| 名称 |
专利号 |
申请者 |
地址 |
| 超延迟编程ROM及制造方法 | CN01811410 | 摩托罗拉公司 | 美国伊利诺斯 |
| 作为稳定空穴-注入电极用于高效有机电子器件的多层结构 | CN01811439 | 杜邦显示器股份有限公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 发光二极管芯片及其制造方法 | CN01811447 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 德国雷根斯堡 |
| 用于高效像素化有机电子设备的高电阻导电聚合物 | CN01811502 | 杜邦显示器股份有限公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 磁阻效应元件与利用此磁阻效应元件的磁阻效应型磁头及磁存储与还原装置 | CN01811520 | 松下电器产业株式会社 | 日本大阪府门真市 |
| 有机电子设备中的溶液处理的有机电活性层的热处理 | CN01811524 | 杜邦显示器股份有限公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 压电弯曲变换器 | CN01811557 | 西门子公司 | 德国慕尼黑 |
| 发光器件 | CN01811604 | 剑桥显示技术有限公司 | 英国剑桥 |
| 半导体晶片的制造方法 | CN01811619 | 三菱住友硅晶株式会社 | 日本东京都 |
| 晶片粘接时用于经加热基板的机械夹持器 | CN01811664 | 先进微装置公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 消耗品的消耗程度预测方法、沉积膜厚度预测方法及等离子体处理装置 | CN01811665 | 东京毅力科创株式会社 | 日本东京都 |
| 用于穿通非外延型绝缘栅双极型晶体管的缓冲区的氢注入 | CN01811704 | 国际整流器公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 具有电镀电阻器的印刷电路板的制造方法 | CN01811722 | 麦克德米德有限公司 | 美国康涅狄格州 |
| 软恢复功率二极管和相关方法 | CN01811785 | 快捷半导体有限公司 | 美国缅因 |
| 具有锑注入的高频晶体管器件及其制造方法 | CN01811833 | 艾利森电话股份有限公司 | 瑞典斯德哥尔摩 |
| 具有埋置电容器的电子封装及其制造方法 | CN01811834 | 英特尔公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 用于输入/输出的球限定冶金结构及其制造方法 | CN01811988 | 英特尔公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 具有用于输入/输出的分段球限定冶金结构的器件的布图和方法 | CN01811989 | 英特尔公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 带有耦合输出结构的发光二极管 | CN01811993 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 德国雷根斯堡 |
| 形成具有洁净区的外延硅片的方法和装置 | CN01812067 | MEMC电子材料有限公司 | 美国密苏里州 |
| 具有改善的颗粒污染性能的半导体处理设备 | CN01812083 | 兰姆研究公司 | 美国加利福尼亚 |
| 电子元器件的树脂封装方法及其所采用的孔版 | CN01812147 | 东丽工程株式会社 | 日本大阪市 |
| 存储单元阵列中失效存储单元的实际位置的自动判定与显示 | CN01812247 | 先进微装置公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 处理装置运转的监视方法 | CN01812248 | 东京毅力科创株式会社 | 日本东京都 |
| 相对于未掺杂二氧化硅和氮化硅能选择性蚀刻掺杂二氧化硅的蚀刻剂,其使用方法和形成的结构 | CN01812321 | 微米技术股份有限公司 | 美国爱达荷州 |
| 电子材料的制造方法 | CN01812334 | EKC技术公司 | 美国加利福尼亚 |
| 高速低功率半导体存储器结构 | CN01812359 | 马赛克系统有限公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 功率半导体器件及其制造方法 | CN01812377 | ABB瑞士有限公司 | 瑞士巴登 |
| 凸起形成装置和方法 | CN01812387 | 松下电器产业株式会社 | 日本大阪府 |
| 锁料室 | CN01812425 | 应用材料有限公司 | 美国加利福尼亚 |
| 单结晶晶片及太阳电池单元 | CN01812499 | 信越半导体株式会社 | 日本东京都 |
| 用于集成电路熔丝的单脉冲切断的紫外激光系统和方法 | CN01812513 | 电子科学工业公司 | 美国俄勒冈州 |
| 刻蚀半导体结构中的钨或氮化钨栅极的方法 | CN01812516 | 应用材料有限公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 半导体光检测装置 | CN01812526 | 浜松光子学株式会社 | 日本静冈县 |
| 剥除时间反馈控制以减少剥除后晶体管栅极临界尺寸变化 | CN01812560 | 先进微装置公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 产生辐射的半导体芯片 | CN01812608 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 德国雷根斯堡 |
| 光接收器件及含有该光接收器件的光接收模块 | CN01812621 | 三洋电机株式会社;鸟取三洋电机株式会社 | 日本大阪府 |
| 染料敏化的光电转换元件 | CN01812742 | 日本化药株式会社 | 日本东京 |
| 功率金属氧化物半导体晶体管的配置 | CN01812833 | LM艾瑞克生电话公司 | 瑞典斯德哥尔摩市 |
| 形成具有洁净区的硅片的方法和装置 | CN01812846 | MEMC电子材料有限公司 | 美国密苏里州 |
| 形成具有洁净区的硅片的方法和装置 | CN01812847 | MEMC电子材料有限公司 | 美国密苏里州 |
| 利用化学吸附技术形成硼化物阻挡层 | CN01812886 | 应用材料有限公司 | 美国加利福尼亚 |
| 具有基于氮化镓的辐射外延层序列的发光二极管芯片及其制造方法 | CN01812915 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 德国雷根斯堡 |
| 功率金属氧化物半导体场效晶体管中的配置 | CN01812925 | LM艾瑞克生电话公司 | 瑞典斯德哥尔摩市 |
| 功率半导体模块 | CN01812930 | 欧佩克·欧拉帕舍·盖塞尔沙夫特·冯·雷斯坦沙布莱特两合公司;西门子股份有限公司 | 德国瓦尔施滕-贝勒克 |
| 外壳器件及其中所用的接触单元 | CN01812931 | 欧佩克·欧拉帕舍·盖塞尔沙夫特·冯·雷斯坦沙布莱特两合公司 | 德国瓦尔施滕-贝勒克 |
| 流体压力刻印光刻技术 | CN01812944 | 纳诺尼克斯公司 | 美国新泽西 |
| 解决与蚀刻沟道过程有关的光学边缘效应的器件与方法 | CN01812958 | 通用半导体公司 | 美国纽约 |
| 具有集成电路的电子芯片组件及其制造方法 | CN01813007 | 因芬尼昂技术股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 半导体装置 | CN01813021 | 新藤电子工业株式会社 | 日本东京都 |
| 结合光捕获阵列的太阳能电池 | CN01813169 | 北卡罗莱纳州立大学;约翰斯霍普金斯大学 | 美国北卡罗莱纳州罗利 |
| 半导体元件的接触连接方法 | CN01813237 | 因芬尼昂技术股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 具有受吸气层保护的氢退化介电层的集成电容器件 | CN01813251 | 工程吸气公司 | 意大利莱内特 |
| 微电子压电结构 | CN01813280 | 摩托罗拉公司 | 美国伊利诺斯州 |
| 薄膜压电元件 | CN01813370 | 松下电器产业株式会社 | 日本国大阪府门真市 |
| 一种制造多位存储器单元的方法 | CN01813445 | 因芬尼昂技术股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 淀积所选厚度的层间电介质以在半导体片上形成总体最佳平面性 | CN01813454 | 爱特梅尔股份有限公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 具有至少一只发光二极管作为光源的照明单元 | CN01813552 | 电灯专利信托有限公司;奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 德国慕尼黑海拉布伦纳街1号 |
| 高效率的发光材料 | CN01813596 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 德国雷根斯堡 |
| 包括具有嵌入式电容器的内插器的电子装置及其制作方法 | CN01813638 | 英特尔公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 辐射源和用于制造透镜模的方法 | CN01813772 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 德国雷根斯堡 |
| 在网状载体上的热界面材料 | CN01813774 | 英特尔公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 包括-需要电极化的热电物质层的热释传感器的制造方法 | CN01813783 | 洛桑生态综合技术联合公司 | 瑞士洛桑 |
| 存储单元,存储单元装置和制造方法 | CN01813957 | 因芬尼昂技术股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 薄膜结构体及其制法以及加速传感器及其制法 | CN01813971 | 三菱电机株式会社 | 日本东京都 |
| 耐振动冲击的散热器组件 | CN01813988 | 地科电子物流股份公司 | 瑞士施泰纳赫 |
| 产生辐射的半导体芯片和发光二极管 | CN01814019 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 德国雷根斯堡 |
| 基片处理装置及处理方法 | CN01814042 | 东京毅力科创株式会社 | 日本东京都 |
| 低介电氮化硅膜及其制造方法和半导体器件及其制造工艺 | CN01814050 | 东京毅力科创株式会社 | 日本国东京都 |
| 电子元件及其制造方法 | CN01814061 | 摩托罗拉公司 | 美国伊利诺斯 |
| 将金属接点沉积在埋栅太阳能电池上的方法及由该方法获得的太阳能电池 | CN01814185 | IPU生产研究院;乐思(荷比卢经济联盟)化学有限公司 | 丹麦灵比 |
| 在半导体衬底上制造无源元件的方法 | CN01814189 | 单片集成电路半导体两合股份有限公司 | 德国乌耳姆市 |
| 硅内沟道结构底部的厚氧化层 | CN01814216 | 费查尔德半导体有限公司 | 美国缅因州 |
| 半导体发光器件及其制造工艺 | CN01814308 | 索尼株式会社 | 日本东京 |
| 半导体芯片及其制造方法 | CN01814332 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 德国雷根斯堡 |
| 功率MOSFET及利用自对准体注入制作其的方法 | CN01814377 | 快捷半导体有限公司 | 美国缅因 |
| 薄膜结构体的制造方法 | CN01814446 | 三菱电机株式会社 | 日本东京都 |
| 功率MOSFET及其形成和工作方法 | CN01814460 | 硅无线公司 | 美国北卡罗来纳州 |
| 用于处理半导体器件的稳定性的方法和系统 | CN200410025414 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 201203上海市浦东新区张江路18号 |
| 预测保养日期的方法以及仪器 | CN200410059495 | 旺宏电子股份有限公司 | 中国台湾 |
| 金属碳化物衬底表面的处理方法及这种金属碳化物衬底 | CN200410083276 | 齐卡博制陶业有限公司 | 荷兰海尔蒙德 |
| 从箔片分离半导体芯片的方法和用于安装半导体芯片的设备 | CN200510064978 | 优利讯国际贸易有限责任公司 | 瑞士卡姆 |
| 被涂覆腔室部件的翻新 | CN200510071773 | 应用材料有限公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 信息存取方法和系统、内部知识树更新方法、信息抽取系统 | CN200510072523 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 |
| 清洗远程等离子体产生管的方法及处理衬底的设备和方法 | CN200510074008 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 半导体器件及其制造方法 | CN200510074018 | 株式会社半导体能源研究所 | 日本神奈川县厚木市 |
| 加工装置 | CN200510076524 | 株式会社迪思科 | 日本东京都 |
| 结晶方法及其装置 | CN200510077525 | LG.菲利浦LCD株式会社 | 韩国首尔 |
| 稳定等离子体处理的方法和设备 | CN200510079835 | 应用材料有限公司 | 美国加利福尼亚 |
| 衬底处理装置 | CN200510080979 | 未来视野股份有限公司 | 日本东京都 |
| 制备显示装置的方法 | CN200510082115 | 三星SDI株式会社 | 韩国京畿道 |
| 粘贴在粘着薄片上的基体片的制造方法、半导体晶片及半导体装置的制造方法 | CN200510089616 | 夏普株式会社 | 日本大阪市 |
| 形成半导体器件的电容器的方法 | CN200510077892 | 海力士半导体有限公司 | 韩国京畿道 |
| 半导体制造方法和曝光掩模 | CN200410097359 | 富士通株式会社 | 日本神奈川县 |
| 包括具有受限电流密度的氧化钒传感器元件的半导体器件 | CN200510073776 | 恩益禧电子股份有限公司 | 日本神奈川县 |
| 在半导体装置中形成多晶硅层的方法 | CN200510051955 | 海力士半导体有限公司 | 韩国京畿道 |
| 成膜方法和成膜装置 | CN200510080241 | 东京毅力科创株式会社 | 日本东京都 |
| 掺杂装置 | CN200510078541 | 株式会社半导体能源研究所 | 日本神奈川县 |
| 单片光电集成光接收器制作中消除应力和损伤的方法 | CN200410040114 | 电子科技大学 | 610054四川省成都市建设北路二段四号 |
