| 名称 |
专利号 |
申请者 |
地址 |
| 一种发光二极管支架及其制作方法 | CN200510021033 | 李 锋 | 518067广东省深圳市南山区蛇口湾厦花园南座504 |
| 在硅衬底上制备铟镓铝氮薄膜及发光器件的方法 | CN200510025179 | 南昌大学 | 330047江西省南昌市南京东路235号南昌大学材料科研所 |
| 快速散热白光大功率发光二极管 | CN200510050015 | 宁波雷登照明有限公司 | 315400浙江省余姚市经济开发区中心大道以西 |
| 光源模块 | CN200510075992 | 友达光电股份有限公司 | 台湾省新竹科学工业园区 |
| 白光光源的产生方法，白光发光元件及其制造方法 | CN200510081378 | 友达光电股份有限公司 | 台湾新竹市 |
| 传送和存储半导体晶片的容器的系统和传送机构 | CN03820969 | 雷西夫公司 | 法国奥索恩 |
| 半导体处理系统用闸阀及真空容器 | CN200480000201 | 东京毅力科创株式会社 | 日本东京都 |
| 半导体衬底及其制造方法 | CN200480000686 | 佳能株式会社 | 日本东京 |
| 图案形成方法及半导体器件的制造方法 | CN200480000583 | 松下电器产业株式会社 | 日本大阪府 |
| 半导体器件的制造方法 | CN200480000668 | 松下电器产业株式会社 | 日本大阪府 |
| 探针的零点检测方法及探测装置 | CN200480000137 | 株式会社奥科泰克 | 日本东京都 |
| 氮化物半导体装置及其制造方法 | CN200480000273 | 住友电气工业株式会社 | 日本大阪府 |
| 基板保持装置和抛光装置 | CN02824391 | 株式会社荏原制作所 | 日本东京 |
| 气化器和半导体处理装置 | CN200480000341 | 东京毅力科创株式会社 | 日本东京都 |
| 半导体器件的制造方法 | CN200480000582 | 松下电器产业株式会社 | 日本大阪府 |
| 沉积低介电常数膜的方法 | CN200480000214 | 应用材料公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 改善低介电常数材料的破裂临界值及机械特性的方法 | CN200480000687 | 应用材料股份有限公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 接合方法和接合装置 | CN200480000639 | 东京毅力科创株式会社 | 日本东京都 |
| 移送装置和半导体处理系统 | CN200480000334 | 东京毅力科创株式会社 | 日本东京都 |
| 使用静电卡盘的基板保持机构及其制造方法 | CN200480000457 | 东京毅力科创株式会社 | 日本东京 |
| 一种形成分层半导体工艺结构的方法与相应的分层半导体工艺结构 | CN02820195 | 硅电子股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 电子装置及其制造方法 | CN200480000304 | 松下电器产业株式会社 | 日本大阪府 |
| 气密封用盖帽及其制造方法 | CN200480000049 | 株式会社新王材料 | 日本大阪府 |
| 刻印方法和刻印装置 | CN200480000487 | 东京毅力科创株式会社 | 日本东京都 |
| 用于形成倒装芯片半导体封装的方法和设备及用于制造倒装芯片半导体封装用的基底的方法 | CN02822195 | 先进系统自动化有限公司 | 新加坡54实龙岗北4道 |
| 半导体器件及其制造方法 | CN200480000058 | 卡西欧计算机株式会社 | 日本东京 |
| 用于冷却便携式计算机的方法和装置 | CN03815852 | 雷西昂公司 | 美国马萨诸塞州 |
| 半导体用粘着薄膜 ,使用该粘着薄膜的附有粘着薄膜金属板 ,附有该粘着薄膜的配线电路及半导体装置 ,以及半导体装置的制造方法 | CN200480000438 | 日立化成工业株式会社 | 日本东京都 |
| 集成互连装置 | CN03810336 | 因芬尼昂技术股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 用于产生一个成束光流的装置 | CN03823307 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 德国雷根斯堡 |
| 存储元件及使用该存储元件的储存装置 | CN200480000388 | 索尼株式会社 | 日本东京都 |
| 非易失性存储器及其制造方法 | CN200480000648 | 松下电器产业株式会社 | 日本国大阪府 |
| 半导体器件及其制造方法 | CN200480000228 | 松下电器产业株式会社 | 日本大阪府 |
| 衬底、其制造方法以及半导体器件 | CN200480000697 | 佳能株式会社 | 日本东京 |
| 固态图像传感装置及其制造方法 | CN200480000657 | 佳能株式会社 | 日本东京 |
| 具有槽限制的隔离扩散的互补模拟双极型晶体管 | CN03824204 | 先进模拟科技公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 半导体器件及其制造方法 | CN200480000426 | 松下电器产业株式会社 | 日本国大阪府 |
| P型氮化物半导体结构以及双极晶体管 | CN200480000279 | 日本电信电话株式会社 | 日本东京 |
| 记忆单元 | CN03803495 | 因芬尼昂技术股份公司 | 德国慕尼黑 |
| 使用氮化物半导体的发光器件和其制造方法 | CN200480000328 | LG伊诺特有限公司 | 韩国汉城市 |
| 半导体发光元件及其制法,集成半导体发光元件及其制法,图像显示装置及其制法,照明装置及其制法 | CN200480000358 | 索尼株式会社 | 日本东京都 |
| 芯片型LED | CN200480000363 | 罗姆股份有限公司 | 日本京都府 |
| 氮化镓系发光器件 | CN200480000484 | 氮化物半导体株式会社 | 日本德岛 |
| 圆柱超声波收发器 | CN03802456 | 飞马技术有限公司 | 以色列阿祖尔 |
| 使用有机电介质的有机场效应晶体管 | CN02828191 | 艾夫西亚有限公司 | 英国曼彻斯特 |
| 发光器件及其制造方法和显示单元 | CN200480000242 | 索尼株式会社 | 日本东京都 |
| 半导体装置 | CN200420064412 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 台湾省新竹科学工业园区 |
| 半导体构装与封环结构以及半导体组件 | CN200420073186 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 台湾省新竹科学工业园区 |
| 散热模块的导热板构造 | CN03237727 | 莫列斯公司 | 美国伊利诺伊州 |
| 热导管结构 | CN200420096426 | 陈万添 | 中国台湾 |
| 半导体电子散热器 | CN200420057104 | 陈 起 | 244000安徽省铜陵市新苑二区12×405号 |
| 用于电子器件冷却的循环流动型脉动热管 | CN200420068063 | 中南大学 | 410083湖南省长沙市左家垅 |
| 反熔丝型存储器组件的结构 | CN200420067254 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 台湾省新竹科学工业园区 |
| 电容器 | CN200420084320 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 台湾省新竹科学工业园区 |
| 半导体芯片和集成电路芯片 | CN200420066850 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 台湾省新竹科学工业园区 |
| 高量子效率的影像传感器 | CN200420093000 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 台湾省新竹科学工业园区 |
| 具有高品质因子的电感 | CN200420084338 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 台湾省新竹科学工业园区 |
| 发光二极管装置、发光二极管散热系统及包含其之照明装置 | CN200420047679 | 吴裕朝 | 台湾台北中和市安平里10邻宜安路138号2楼 |
| n-pin结构半导体发光二极管 | CN200420077929 | 北京工业大学 | 100022北京市朝阳区平乐园100号 |
| 用于发光二极管的散热基座及封装结构 | CN200420096276 | 业达科技股份有限公司 | 台湾省台中县 |
| 具有萤光板的发光二极管封装结构 | CN200420096277 | 业达科技股份有限公司 | 台湾省台中县 |
| 半导体封装件的制造方法 | CN03142736 | 株式会社日立制作所;日立北海半导体株式会社 | 日本东京 |
| 氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件 | CN03145868 | 日亚化学工业株式会社 | 日本德岛县 |
| 具有支撑件的发光二极管光源模组 | CN200410062322 | 友达光电股份有限公司 | 台湾省新竹市科学工业园区 |
| 包含低热质量导热烘烤盘的合成烘烤/冷却装置 | CN200410005829 | FSI国际公司 | 美国明尼苏达 |
| 半导体器件及传导结构形成工艺 | CN200410047641 | 摩托罗拉公司 | 美国伊利诺斯 |
| 半导体用粘接膜、使用该膜的引线框、半导体装置及其制造方法 | CN200410077191 | 日立化成工业株式会社 | 日本东京 |
| 电子部件及其制造方法 | CN200410056389 | 松下电器产业株式会社 | 日本国大阪府门真市 |
| 半导体器件的制造方法 | CN200410078966 | 株式会社日立制作所 | 日本东京 |
| 晶片探测器 | CN200410079789 | IBIDEN股份有限公司 | 日本岐阜县 |
| 非易失性半导体存储器及其制造方法 | CN200410060093 | 株式会社东芝 | 日本东京都 |
| 半导体发光元件及其制造方法以及半导体发光装置 | CN200410056639 | 株式会社东芝 | 日本东京都 |
| 半导体发光器件 | CN200410079795 | 株式会社东芝 | 日本东京都 |
| 显示装置 | CN200410082616 | 剑桥显示技术有限公司 | 英国剑桥 |
| 曝光装置以及器件制造方法 | CN01818004 | 株式会社尼康 | 日本东京 |
| 用于增加可用平面表面积的半导体晶片处理方法 | CN01821447 | 源太阳能股份有限公司 | 澳大利亚新南威尔士 |
| 半导体器件及其制造方法 | CN01821537 | 大见忠弘 | 日本宫城县 |
| 用于光电子学的半导体芯片及其制造方法 | CN01817035 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 德国雷根斯堡 |
| 非易失性存储装置 | CN03158490 | LG半导体株式会社 | 韩国忠清北道 |
| 数字图像缩放集成电路的设计方法 | CN03111801 | 海信集团有限公司 | 266071山东省青岛市江西路11号 |
| 半导体装置的制造方法和半导体装置及其装配方法 | CN02126232 | 富士通株式会社 | 日本神奈川 |
| 半导体装置及半导体装置的制造方法 | CN02126233 | 富士通株式会社 | 日本神奈川 |
| 制造电子元件的方法 | CN02816573 | 肖特股份公司 | 德国美因茨 |
| 形成电容器的方法及形成电容器介电层的方法 | CN02824062 | 微米技术有限公司 | 美国艾达荷州 |
| 散热器扣合装置 | CN03264047 | 汪应萍 | 511495广东省广州市番禺区钟村祈福新村豪庭西路81号 |
| 改进的光电探测器 | CN03803039 | 派克米瑞斯公司 | 美国密执安 |
| 具有低导通电阻的高电压功率MOSFET | CN03804389 | 通用半导体公司 | 美国纽约 |
| LED平面光源和由其构造的低轮廓前灯 | CN03824704 | 吉尔科有限公司 | 美国俄亥俄州 |
| LSI插件及LSI元件的试验方法和半导体器件的制造方法 | CN03825273 | 富士通株式会社 | 日本国神奈川县 |
| 电子装置 | CN03825313 | 株式会社日立制作所 | 日本东京都 |
| 用于数据分析的专家知识方法和系统 | CN03825317 | 兰姆研究有限公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 半导体器件及其制造方法 | CN03825341 | 富士通株式会社 | 日本神奈川县川崎市 |
| 耐腐蚀性膜及其制造方法,表面固化抗蚀剂图形及其制造方法,及半导体器件及其制造方法 | CN03825348 | 富士通株式会社 | 日本国神奈川县 |
| 控制蚀刻深度的装置和方法 | CN03825366 | 兰姆研究有限公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 使用铁磁隧道结元件的磁存储装置 | CN03825374 | 索尼株式会社 | 日本东京都 |
| 半导体装置及其制造方法 | CN03825383 | 富士通株式会社 | 日本神奈川县 |
| 在半导体器件中形成浅沟槽隔离结构的方法 | CN03825402 | 爱特梅尔股份有限公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 产生横向掺杂沟道的方法 | CN03825407 | 先进微装置公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 层叠电晶体的导接架结构及组成结构 | CN200410010854 | 资重兴 | 226500江苏省如皋市蒲行苑207栋303室 |
