极管装配器 | CN96193669 | 模拟技术有限公司 | 美国马萨诸塞州 |
| 半导体晶圆片用的竖直支架 | CN96193695 | 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司 | 美国马萨诸塞州 |
| 带有氮化镓有源层的双异质结发光二极管 | CN96193819 | 克里 公司 | 美国北卡罗莱纳 |
| 处理半导体基片的半导体处理系统和方法 | CN96193829 | 泰格尔公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 含有多孔硅的电致发光器件 | CN96193839 | 英国国防部 | 英国汉普郡 |
| 用于在容器中湿处理衬底的方法及设备 | CN96193885 | 施蒂格微技术有限公司 | 联邦德国普里茨豪森 |
| 超声波转换器 | CN96193895 | 西门子公司 | 联邦德国慕尼黑 |
| 一种散热片及其形成的方法和组件 | CN96193944 | 瑞堡德合金有限公司 | 英国威尔特郡 |
| 等离子体蚀刻系统 | CN96194041 | 泰格尔公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 半导体组件 | CN96194071 | 株式会社日立制作所、日立化成工业株式会社 | 日本东京都 |
| 具有与布线基板电连接的半导体芯片的半导体器件 | CN96194131 | 日立化成工业株式会社 | 日本东京 |
| 半导体单元的封装体、其封装方法及其封装材料 | CN96194158 | 松下电器产业株式会社 | 日本大阪府 |
| 带球栅网阵列电路的柔性引线 | CN96194355 | 美国３Ｍ公司 | 美国明尼苏达州 |
| 包含基材和线路层、且在基材和线路层之间带有缓冲层的集成电路 | CN96194607 | 松下电器产业株式会社、塞姆特里克斯公司 | 日本大阪 |
| 电可写可擦的只读存储单元装置及其制作方法 | CN96194694 | 西门子公司 | 联邦德国慕尼黑 |
| 用于微电子学结构的电子束处理的膜 | CN96194746 | 联合讯号公司 | 美国新泽西州 |
| 用于涂有绝缘材料层的电子卡的芯片及含该芯片的电子卡 | CN96194764 | 索莱克公司 | 法国蒙特鲁日 |
| 制备陶质多层基片的方法 | CN96194770 | 罗伯特·博施有限公司 | 联邦德国斯图加特 |
| 电可擦除可编程的、非易失的存储单元 | CN96194823 | 西门子公司 | 联邦德国慕尼黑 |
| 半导体器件的制造方法 | CN96194858 | 株式会社日立制作所 | 日本东京都 |
| 单片线性光耦合器的制造方法 | CN96195015 | 西门子微电子公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 单片线性光耦合器 | CN96195016 | 西门子微电子公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 用化学机械抛光除去旋涂介质的速率情况 | CN96195054 | 联合讯号公司 | 美国新泽西州 |
| 使用电子束辐照固化旋涂玻璃膜的方法 | CN96195125 | 联合讯号公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 包含浮栅ＭＯＳＦＥＴ的光探测器 | CN96195181 | 拉多斯技术公司 | 芬兰图尔库 |
| 制造只读存储器单元阵列的方法 | CN96195220 | 西门子公司 | 联邦德国慕尼黑 |
| 一种通过控制材料的孪晶结构取向而产生移动和力的方法及其应用 | CN96195352 | 卡里·马尔蒂·乌拉科 | 芬兰埃斯波 |
| 带有至少两个彼此绝缘的元件的集成电路装置及生产方法 | CN96195393 | 西门子公司 | 联邦德国慕尼黑 |
| 半导体晶片加工用粘合剂和胶带 | CN96195436 | 美国３Ｍ公司 | 美国明尼苏达州 |
| 用于集成电路晶片传送组件的对接和环境净化系统 | CN96195606 | 塞米法布公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 线接合带状焊球网格布置封套 | CN96195642 | 美国３Ｍ公司 | 美国明尼苏达州 |
| 载体、半导体器件及其安装方法 | CN96195696 | 松下电器产业株式会社 | 日本大阪 |
| 固体摄象装置及其制造方法 | CN96196024 | 松下电器产业株式会社 | 日本大阪 |
| 用极化辐照和背面辐照方法清除物质 | CN96196069 | 大锅有限合伙人公司 | 美国马利兰州 |
| 用于网格焊球阵列的顶装式插座 | CN96196192 | ＰＣＤ公司 | 美国马萨诸塞州 |
| 干燥基片表面的方法 | CN96196222 | 伊托普开发有限公司 | 联邦德国米斯特尔高 |
| 半导体器件 | CN96196237 | 中田仗＊＊ | 日本京都府城阳市 |
| 电子元件及其制造方法 | CN96196393 | 株式会社东芝 | 日本神奈川县川崎市 |
| 具有极化兼容缓冲层的金属绝缘体半导体结构 | CN96196432 | 塞姆特里克斯公司、松下电器产业株式会社 | 美国科罗拉多 |
| 用于粘合电子器件的可变形基片部件 | CN96196568 | 美国３Ｍ公司 | 美国明尼苏达州 |
| 成像系统及方法 | CN96196642 | 西玛茨有限公司 | 芬兰埃斯波 |
| 散热器 | CN96196649 | 西门子公司 | 联邦德国慕尼黑 |
| 制造一种ＥＥＰＲＯＭ－半导体结构的方法 | CN96196691 | 西门子公司 | 联邦德国慕尼黑 |
| 光电池 | CN96196958 | 德国赫彻斯特研究技术两合公司 | 联邦德国法兰克福 |
| 用于制造快速电可擦可编只读存储器的存储单元阵列的源区的方法 | CN96197043 | 西门子公司 | 联邦德国慕尼黑 |
| 芯片组件及其制造方法和设备以及微电子元件制造方法 | CN96197128 | 德塞拉股份有限公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 半导体晶片暴露表面的修整方法 | CN96197135 | 美国３Ｍ公司 | 美国明尼苏达州 |
| 光电二极管及其制造方法 | CN96197152 | 西门子公司 | 联邦德国慕尼黑 |
| 压电振子部件、压电振子支撑结构和压电振子安装方法 | CN96197193 | 三井化学株式会社 | 日本东京 |
| 半导体芯片与至少一个接触面的电连接方法 | CN96197201 | 西门子公司 | 联邦德国慕尼黑 |
| 用于集成电路的含有用专用腔室淀积的两薄层钛的金属堆栈 | CN96197259 | 英特尔公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 自对准局域深扩散发射极太阳能电池 | CN96197446 | 埃伯乐太阳能公司 | 美国宾夕法尼亚 |
| 热电组件的制造及制造过程中所使用的焊料 | CN96197447 | 米尔科公司 | 美国新泽西 |
| 改进的抛光浆料和其使用方法 | CN96197567 | 罗德尔控股公司 | 美国特拉华 |
| 可焊式晶体管夹子和散热器 | CN96197600 | 热合金公司 | 美国德克萨斯州 |
| ＣＭＯＳ中关断态栅极氧化层电场的减小 | CN96197631 | 西门子公司 | 联邦德国慕尼黑 |
| 电路部件搭载用基板 | CN96198213 | 揖斐电株式会社 | 日本岐阜县 |
| 晶片处理液及其制造方法 | CN96198370 | 大金工业株式会社 | 日本大阪府 |
| 在用于集成电路的金属堆栈中钛和铝合金之间的改进界面 | CN96198410 | 英特尔公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 在真空处理装置中静电夹持绝缘工作的方法和装置 | CN96198412 | 兰姆研究有限公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 硅化物块熔丝器件 | CN96198416 | 英特尔公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 半导体器件的制造方法 | CN96198419 | 艾利森电话股份有限公司 | 瑞典斯德哥尔摩 |
| 用于在半导体衬底上制成很小结构宽度的方法 | CN96198424 | 西门子公司 | 联邦德国慕尼黑 |
| 半导体存储器及其制造方法 | CN96198458 | 株式会社日立制作所 | 日本东京 |
| 由掺杂的玻璃形成源／漏 | CN96198466 | 英特尔公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 半导体器件及其制造方法以及装配基板 | CN96198629 | 株式会社日立制作所 | 日本东京 |
| 晶片安装方法与晶片安装设备 | CN96198679 | 艾利森电话股份有限公司 | 瑞典斯德哥尔摩 |
| 辐射检测器和成象装置及其制造方法和用途 | CN96198687 | 西玛茨有限公司 | 芬兰埃斯波 |
| 化学机械抛磨的间隔绝缘材料顶层 | CN96198689 | 英特尔公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 半导体晶片的加工方法和ＩＣ卡的制造方法以及载体 | CN96198789 | 株式会社日立制作所 | 日本东京都 |
| 用于引线成形装置的无轴轧辊 | CN96198806 | 先进自动化体系有限公司 | 新加坡共和国新加坡 |
| 形成具有降低的金属杂质的介电层的方法 | CN96198872 | 西利康瓦利集团热量系统公司 | 美国加利福尼亚州 |
| Ⅲ－Ⅴ／Ⅱ－Ⅵ族半导体界面的制备方法 | CN96198955 | 美国３Ｍ公司、菲利浦电子股份有限公司 | 美国明尼苏达州 |
| 采用电淀积方法制备用于生产高效太阳能电池的Ｃｕ Iｎ Gａ Sｅ (ｘ＝０－２，ｙ＝０－２，ｚ＝０－２，ｎ＝０－３） | CN96199008 | 戴维斯，约瑟夫和尼格利、约瑟夫和尼格利 | 美国得克萨斯 |
| 半导体限流设备 | CN96199113 | 西门子公司 | 联邦德国慕尼黑 |
| 适于倒装法组装的电气元件触极的制作方法 | CN96199161 | 埃普科斯股份有限公司 | 联邦德国慕尼黑 |
| 混合信号应用系统建模方法及实现该方法的单片现场可编程系统 | CN96199315 | 半导体研究及设计公司 | 西班牙特雷斯堪托斯 |
| 具有倒装的器件矩阵的电路结构的制造方法 | CN96199400 | 恩德威夫公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 具有倒装的器件矩阵的电路结构 | CN96199402 | 恩德威夫公司 | 美国加利福尼州 |
| 大规模集成半导体存储器和制造该半导体存储器的方法 | CN96199545 | 西门子公司 | 联邦德国慕尼黑 |
| 光电池太阳能屋面 | CN96199600 | 阿特兰蒂斯日光系统有限公司 | 瑞士伯尔尼 |
| 光电传感元件 | CN96199674 | 约汉斯·海登海因有限公司、硅传感器有限公司 | 联邦德国特劳恩鲁特 |
